Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148588) > Сторінка 322 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ASP1251-I08T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-I12T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-I16T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-S07T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-W08T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257 Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-I16T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-S08T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-W08T Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MMT02TRP Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MSG06TRP Infineon Technologies IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MSM02TRP Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MTYPBF Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1211-A44NT Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1211-A80DT Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N40NT ASP1212-N40NT Infineon Technologies ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-PowerLFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 40-LQFN-CLIP (7x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N80NT ASP1212-N80NT Infineon Technologies ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8228G-10CRT CHL8228G-10CRT Infineon Technologies CHL8225G_8G_V1.12_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR GPU 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, GPU Core Power
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8228G-14CRT Infineon Technologies CHL8225G_8G_V1.12_6-21-13.pdf Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-10CRT CHL8328-10CRT Infineon Technologies IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-14CRT CHL8328-14CRT Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-16CRT CHL8328-16CRT Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-20CRT CHL8328-20CRT Infineon Technologies IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-24CRT CHL8328-24CRT Infineon Technologies IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-32CRT CHL8328-32CRT Infineon Technologies IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.97 грн
30+291.63 грн
120+244.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801f18416c3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 1.45mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.20 грн
30+304.80 грн
120+256.20 грн
510+209.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CS6XKSA1 IKY75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016388021f2616cf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/300ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.37 грн
30+432.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 ICL5102XUMA2 Infineon Technologies ICL5102.pdf Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.3MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Half-Bridge
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Voltage - Supply (Max): 18V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 ICL5102XUMA2 Infineon Technologies ICL5102.pdf Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.3MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Half-Bridge
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Voltage - Supply (Max): 18V
Part Status: Active
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.36 грн
10+134.24 грн
25+122.75 грн
100+103.28 грн
250+97.60 грн
500+94.17 грн
1000+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 84 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
10+33.56 грн
25+30.09 грн
100+24.69 грн
250+22.99 грн
500+21.97 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 1EDN8550BXTSA1 Infineon Technologies Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 84 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
10+33.56 грн
25+30.09 грн
100+24.69 грн
250+22.99 грн
500+21.97 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA1 2EDF7275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.00 грн
5000+29.79 грн
7500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1 Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
10+58.71 грн
100+45.66 грн
500+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU95R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c72ae5558d1 Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.97 грн
6000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 12498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.76 грн
10+69.42 грн
100+47.96 грн
500+34.24 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1 Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.75 грн
10+110.09 грн
100+76.51 грн
500+57.56 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.26 грн
10+143.04 грн
100+99.05 грн
500+75.31 грн
1000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7 Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+43.12 грн
100+31.72 грн
500+25.90 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 22455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+56.34 грн
100+41.05 грн
500+31.26 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO1 EVALM3102TTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-M3-102T_User_Manual-AN-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629491cef239b7 Description: EVAL BOARD FOR IMC102
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IMC102
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+377.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142094d378001a5 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2 IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7921c0d800bc Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.34 грн
10+514.42 грн
100+383.61 грн
500+340.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.77 грн
10+340.50 грн
100+275.86 грн
500+228.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.85 грн
10+281.33 грн
100+202.55 грн
500+158.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1 Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.56 грн
10+141.28 грн
100+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-I08T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-I12T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-I16T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-S07T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1251-W08T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-I16T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-S08T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1257-W08T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MMT02TRP IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MSG06TRP IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MSM02TRP IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3536MTYPBF IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1211-A44NT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1211-A80DT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N40NT ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf
ASP1212-N40NT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-PowerLFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 40-LQFN-CLIP (7x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N80NT ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf
ASP1212-N80NT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8228G-10CRT CHL8225G_8G_V1.12_6-21-13.pdf
CHL8228G-10CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR GPU 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, GPU Core Power
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8228G-14CRT CHL8225G_8G_V1.12_6-21-13.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-10CRT IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-10CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-14CRT IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-14CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-16CRT IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-16CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-20CRT IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-20CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-24CRT IR3536%2C38_CHL8326%2C28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-24CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, DDR, Intel VR12, AMD SVI, PVI
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-32CRT IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-32CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.97 грн
30+291.63 грн
120+244.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon-IKY40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801f18416c3
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 1.45mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.20 грн
30+304.80 грн
120+256.20 грн
510+209.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CS6XKSA1 Infineon-IKY75N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016388021f2616cf
IKY75N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/300ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.37 грн
30+432.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 ICL5102.pdf
ICL5102XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.3MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Half-Bridge
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Voltage - Supply (Max): 18V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 ICL5102.pdf
ICL5102XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL NO 16DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.3MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Half-Bridge
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 8.5V
Voltage - Supply (Max): 18V
Part Status: Active
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.36 грн
10+134.24 грн
25+122.75 грн
100+103.28 грн
250+97.60 грн
500+94.17 грн
1000+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f
1EDN7550BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 84 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
10+33.56 грн
25+30.09 грн
100+24.69 грн
250+22.99 грн
500+21.97 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8550BXTSA1 Infineon-1EDN7550B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635d9799ef264f
1EDN8550BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 84 V
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
10+33.56 грн
25+30.09 грн
100+24.69 грн
250+22.99 грн
500+21.97 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA1 Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060
2EDF7275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.00 грн
5000+29.79 грн
7500+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a
IPD95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1
IPD95R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
IPU95R3K7P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+58.71 грн
100+45.66 грн
500+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf
IPU95R2K0P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9
IPU95R1K2P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 Infineon-IPU95R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c72ae5558d1
IPU95R750P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
IPN95R3K7P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.97 грн
6000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c
IPN95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 12498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.76 грн
10+69.42 грн
100+47.96 грн
500+34.24 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a
IPD95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1 Infineon-IPD95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b5f422356d1
IPD95R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.75 грн
10+110.09 грн
100+76.51 грн
500+57.56 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.26 грн
10+143.04 грн
100+99.05 грн
500+75.31 грн
1000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon-IPN95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b2dacda55d7
IPN95R3K7P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 7836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.75 грн
10+43.12 грн
100+31.72 грн
500+25.90 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c
IPN95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 22455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+56.34 грн
100+41.05 грн
500+31.26 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO1 Infineon-EVAL-M3-102T_User_Manual-AN-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629491cef239b7
EVALM3102TTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMC102
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IMC102
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+377.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+252.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125C7ATMA2 Infineon-IPB65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142094d378001a5
IPB65R125C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2 Infineon-IPB65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e7921c0d800bc
IPB65R225C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
IPB65R045C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.34 грн
10+514.42 грн
100+383.61 грн
500+340.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA2 Infineon-IPB65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed001420483e2ab1788
IPB65R065C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.77 грн
10+340.50 грн
100+275.86 грн
500+228.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R095C7ATMA2 Infineon-IPB65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142092311ad00e6
IPB65R095C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.85 грн
10+281.33 грн
100+202.55 грн
500+158.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2 Infineon-IPB65R190C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142095ff92801d1
IPB65R190C7ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.56 грн
10+141.28 грн
100+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]