Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123044) > Сторінка 323 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF3717TRPBF-1 IRF3717TRPBF-1 Infineon Technologies IRF3717PbF-1_7-25-14.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1 IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPbF-1_10-16-14.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF-1 IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7904PbF-1_5-19-14.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048N Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048NB Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TADATMA2 BTS500101TADATMA2 Infineon Technologies BTS50010-1TA_rev1.2_12-5-17.pdf Description: IC PWR HIC-PROFET N-CH 1:1 TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.6mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 48A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P/PG-TO-263-7-10
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.02 грн
10+328.85 грн
25+304.06 грн
100+259.77 грн
250+250.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL132K0XMFN013 S25FL132K0XMFN013 Infineon Technologies S25FL116K,S25FL132K,S25FL164K.pdf Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XBHI033 S25FL032P0XBHI033 Infineon Technologies S25FL032P.pdf Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24BGA
Clock Frequency: 104 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Memory Organization: 4M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 5µs, 3ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Memory Format: FLASH
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+81.26 грн
25+77.55 грн
50+70.18 грн
100+67.71 грн
250+64.56 грн
500+61.26 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.58 грн
10+335.05 грн
100+271.01 грн
500+226.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2 IPI90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPI90R1K2C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a85db6ae5bb3 Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS 17P E8211 BFS 17P E8211 Infineon Technologies Description: RF TRANS NPN SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Frequency - Transition: 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 280mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17PE6752HTSA1 Infineon Technologies Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17WH6393XTSA1 BFS17WH6393XTSA1 Infineon Technologies Description: RF TRANS NPN SOT323-3
Part Status: Active
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Frequency - Transition: 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 280mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD450R12KE4PHOSA1 FD450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD450R12KE4P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b54a4ce416fd0 Description: IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15503.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIOAMA12040TOBO1 REFAUDIOAMA12040TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UserManual_ClassD_audio_MA120xxx_reference_boards-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169da3392a743bd Description: EVAL BOARD FOR MA12040
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 40W x 2 @ 4Ohm
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12040
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIODMA12040PTOBO1 REFAUDIODMA12040PTOBO1 Infineon Technologies Infineon-UserManual_ClassD_audio_MA120xxx_reference_boards-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169da3392a743bd Description: EVAL BOARD FOR MA12040P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 40W x 2 @ 4Ohm
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12040P
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4375.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.61 грн
10+384.52 грн
100+282.46 грн
500+235.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM008TOBO1 KITLGPWRBOM008TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e Description: EVAL POWER BOARD 250V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC10N65C3X1SA2 Infineon Technologies Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC10N65C3X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000R17IE4S4BOSA2 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1700V 1390A AG-PRIME3-1
Supplier Device Package: AG-PRIME3-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 6250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2TR Infineon Technologies Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: I²C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.45 грн
30+229.58 грн
120+191.55 грн
510+155.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3 Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.73 грн
30+202.94 грн
120+168.59 грн
510+134.56 грн
1020+133.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r140m1h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.32 грн
30+250.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.38 грн
30+223.94 грн
120+186.68 грн
510+150.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16DE2210XUMA1 TLE5109A16DE2210XUMA1 Infineon Technologies infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf Description: IC ANGLE SENSOR 5.0 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 5V
Linearity: ±0.1°
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-2
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 180°
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+147.38 грн
100+102.27 грн
500+77.87 грн
1000+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1 IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L_07A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454a0c9d515c Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE1200XUMA1 TLE5009A16DE1200XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE1210XUMA1 TLE5009A16DE1210XUMA1 Infineon Technologies infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.90 грн
5+334.15 грн
10+320.05 грн
25+284.68 грн
50+273.95 грн
100+264.13 грн
500+240.34 грн
1000+233.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALNLM0011DCTOBO1 EVALNLM0011DCTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011 Description: EVAL KIT NLM0011 W/O NFC READER
Supplied Contents: Board(s)
Type: Near Field Communication (NFC)
Frequency: 13.56MHz
For Use With/Related Products: NLM0011
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1956.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF60702ERVXUMA1 BTF60702ERVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-%20Infineon-BTF6070-2ERV-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e7e6e8c0667 Description: IC SWTCH HISIDE SMRT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5 ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-14-21
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+149.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
111-3046PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFC04TRP Infineon Technologies Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP Infineon Technologies Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4143BPBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR CTLR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3596MMT05TRP Infineon Technologies Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4144PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4164PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3040PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3045PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4145PBF Infineon Technologies Description: IC GATE DRVR SMD
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4146PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4142BPBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR CTLR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3060PBF Infineon Technologies Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1EDC20H12AHSIC EVAL1EDC20H12AHSIC Infineon Technologies Infineon-AN_2017-14_Evaluation_Board_EVAL-1EDx20H12AH-SIC-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401601333aa6e192d Description: EVAL BD 1EDC20H12AH IMZ120R045M1
Function: Gate Driver
Packaging: Box
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Type: Power Management
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.52 грн
30+623.90 грн
120+537.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC223L16F133NACKXUMA1 TC223L16F133NACKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC21x22x_AC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695304b96c03ac Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.06 грн
10+740.24 грн
25+690.78 грн
100+597.27 грн
250+591.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC212L8F133NACKXUMA1 TC212L8F133NACKXUMA1 Infineon Technologies infineon-tc21x22x-ac-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 80TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 80-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC222L16F133NACKXUMA1 TC222L16F133NACKXUMA1 Infineon Technologies infineon-aurix-tc2xx-addendum-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 80TQFP
RAM Size: 96K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 133MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-TQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-80-7
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 96K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.24 грн
10+725.69 грн
25+676.87 грн
100+584.91 грн
250+578.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC224L16F133NACKXUMA1 TC224L16F133NACKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC21x22x_AC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695304b96c03ac Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 144TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 120
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-27
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 96K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 96K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 133MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.23 грн
10+751.51 грн
25+701.76 грн
100+607.21 грн
250+582.74 грн
500+567.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC234TFTTOBO1 KITAURIXTC234TFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c Description: EVAL TC234 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC234
Platform: AURIX
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19877.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUXVNGP4062D-E Infineon Technologies Description: IC DISCRETE
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHKGP4062D-E Infineon Technologies Description: IC DISCRETE
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXEC0368STRL Infineon Technologies Description: IC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
64-4073PBF Infineon Technologies Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717TRPBF-1 IRF3717PbF-1_7-25-14.pdf
IRF3717TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1 IRF7331TRPbF-1_10-16-14.pdf
IRF7331TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF-1 IRF7904PbF-1_5-19-14.pdf
IRF7904TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048N
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC048NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TADATMA2 BTS50010-1TA_rev1.2_12-5-17.pdf
BTS500101TADATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR HIC-PROFET N-CH 1:1 TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.6mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 48A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P/PG-TO-263-7-10
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.02 грн
10+328.85 грн
25+304.06 грн
100+259.77 грн
250+250.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL132K0XMFN013 S25FL116K,S25FL132K,S25FL164K.pdf
S25FL132K0XMFN013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XBHI033 S25FL032P.pdf
S25FL032P0XBHI033
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24BGA
Clock Frequency: 104 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Memory Organization: 4M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 5µs, 3ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Memory Format: FLASH
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+81.26 грн
25+77.55 грн
50+70.18 грн
100+67.71 грн
250+64.56 грн
500+61.26 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
IPB90R340C3ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+214.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
IPB90R340C3ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.58 грн
10+335.05 грн
100+271.01 грн
500+226.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R1K2C3XKSA2 Infineon-IPI90R1K2C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a85db6ae5bb3
IPI90R1K2C3XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFS 17P E8211
BFS 17P E8211
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Frequency - Transition: 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 280mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17PE6752HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17WH6393XTSA1
BFS17WH6393XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN SOT323-3
Part Status: Active
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Frequency - Transition: 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 280mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD450R12KE4PHOSA1 Infineon-FD450R12KE4P-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b54a4ce416fd0
FD450R12KE4PHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15503.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIOAMA12040TOBO1 Infineon-UserManual_ClassD_audio_MA120xxx_reference_boards-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169da3392a743bd
REFAUDIOAMA12040TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA12040
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 40W x 2 @ 4Ohm
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12040
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIODMA12040PTOBO1 Infineon-UserManual_ClassD_audio_MA120xxx_reference_boards-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169da3392a743bd
REFAUDIODMA12040PTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA12040P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 40W x 2 @ 4Ohm
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12040P
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4375.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1 Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7
IPB156N22NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.61 грн
10+384.52 грн
100+282.46 грн
500+235.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098
IPT029N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM008TOBO1 Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e
KITLGPWRBOM008TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL POWER BOARD 250V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC10N65C3X1SA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC10N65C3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000R17IE4S4BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1390A AG-PRIME3-1
Supplier Device Package: AG-PRIME3-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 6250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: I²C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+418.45 грн
30+229.58 грн
120+191.55 грн
510+155.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.73 грн
30+202.94 грн
120+168.59 грн
510+134.56 грн
1020+133.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1 infineon-imz120r140m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R140M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1 infineon-imz120r220m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R220M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.32 грн
30+250.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.38 грн
30+223.94 грн
120+186.68 грн
510+150.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109A16DE2210XUMA1 infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf
TLE5109A16DE2210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANGLE SENSOR 5.0 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 5V
Linearity: ±0.1°
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-16-2
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 180°
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf
IAUA200N04S5N010AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.57 грн
10+147.38 грн
100+102.27 грн
500+77.87 грн
1000+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_07A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d454a0c9d515c
IPG20N04S4L07AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE1200XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
TLE5009A16DE1200XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE1210XUMA1 infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf
TLE5009A16DE1210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG SMD
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.90 грн
5+334.15 грн
10+320.05 грн
25+284.68 грн
50+273.95 грн
100+264.13 грн
500+240.34 грн
1000+233.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALNLM0011DCTOBO1 Infineon-Datasheet_NLM001x-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8aec20e81011
EVALNLM0011DCTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL KIT NLM0011 W/O NFC READER
Supplied Contents: Board(s)
Type: Near Field Communication (NFC)
Frequency: 13.56MHz
For Use With/Related Products: NLM0011
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1956.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF60702ERVXUMA1 Infineon-%20Infineon-BTF6070-2ERV-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e7e6e8c0667
BTF60702ERVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SWTCH HISIDE SMRT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5 ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-14-21
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+149.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
111-3046PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFC04TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4143BPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR CTLR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3596MMT05TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4144PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4164PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3040PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3045PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4145PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR SMD
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4146PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4142BPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR CTLR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-3060PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1EDC20H12AHSIC Infineon-AN_2017-14_Evaluation_Board_EVAL-1EDx20H12AH-SIC-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401601333aa6e192d
EVAL1EDC20H12AHSIC
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BD 1EDC20H12AH IMZ120R045M1
Function: Gate Driver
Packaging: Box
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Type: Power Management
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e
IMZ120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1058.52 грн
30+623.90 грн
120+537.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC223L16F133NACKXUMA1 Infineon-TC21x22x_AC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695304b96c03ac
TC223L16F133NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+974.06 грн
10+740.24 грн
25+690.78 грн
100+597.27 грн
250+591.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC212L8F133NACKXUMA1 infineon-tc21x22x-ac-datasheet-en.pdf
TC212L8F133NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 80TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 80-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 133MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 96K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC222L16F133NACKXUMA1 infineon-aurix-tc2xx-addendum-datasheet-en.pdf
TC222L16F133NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 80TQFP
RAM Size: 96K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 133MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-TQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-80-7
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 96K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+956.24 грн
10+725.69 грн
25+676.87 грн
100+584.91 грн
250+578.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC224L16F133NACKXUMA1 Infineon-TC21x22x_AC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695304b96c03ac
TC224L16F133NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 144TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 120
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-27
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 24x12b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 96K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 96K x 8
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
Speed: 133MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+987.23 грн
10+751.51 грн
25+701.76 грн
100+607.21 грн
250+582.74 грн
500+567.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC234TFTTOBO1 Infineon-KIT_AURIX_TC224_TFT-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c85c5843a7f4c
KITAURIXTC234TFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL TC234 TFT AURIX
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC234
Platform: AURIX
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19877.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUXVNGP4062D-E
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHKGP4062D-E
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXEC0368STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
64-4073PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]