Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122989) > Сторінка 202 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRGP4640D-EPBF IRGP4640D-EPBF Infineon Technologies IRGx4640D%28-E%29PbF.pdf Description: IGBT 600V 65A TO-247AC
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 75 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF Infineon Technologies IRSD-S-A0000175678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 76A TO-247AC
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 104 nC
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 632µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Infineon Technologies IRGx4640D%28-E%29PbF.pdf Description: IGBT 600V 65A TO-247AD
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 75 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+62.23 грн
100+41.23 грн
500+30.26 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF Infineon Technologies ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
10+122.08 грн
25+111.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+86.56 грн
100+58.41 грн
500+43.51 грн
1000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF IR2010STRPBF Infineon Technologies ir2010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c48f901660 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.97 грн
10+157.30 грн
25+144.23 грн
100+121.90 грн
250+115.49 грн
500+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF Infineon Technologies ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Description: IC REC SMART CONTROL 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 200V
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11.4V ~ 18V
Applications: Secondary-Side Controller
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Supply: 50 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+108.50 грн
25+98.98 грн
100+83.03 грн
250+78.33 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.83 грн
100+55.73 грн
500+41.40 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF IRS2153DSTRPBF Infineon Technologies IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.76 грн
10+65.89 грн
25+59.64 грн
100+49.61 грн
250+46.57 грн
500+44.73 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094STRPBF Infineon Technologies ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.61 грн
10+96.19 грн
25+87.63 грн
100+73.39 грн
250+69.16 грн
500+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3856MTRPBF IR3856MTRPBF Infineon Technologies ir3856m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5818517f8 Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.7V
Voltage - Input (Min): 1.5V
Voltage - Output (Max): 18.9V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 21V
Frequency - Switching: 225kHz ~ 1.65MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 6A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 17-PowerVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9 Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
на замовлення 47956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+44.32 грн
100+28.95 грн
500+20.95 грн
1000+18.95 грн
2000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304STRPBF IRS2304STRPBF Infineon Technologies irs2304spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a8fe72802 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.29 грн
10+49.62 грн
25+44.83 грн
100+37.12 грн
250+34.75 грн
500+33.33 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Infineon Technologies irfh5300pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b3e141ebc Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.41 грн
10+98.65 грн
100+66.53 грн
500+49.51 грн
1000+45.36 грн
2000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.84 грн
8000+11.37 грн
12000+10.86 грн
20000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.77 грн
500+15.59 грн
1000+14.03 грн
2000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6 Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
6000+16.05 грн
9000+15.84 грн
15000+14.64 грн
21000+14.50 грн
30000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 712L16 E6327 BGA 712L16 E6327 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP MMIC RF LNA TSLP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 Infineon Technologies BGA725L6_V2+0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433784a0400137ef9a4d341f23 Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 20dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -16dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA749N16E6327XTSA1 BGA749N16E6327XTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP GPS 940MHZ TSNP7-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 940MHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3.6V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA 925L6 E6327 Infineon Technologies BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337 Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGB719N7ESDE6327XTMA1 BGB719N7ESDE6327XTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 10MHz ~ 1GHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 3V
Gain: 13.5dB
Current - Supply: 2.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: -6dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 BGM 1034N7 E6327 Infineon Technologies bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011 Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15AN16E6327XTSA1 BGS15AN16E6327XTSA1 Infineon Technologies BGS15AN16_v2_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f1b26e8013f2d44cb463811 Description: IC RF SWITCH SP5T 3GHZ TSNP16-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 BGSF18DM20E6327XUMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336 Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3XU1USE6327XTSA1 ESD3V3XU1USE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3XU1US.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSSLP-2-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V (Typ)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TVS3V3L4UE6327HTSA1 TVS3V3L4UE6327HTSA1 Infineon Technologies TVS3V3L4U_rev_2_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385be7912532ed Description: TVS DIODE 3.3VWM 7.7VC PGSC746
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 4
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.7V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.67 грн
6000+12.91 грн
9000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6 Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+18.28 грн
25+16.30 грн
100+13.21 грн
250+12.23 грн
500+11.63 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 80780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
12+26.19 грн
25+23.40 грн
100+19.15 грн
250+17.79 грн
500+16.97 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.80 грн
25+21.28 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.35 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 Infineon Technologies BGA725L6_V2+0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433784a0400137ef9a4d341f23 Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 20dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -16dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Active
на замовлення 7898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
14+22.24 грн
25+20.95 грн
100+17.98 грн
250+16.96 грн
500+16.25 грн
1000+15.31 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA749N16E6327XTSA1 BGA749N16E6327XTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP GPS 940MHZ TSNP7-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 940MHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3.6V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-1
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+126.26 грн
25+119.24 грн
100+102.79 грн
250+97.32 грн
500+93.45 грн
1000+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA 925L6 E6327 Infineon Technologies BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337 Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
на замовлення 23159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGB719N7ESDE6327XTMA1 BGB719N7ESDE6327XTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 10MHz ~ 1GHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 3V
Gain: 13.5dB
Current - Supply: 2.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: -6dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
10+35.82 грн
25+33.25 грн
100+28.53 грн
250+27.24 грн
500+26.46 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 BGM 1034N7 E6327 Infineon Technologies bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011 Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 16295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15AN16E6327XTSA1 BGS15AN16E6327XTSA1 Infineon Technologies BGS15AN16_v2_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f1b26e8013f2d44cb463811 Description: IC RF SWITCH SP5T 3GHZ TSNP16-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1P0RFWH6327XTSA1 ESD1P0RFWH6327XTSA1 Infineon Technologies esd1p0rfseries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01149221c9230fb2&fileId=db3a30431441fb5d01149228afda0fc7 Description: TVS DIODE 70VWM 15VC PGSOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI, RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336 Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3XU1USE6327XTSA1 ESD3V3XU1USE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3XU1US.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSSLP-2-1
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V (Typ)
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Applications: Ethernet, HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TVS3V3L4UE6327HTSA1 TVS3V3L4UE6327HTSA1 Infineon Technologies TVS3V3L4U_rev_2_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385be7912532ed Description: TVS DIODE 3.3VWM 7.7VC PGSC746
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 4
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.7V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 54821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.29 грн
10+42.91 грн
100+27.97 грн
500+20.22 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA 925L6 E6327 Infineon Technologies BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337 Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
на замовлення 23159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 BGM 1034N7 E6327 Infineon Technologies bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011 Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336 Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR5002VH6327XTSA1 BAR5002VH6327XTSA1 Infineon Technologies bar50series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114fea7dd410a92 Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SC79-2
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
50+6.04 грн
57+5.28 грн
100+4.19 грн
250+3.83 грн
500+3.61 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 BAR6306WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 BAR6406E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Description: RF DIODE PIN 150V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
41+7.39 грн
46+6.51 грн
100+5.20 грн
250+4.76 грн
500+4.49 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 BAR6502VH6327XTSA1 Infineon Technologies bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Description: RF DIODE PIN 30V 250MW PG-SC79-2
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.52 грн
55+5.52 грн
62+4.84 грн
100+3.82 грн
250+3.49 грн
500+3.28 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 Infineon Technologies bar81series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff203eb70af2 Description: DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 5mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 23058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
11+29.25 грн
25+26.18 грн
100+21.39 грн
250+19.87 грн
500+18.96 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002LSE6327XTSA1 BAR9002LSE6327XTSA1 Infineon Technologies bar90series.pdf Description: RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 150 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A02VH6327XTSA1 BAS3005A02VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAS3005ASERIES-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432d9b3066012db872f12d0bb7 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA PGSC792
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
15+20.37 грн
100+12.89 грн
500+9.06 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 BAT15099E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.71 грн
100+27.18 грн
500+19.61 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT17-04W-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638963bf54e8f Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
13+24.70 грн
100+15.67 грн
500+11.03 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT17_6-15-11.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
13+24.70 грн
100+15.67 грн
500+11.03 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1706WH6327XTSA1 BAT1706WH6327XTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640D-EPBF IRGx4640D%28-E%29PbF.pdf
IRGP4640D-EPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 65A TO-247AC
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 75 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF IRSD-S-A0000175678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRGP4650DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 76A TO-247AC
Power - Max: 268 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 104 nC
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 632µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/105ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640DPBF IRGx4640D%28-E%29PbF.pdf
IRGP4640DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 65A TO-247AD
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 75 nC
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFR220NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
IRFR3910TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+62.23 грн
100+41.23 грн
500+30.26 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4
IR2184STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.48 грн
10+122.08 грн
25+111.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+86.56 грн
100+58.41 грн
500+43.51 грн
1000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF ir2010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c48f901660
IR2010STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.97 грн
10+157.30 грн
25+144.23 грн
100+121.90 грн
250+115.49 грн
500+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REC SMART CONTROL 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 200V
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11.4V ~ 18V
Applications: Secondary-Side Controller
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Supply: 50 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.88 грн
10+108.50 грн
25+98.98 грн
100+83.03 грн
250+78.33 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+82.83 грн
100+55.73 грн
500+41.40 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS2153DSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.76 грн
10+65.89 грн
25+59.64 грн
100+49.61 грн
250+46.57 грн
500+44.73 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679
IR21094STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.61 грн
10+96.19 грн
25+87.63 грн
100+73.39 грн
250+69.16 грн
500+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3856MTRPBF ir3856m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5818517f8
IR3856MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.7V
Voltage - Input (Min): 1.5V
Voltage - Output (Max): 18.9V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 21V
Frequency - Switching: 225kHz ~ 1.65MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 6A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 17-PowerVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBF irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9
IRLHS6242TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
на замовлення 47956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+44.32 грн
100+28.95 грн
500+20.95 грн
1000+18.95 грн
2000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304STRPBF irs2304spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a8fe72802
IRS2304STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.29 грн
10+49.62 грн
25+44.83 грн
100+37.12 грн
250+34.75 грн
500+33.33 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF irfh5300pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b3e141ebc
IRFH5300TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.41 грн
10+98.65 грн
100+66.53 грн
500+49.51 грн
1000+45.36 грн
2000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.84 грн
8000+11.37 грн
12000+10.86 грн
20000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.77 грн
500+15.59 грн
1000+14.03 грн
2000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6
BFP840ESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.12 грн
6000+16.05 грн
9000+15.84 грн
15000+14.64 грн
21000+14.50 грн
30000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
BFP842ESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 712L16 E6327 fundamentals-of-power-semiconductors
BGA 712L16 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP MMIC RF LNA TSLP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6_V2+0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433784a0400137ef9a4d341f23
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 20dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -16dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA749N16E6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGA749N16E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 940MHZ TSNP7-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 940MHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3.6V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337
BGA 925L6 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGB719N7ESDE6327XTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGB719N7ESDE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 10MHz ~ 1GHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 3V
Gain: 13.5dB
Current - Supply: 2.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: -6dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011
BGM 1034N7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15AN16E6327XTSA1 BGS15AN16_v2_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f1b26e8013f2d44cb463811
BGS15AN16E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP5T 3GHZ TSNP16-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGSF18DM20E6327XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3XU1USE6327XTSA1 ESD3V3XU1US.pdf
ESD3V3XU1USE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSSLP-2-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V (Typ)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TVS3V3L4UE6327HTSA1 TVS3V3L4U_rev_2_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385be7912532ed
TVS3V3L4UE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7.7VC PGSC746
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 4
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.7V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.67 грн
6000+12.91 грн
9000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6
BFP840ESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
17+18.28 грн
25+16.30 грн
100+13.21 грн
250+12.23 грн
500+11.63 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 80780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
12+26.19 грн
25+23.40 грн
100+19.15 грн
250+17.79 грн
500+16.97 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
BFP842ESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.80 грн
25+21.28 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.35 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6_V2+0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433784a0400137ef9a4d341f23
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
RF Type: GPS/GNSS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 20dB
Current - Supply: 3.6mA
Noise Figure: 0.65dB
P1dB: -16dBm
Supplier Device Package: TSLP-6-2
Part Status: Active
на замовлення 7898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
14+22.24 грн
25+20.95 грн
100+17.98 грн
250+16.96 грн
500+16.25 грн
1000+15.31 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA749N16E6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGA749N16E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 940MHZ TSNP7-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 940MHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 3.6V
Gain: 16.1dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-1
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.88 грн
10+126.26 грн
25+119.24 грн
100+102.79 грн
250+97.32 грн
500+93.45 грн
1000+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337
BGA 925L6 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
на замовлення 23159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGB719N7ESDE6327XTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGB719N7ESDE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 10MHz ~ 1GHz
RF Type: FM
Voltage - Supply: 3V
Gain: 13.5dB
Current - Supply: 2.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: -6dBm
Test Frequency: 100MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
10+35.82 грн
25+33.25 грн
100+28.53 грн
250+27.24 грн
500+26.46 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011
BGM 1034N7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 16295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15AN16E6327XTSA1 BGS15AN16_v2_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433f1b26e8013f2d44cb463811
BGS15AN16E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP5T 3GHZ TSNP16-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD1P0RFWH6327XTSA1 esd1p0rfseries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01149221c9230fb2&fileId=db3a30431441fb5d01149228afda0fc7
ESD1P0RFWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 70VWM 15VC PGSOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI, RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3XU1USE6327XTSA1 ESD3V3XU1US.pdf
ESD3V3XU1USE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSSLP-2-1
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V (Typ)
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Applications: Ethernet, HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TVS3V3L4UE6327HTSA1 TVS3V3L4U_rev_2_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385be7912532ed
TVS3V3L4UE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7.7VC PGSC746
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 4
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.7V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 54821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.29 грн
10+42.91 грн
100+27.97 грн
500+20.22 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 925L6 E6327 BGA925L6.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043327f13e30132a4db54e64337
BGA 925L6 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF GNSS LNA TSLP-6
на замовлення 23159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGM 1034N7 E6327 bgm1034N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304334fac4c60134fafa93ce0011
BGM 1034N7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1 ESD3V3S1B_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a3043382e837301385c223ad03336
ESD3V3S1B02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC TSLP2-17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR5002VH6327XTSA1 bar50series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114fea7dd410a92
BAR5002VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SC79-2
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.30 грн
50+6.04 грн
57+5.28 грн
100+4.19 грн
250+3.83 грн
500+3.61 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6306WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
BAR6406E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 150V 250MW PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
41+7.39 грн
46+6.51 грн
100+5.20 грн
250+4.76 грн
500+4.49 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
BAR6502VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 30V 250MW PG-SC79-2
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.52 грн
55+5.52 грн
62+4.84 грн
100+3.82 грн
250+3.49 грн
500+3.28 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 bar81series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff203eb70af2
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 5mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 23058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
11+29.25 грн
25+26.18 грн
100+21.39 грн
250+19.87 грн
500+18.96 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR9002LSE6327XTSA1 bar90series.pdf
BAR9002LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 150 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005A02VH6327XTSA1 Infineon-BAS3005ASERIES-DS-v01_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432d9b3066012db872f12d0bb7
BAS3005A02VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA PGSC792
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.87 грн
15+20.37 грн
100+12.89 грн
500+9.06 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT15099E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+41.71 грн
100+27.18 грн
500+19.61 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 Infineon-BAT17-04W-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638963bf54e8f
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 10402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
13+24.70 грн
100+15.67 грн
500+11.03 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT17_6-15-11.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 6649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
13+24.70 грн
100+15.67 грн
500+11.03 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1706WH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BAT1706WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]