Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148449) > Сторінка 231 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.60 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R180P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479131b3626146 Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1 IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R255P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479191092861a4 Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R650P6SATMA1 IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037 Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.04 грн
10+93.57 грн
100+69.15 грн
500+51.79 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R180P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479131b3626146 Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.49 грн
10+134.80 грн
100+116.80 грн
500+93.37 грн
1000+88.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+163.69 грн
100+114.17 грн
500+87.31 грн
1000+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1 IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R255P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479191092861a4 Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
10+90.81 грн
100+69.28 грн
500+53.04 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R650P6SATMA1 IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037 Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 TLE4998C3XALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4 Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.33 грн
5+194.96 грн
10+181.16 грн
25+154.25 грн
50+143.35 грн
100+133.22 грн
500+128.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P3XALA1 TLE4998P3XALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4998P-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1 Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 127941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.35 грн
48+6.51 грн
100+3.96 грн
500+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR840L3RHESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389709cd4ece Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 6191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
12+27.43 грн
25+24.49 грн
100+20.00 грн
250+18.57 грн
500+17.71 грн
1000+16.73 грн
2500+15.99 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+90.89 грн
100+64.76 грн
500+51.58 грн
1000+45.82 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+43.91 грн
100+28.70 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+44.06 грн
100+28.75 грн
500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.95 грн
10+58.62 грн
100+45.64 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+68.05 грн
100+46.00 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+48.97 грн
100+32.36 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+52.34 грн
100+34.46 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+50.12 грн
100+35.10 грн
500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.42 грн
10+49.97 грн
100+35.57 грн
500+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29 Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1 BSP300H6327XUSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP300-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c980bd0110d Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+43.83 грн
100+28.57 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.85 грн
10+45.83 грн
100+29.61 грн
500+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+52.42 грн
100+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+49.51 грн
100+32.73 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9 Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.01 грн
10+45.60 грн
100+31.36 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.82 грн
10+61.61 грн
100+45.28 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
26+12.03 грн
100+5.62 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
35+8.81 грн
100+5.69 грн
500+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 151592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
27+11.57 грн
100+6.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.68 грн
2000+4.32 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
41+7.59 грн
100+5.41 грн
500+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+30.65 грн
100+20.94 грн
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
28+11.04 грн
100+5.64 грн
500+5.02 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+5.49 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
10+32.11 грн
100+22.97 грн
500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
25+12.26 грн
100+7.65 грн
500+5.29 грн
1000+4.67 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS84PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132482056d32474 Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
44+7.13 грн
100+5.05 грн
500+4.42 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50901EJAXUMA1 BTS50901EJAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5090-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa410fc371059 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 90mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-43-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+70.04 грн
25+63.51 грн
100+52.82 грн
250+49.59 грн
500+47.64 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f&ack=t Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.63 грн
10+119.70 грн
100+93.73 грн
500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.04 грн
10+324.47 грн
100+245.56 грн
500+199.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.93 грн
10+126.14 грн
100+86.89 грн
500+65.80 грн
1000+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1 IPD90P04P405ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79&ack=t Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee&ack=t Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+99.78 грн
100+67.64 грн
500+50.55 грн
1000+46.40 грн
2000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+61.92 грн
100+43.94 грн
500+35.44 грн
1000+31.19 грн
2000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4100SSJNXUMA1 ITS4100SSJNXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4100S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c9049397e2318 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+76.25 грн
25+69.22 грн
100+57.66 грн
250+54.18 грн
500+52.08 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMENHUMA1 ITS4200SMENHUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4200S_ME_N_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a013ee841573f&ack=t Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+83.53 грн
25+75.90 грн
100+63.31 грн
250+59.55 грн
500+57.28 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4200S_ME_O_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a013fb7455740&ack=t Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 11V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 23012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.78 грн
10+82.53 грн
25+75.01 грн
100+62.56 грн
250+58.83 грн
500+56.59 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 ITS4200SMEPHUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4200S_ME_P_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a0140684a5741&ack=t Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 11V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.17 грн
10+84.83 грн
25+77.06 грн
100+64.31 грн
250+60.49 грн
500+58.19 грн
1000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 6V ~ 52V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+65.67 грн
25+59.47 грн
100+49.40 грн
250+46.34 грн
500+44.50 грн
1000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4300SSJDXUMA1 ITS4300SSJDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS4300S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904925722312 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 27669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+60.77 грн
25+54.99 грн
100+45.60 грн
250+42.72 грн
500+40.99 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E3111XTMA1 KP229E3111XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP229E3111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014be98f6a2e3c19 Description: SENSOR 43.51PSIA 4.65V MODULE
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 2.9PSI ~ 43.51PSI (20kPa ~ 300kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.54PSI (±3.75kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: Module
Port Style: No Port
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.35 грн
5+237.26 грн
10+226.91 грн
25+201.31 грн
50+193.39 грн
100+186.11 грн
500+168.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.60 грн
5000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 DS_IPL60R180P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479131b3626146
IPL60R180P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1 DS_IPL60R255P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479191092861a4
IPL60R255P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R650P6SATMA1 DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037
IPL60R650P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.04 грн
10+93.57 грн
100+69.15 грн
500+51.79 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 DS_IPL60R180P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479131b3626146
IPL60R180P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.49 грн
10+134.80 грн
100+116.80 грн
500+93.37 грн
1000+88.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.23 грн
10+163.69 грн
100+114.17 грн
500+87.31 грн
1000+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R255P6AUMA1 DS_IPL60R255P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01479191092861a4
IPL60R255P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.88 грн
10+90.81 грн
100+69.28 грн
500+53.04 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R650P6SATMA1 DS_IPL60R650P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a014758fc7b850037
IPL60R650P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4
TLE4998C3XALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 16 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.33 грн
5+194.96 грн
10+181.16 грн
25+154.25 грн
50+143.35 грн
100+133.22 грн
500+128.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998P3XALA1 Infineon-TLE4998P-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d3e9a9f3425b1
TLE4998P3XALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR HALL PWM SSO3-10
Features: Selectable Scale, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SSIP, SSO-3-10
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Bandwidth: Programmable
Technology: Hall Effect
Resolution: 12 b
Sensing Range: ±50mT, ±100mT, ±200mT
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-3-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6
2N7002H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 127941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
48+6.51 грн
100+3.96 грн
500+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon-BFR840L3RHESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389709cd4ece
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 6191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
12+27.43 грн
25+24.49 грн
100+20.00 грн
250+18.57 грн
500+17.71 грн
1000+16.73 грн
2500+15.99 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+90.89 грн
100+64.76 грн
500+51.58 грн
1000+45.82 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+43.91 грн
100+28.70 грн
500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
BSP129H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+44.06 грн
100+28.75 грн
500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.95 грн
10+58.62 грн
100+45.64 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+68.05 грн
100+46.00 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6906XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+48.97 грн
100+32.36 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6004f59a57fa
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+52.34 грн
100+34.46 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f
BSP295H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+50.12 грн
100+35.10 грн
500+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2
BSP297H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+49.97 грн
100+35.57 грн
500+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP298H6327XUSA1 Infineon-BSP298-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c05f65f0f29
BSP298H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP300H6327XUSA1 Infineon-BSP300-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c980bd0110d
BSP300H6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+43.83 грн
100+28.57 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+45.83 грн
100+29.61 грн
500+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2
BSP317PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+52.42 грн
100+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+49.51 грн
100+32.73 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 Infineon-BSP324-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c38c51e0fe9
BSP324H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+45.60 грн
100+31.36 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+61.61 грн
100+45.28 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
26+12.03 грн
100+5.62 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
35+8.81 грн
100+5.69 грн
500+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 151592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
27+11.57 грн
100+6.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.68 грн
2000+4.32 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
41+7.59 грн
100+5.41 грн
500+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+30.65 грн
100+20.94 грн
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
28+11.04 грн
100+5.64 грн
500+5.02 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+5.49 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
BSS225H6327FTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.95 грн
10+32.11 грн
100+22.97 грн
500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6433XTMA1 Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549
BSS84PH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
25+12.26 грн
100+7.65 грн
500+5.29 грн
1000+4.67 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon-BSS84PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132482056d32474
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
44+7.13 грн
100+5.05 грн
500+4.42 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50901EJAXUMA1 Infineon-BTS5090-1EJA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa410fc371059
BTS50901EJAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 90mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-43-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+70.04 грн
25+63.51 грн
100+52.82 грн
250+49.59 грн
500+47.64 грн
1000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f&ack=t
IPB120P04P4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
IPB160N04S4H1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.63 грн
10+119.70 грн
100+93.73 грн
500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.04 грн
10+324.47 грн
100+245.56 грн
500+199.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.93 грн
10+126.14 грн
100+86.89 грн
500+65.80 грн
1000+60.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1 Infineon-IPD90P04P4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79&ack=t
IPD90P04P405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1 Infineon-IPD90P04P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee&ack=t
IPD90P04P4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t
IPG20N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+99.78 грн
100+67.64 грн
500+50.55 грн
1000+46.40 грн
2000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t
IPG20N06S4L26ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+61.92 грн
100+43.94 грн
500+35.44 грн
1000+31.19 грн
2000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4100SSJNXUMA1 Infineon-ITS4100S-SJ-N-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c9049397e2318
ITS4100SSJNXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+76.25 грн
25+69.22 грн
100+57.66 грн
250+54.18 грн
500+52.08 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMENHUMA1 Infineon-ITS4200S_ME_N_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a013ee841573f&ack=t
ITS4200SMENHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+83.53 грн
25+75.90 грн
100+63.31 грн
250+59.55 грн
500+57.28 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEOHUMA1 Infineon-ITS4200S_ME_O_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a013fb7455740&ack=t
ITS4200SMEOHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 11V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 23012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.78 грн
10+82.53 грн
25+75.01 грн
100+62.56 грн
250+58.83 грн
500+56.59 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 Infineon-ITS4200S_ME_P_01092012S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b1013a0140684a5741&ack=t
ITS4200SMEPHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 11V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.17 грн
10+84.83 грн
25+77.06 грн
100+64.31 грн
250+60.49 грн
500+58.19 грн
1000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 Infineon-ITS4200S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90492f772315
ITS4200SSJDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Voltage - Load: 6V ~ 52V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+65.67 грн
25+59.47 грн
100+49.40 грн
250+46.34 грн
500+44.50 грн
1000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4300SSJDXUMA1 Infineon-ITS4300S-SJ-D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c904925722312
ITS4300SSJDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8
Features: Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 27669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+60.77 грн
25+54.99 грн
100+45.60 грн
250+42.72 грн
500+40.99 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E3111XTMA1 Infineon-KP229E3111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014be98f6a2e3c19
KP229E3111XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 43.51PSIA 4.65V MODULE
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 2.9PSI ~ 43.51PSI (20kPa ~ 300kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.54PSI (±3.75kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: Module
Port Style: No Port
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.35 грн
5+237.26 грн
10+226.91 грн
25+201.31 грн
50+193.39 грн
100+186.11 грн
500+168.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]