Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2442 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR92p.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.47 грн
33+11.62 грн
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Mounting: SMD
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
28+13.84 грн
100+10.55 грн
121+7.34 грн
333+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR133.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 130MHz
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
96+4.31 грн
109+3.52 грн
332+2.70 грн
912+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06E6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR158.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
97+4.25 грн
112+3.44 грн
250+3.04 грн
339+2.64 грн
932+2.49 грн
3000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
53+7.34 грн
57+6.80 грн
59+6.50 грн
100+6.04 грн
391+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64-04.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.41 грн
30+12.92 грн
39+9.97 грн
100+6.68 грн
209+4.30 грн
573+4.07 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar66series.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
26+15.21 грн
50+10.86 грн
97+9.25 грн
266+8.79 грн
500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.36 грн
45+9.48 грн
100+8.33 грн
120+7.64 грн
325+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.76 грн
32+12.31 грн
42+9.30 грн
100+6.02 грн
194+4.63 грн
500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.46 грн
22+17.81 грн
28+13.91 грн
95+9.48 грн
261+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS3007ARPPE6327.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
16+24.62 грн
50+21.02 грн
56+15.98 грн
154+15.14 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4002ARPPE6327.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.05 грн
17+23.16 грн
56+16.13 грн
153+15.21 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB640E-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2.8...76pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
26+15.21 грн
75+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
21+19.04 грн
100+12.31 грн
116+7.72 грн
319+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.23 грн
32+12.16 грн
50+8.49 грн
100+7.49 грн
178+5.05 грн
487+4.82 грн
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.92 грн
9+47.25 грн
25+41.44 грн
26+35.78 грн
70+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.51 грн
15+61.92 грн
25+60.39 грн
41+58.10 грн
100+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR1161LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -2.5...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR11688STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR1169STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
 		ICE5QR1070AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE5QRxxxxAx.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Power: 58/32W
Input voltage: 80...265V
Output current: 0.4A
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Breakdown voltage: 700V
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Operating voltage: 10...25.5V DC
Frequency: 20kHz
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.27 грн
13+69.57 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.70 грн
25+20.64 грн
52+17.17 грн
143+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50055-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.72 грн
4+294.33 грн
9+278.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Supply voltage: 5.5...38V DC
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: THT
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.46 грн
3+298.92 грн
9+282.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+10.70 грн
57+6.80 грн
65+5.96 грн
71+5.43 грн
100+5.05 грн
193+4.66 грн
529+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.75 грн
75+12.08 грн
205+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Power dissipation: 2W
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.63 грн
29+13.46 грн
85+10.52 грн
234+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.37 грн
80+11.93 грн
210+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.40 грн
17+22.55 грн
75+11.93 грн
206+11.31 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms2002pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.63 грн
11+35.63 грн
51+17.58 грн
140+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.98 грн
12+33.48 грн
14+29.13 грн
50+21.56 грн
58+15.82 грн
159+14.91 грн
500+14.45 грн
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+397.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.99 грн
2+607.77 грн
5+574.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.70 грн
2+542.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.40 грн
8+124.61 грн
21+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7434PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.65 грн
10+133.02 грн
11+86.39 грн
29+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50201EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50251EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.04 грн
5+185.77 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24LTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Case: TSNP16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
DC supply current: 45mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 10dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...26GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 150mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR12.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.03 грн
3+321.85 грн
8+304.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.27 грн
25+52.67 грн
38+23.62 грн
105+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.33 грн
5+214.82 грн
10+213.29 грн
12+202.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.42 грн
9+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.51 грн
10+40.90 грн
35+26.07 грн
95+24.62 грн
250+23.93 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6906XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
25+36.39 грн
28+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF IRS2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2304spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.66 грн
5+112.38 грн
10+86.39 грн
29+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB535-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; 2÷20pF
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2...20pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
25+15.44 грн
33+11.93 грн
100+7.57 грн
161+5.66 грн
443+5.35 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB639_659.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2.4...40pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
38+10.17 грн
75+7.91 грн
100+7.61 грн
216+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB837_BB857.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.45...7.2pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.27 грн
28+13.91 грн
86+10.63 грн
236+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92p.pdf
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.47 грн
33+11.62 грн
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327-dte.pdf
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Mounting: SMD
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
28+13.84 грн
100+10.55 грн
121+7.34 грн
333+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133.pdf
BCR133E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 130MHz
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
96+4.31 грн
109+3.52 грн
332+2.70 грн
912+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06E6327 SMBTA06E6327.pdf
SMBTA06E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158.pdf
BCR158E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
97+4.25 грн
112+3.44 грн
250+3.04 грн
339+2.64 грн
932+2.49 грн
3000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
53+7.34 грн
57+6.80 грн
59+6.50 грн
100+6.04 грн
391+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR64-04.pdf
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.41 грн
30+12.92 грн
39+9.97 грн
100+6.68 грн
209+4.30 грн
573+4.07 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 bar66series.pdf
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
26+15.21 грн
50+10.86 грн
97+9.25 грн
266+8.79 грн
500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.36 грн
45+9.48 грн
100+8.33 грн
120+7.64 грн
325+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.76 грн
32+12.31 грн
42+9.30 грн
100+6.02 грн
194+4.63 грн
500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.46 грн
22+17.81 грн
28+13.91 грн
95+9.48 грн
261+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327.pdf
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
16+24.62 грн
50+21.02 грн
56+15.98 грн
154+15.14 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327.pdf
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.05 грн
17+23.16 грн
56+16.13 грн
153+15.21 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E-DTE.pdf
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2.8...76pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
26+15.21 грн
75+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327.pdf
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
21+19.04 грн
100+12.31 грн
116+7.72 грн
319+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.23 грн
32+12.16 грн
50+8.49 грн
100+7.49 грн
178+5.05 грн
487+4.82 грн
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.92 грн
9+47.25 грн
25+41.44 грн
26+35.78 грн
70+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.51 грн
15+61.92 грн
25+60.39 грн
41+58.10 грн
100+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF.pdf
IR1161LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -2.5...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF.pdf
IR11688STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF.pdf
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1 ICE5QRxxxxAx.pdf
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Power: 58/32W
Input voltage: 80...265V
Output current: 0.4A
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Breakdown voltage: 700V
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Operating voltage: 10...25.5V DC
Frequency: 20kHz
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.27 грн
13+69.57 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.70 грн
25+20.64 грн
52+17.17 грн
143+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB.pdf
BTS50055-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.72 грн
4+294.33 грн
9+278.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB.pdf
BTS50080-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Supply voltage: 5.5...38V DC
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: THT
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.46 грн
3+298.92 грн
9+282.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327.pdf
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+10.70 грн
57+6.80 грн
65+5.96 грн
71+5.43 грн
100+5.05 грн
193+4.66 грн
529+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.75 грн
75+12.08 грн
205+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53.pdf
BCX53H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Power dissipation: 2W
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.63 грн
29+13.46 грн
85+10.52 грн
234+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.37 грн
80+11.93 грн
210+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.40 грн
17+22.55 грн
75+11.93 грн
206+11.31 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF description irlms2002pbf.pdf
IRLMS2002TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.63 грн
11+35.63 грн
51+17.58 грн
140+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.98 грн
12+33.48 грн
14+29.13 грн
50+21.56 грн
58+15.82 грн
159+14.91 грн
500+14.45 грн
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+397.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.99 грн
2+607.77 грн
5+574.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.70 грн
2+542.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.40 грн
8+124.61 грн
21+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100x201.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF.pdf
IRFB7434PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.65 грн
10+133.02 грн
11+86.39 грн
29+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL.pdf
TLF50201EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL.pdf
TLF50251EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.04 грн
5+185.77 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11.pdf
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Case: TSNP16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
DC supply current: 45mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 10dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11.pdf
BGT24MTR11E6327XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...26GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 150mA
Number of receivers: 1
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12.pdf
BGT24MTR12E6327XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Interface: SPI
Case: VQFN32
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Frequency: 24...24.25GHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
DC supply current: 210mA
Number of receivers: 2
Open-loop gain: 26dB
Number of transmitters: 1
Noise Figure: 12dB
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.03 грн
3+321.85 грн
8+304.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.27 грн
25+52.67 грн
38+23.62 грн
105+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.33 грн
5+214.82 грн
10+213.29 грн
12+202.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.42 грн
9+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.51 грн
10+40.90 грн
35+26.07 грн
95+24.62 грн
250+23.93 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1.pdf
BSP129H6906XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
25+36.39 грн
28+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF irs2304spbf.pdf
IRS2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.66 грн
5+112.38 грн
10+86.39 грн
29+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535-DTE.pdf
BB535E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; 2÷20pF
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2...20pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
25+15.44 грн
33+11.93 грн
100+7.57 грн
161+5.66 грн
443+5.35 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639_659.pdf
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 2.4...40pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
38+10.17 грн
75+7.91 грн
100+7.61 грн
216+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB837_BB857.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.45...7.2pF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: RF
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.27 грн
28+13.91 грн
86+10.63 грн
236+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2437 2438 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]