Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149793) > Сторінка 423 з 2497

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB200N15N3 IPB200N15N3 Infineon Technologies Infineon-IPB200N15N3%20G-DS-v02_07-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff59230602dbb Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3G IPB200N15N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001300200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI200N15N3 G IPI200N15N3 G Infineon Technologies IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-1EKB Infineon Technologies INFNS19104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS5016 - PROFET - SMART HIGH SI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50161EKBXUMA1 BTS50161EKBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5016-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a7a3d1131 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 94116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9872QXA40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9872QXA40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274dd77260174e8c790ce34a8 Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Controller Series: TLE987x
Program Memory Type: FLASH (256kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.35 грн
10+407.77 грн
25+377.48 грн
100+322.94 грн
250+308.02 грн
500+299.02 грн
1000+286.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS781GP Infineon Technologies Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFDFKSA1 Infineon Technologies IPW65R660CFD_2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2efe7ac539b4 Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
IM818MCCXKMA1 IM818MCCXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM818-MCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e91e3c2e9e Description: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Active
Current: 16 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2797.14 грн
14+1922.08 грн
112+1766.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21470AUMA1 TDA21470AUMA1 Infineon Technologies LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf Description: IC INTEG PWR STAGES IQFN-39
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Integrated Power Stages
Supplier Device Package: PG-IQFN-39
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+173.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21470AUMA1 TDA21470AUMA1 Infineon Technologies LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf Description: IC INTEG PWR STAGES IQFN-39
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Integrated Power Stages
Supplier Device Package: PG-IQFN-39
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.35 грн
10+235.07 грн
25+216.44 грн
100+183.93 грн
250+174.77 грн
500+169.25 грн
1000+162.01 грн
2500+157.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPFC5KIKWWR5SYSTOBO1 EVALPFC5KIKWWR5SYSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-PFC5KIKWWR5SYS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f986f0b708d4 Description: EVAL BOARD FOR IKW40N65WR5
Packaging: Bulk
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IKW40N65WR5, IDW60C65D1, 1ED44175
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 180 ~ 264VAC Input
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2 IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA80R460CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c79199ef1e55 Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.17 грн
50+109.14 грн
100+99.71 грн
500+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.04 грн
10+66.66 грн
100+44.23 грн
500+32.49 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX3746DDQSM1383XUMA1 Infineon Technologies Description: LED PX3746DDQSM1383XUMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064P0XBHV020 S25FL064P0XBHV020 Infineon Technologies Infineon-S25FL064P_64-Mbit_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed4dcb1535c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT 104MHZ 24BGA
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fda2c4bd0569 Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164LM-16F20F BA SAF-XC164LM-16F20F BA Infineon Technologies XC164LM.pdf Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Number of I/O: 47
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164LM-16F40F BA SAF-XC164LM-16F40F BA Infineon Technologies XC164LM.pdf Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5020-1EKA Infineon Technologies INFNS29317-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BTS5020 - PROFET - SMART HIGH SI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF-1 IRF8714TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8714PbF-1_11-22-13.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N20KHPSA1 DD261N20KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0 Description: DIODE MODULE GP 2000V 260A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND261N20KHPSA1 Infineon Technologies ND261N.pdf Description: DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 ITS42K5DLDFXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 TSON10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 2.5Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 42V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 250mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 125425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.65 грн
10+81.38 грн
25+73.98 грн
100+61.72 грн
250+58.06 грн
500+55.85 грн
1000+53.14 грн
2500+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QTW40XUMA1 TLE9877QTW40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9877QTW40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274dd77260174e8c7597b349c Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 5x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5.5V ~ 27V
Connectivity: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+268.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUXUMA1 TLE9012AQUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER 12CELL
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Cells: 12
Function: Battery Balancer
Interface: UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3742MTRPBF IR3742MTRPBF Infineon Technologies ir3742.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d130ac1798 Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 20A 17QFN
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 7.5V
Rds On (Typ): 4mOhm LS, 8mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 20A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 1V ~ 21V
Supplier Device Package: 17-PQFN (5x6)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10N IPD12CN10N Infineon Technologies Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LG IPP12CN10LG Infineon Technologies INFNS16594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
512+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 512
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUXUMA1 TLE9012AQUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER 12CELL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Cells: 12
Function: Battery Balancer
Interface: UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N08NM5ATMA1 IPTC014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC014N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519d1c32535 Description: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+214.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N08NM5ATMA1 IPTC014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC014N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519d1c32535 Description: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.78 грн
10+304.99 грн
100+247.84 грн
500+225.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003614947-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKW04N120FKSA1 Infineon Technologies Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38620/2SOA PBL38620/2SOA Infineon Technologies PBL38620,2 v2.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE PDSO-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 2.8mA
Supplier Device Package: PG-DSO-24-8
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+312.63 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 BAR6305WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
6000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 BAR6702VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR67-02V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcc0e8f30749 Description: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+7.13 грн
9000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 BAR6305E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6704E6327HTSA1 BAR6704E6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF DIODE PIN 150V 250MW PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 440107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2732+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9C1MN9E6327XTSA1 BGA9C1MN9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9C1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cdd580567 Description: IC RF AMP 5G 4.4GHZ-5GHZ TSNP9-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.4GHz ~ 5GHz
RF Type: 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.6mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: 8dBm
Test Frequency: 4.9GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9C1MN9E6327XTSA1 BGA9C1MN9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9C1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cdd580567 Description: IC RF AMP 5G 4.4GHZ-5GHZ TSNP9-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.4GHz ~ 5GHz
RF Type: 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.6mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: 8dBm
Test Frequency: 4.9GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9V1MN9E6327XTSA1 BGA9V1MN9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9V1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cd4590564 Description: IC AMP 4G/5G 3.3-4.2GHZ TSNP9-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 22.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 0.75dB
P1dB: 7dbm
Test Frequency: 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9V1MN9E6327XTSA1 BGA9V1MN9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9V1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cd4590564 Description: IC AMP 4G/5G 3.3-4.2GHZ TSNP9-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 22.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 0.75dB
P1dB: 7dbm
Test Frequency: 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.57 грн
10+64.51 грн
25+58.04 грн
100+46.86 грн
250+42.73 грн
500+40.02 грн
1000+37.02 грн
5000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 915N7 E6327 BGA 915N7 E6327 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSNP7-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.5dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -5dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000110237-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 75A, 650V, N-CHANNEL
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 BAT1707E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT17-07-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcca5b420773 Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.98 грн
6000+9.33 грн
9000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.50 грн
9000+3.30 грн
15000+2.89 грн
21000+2.77 грн
30000+2.65 грн
75000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301-T038F0032AAXUMA1 XMC1301-T038F0032AAXUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003614666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT MCU XMC1000 ARM CORTEX-M0
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbf0d7a71f8 Description: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5243.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 TLI4971A025T5UE0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SEN HE/OL 25A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.57 грн
5+239.28 грн
10+228.94 грн
25+203.21 грн
50+195.24 грн
100+187.93 грн
500+170.41 грн
1000+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL373SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL373SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3G Infineon Technologies Description: IPD038N06N3G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.44 грн
10+80.74 грн
100+58.12 грн
500+49.30 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3 Infineon-IPB200N15N3%20G-DS-v02_07-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff59230602dbb
IPB200N15N3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3G INFN-S-A0001300200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB200N15N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI200N15N3 G IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPI200N15N3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016-1EKB INFNS19104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS5016 - PROFET - SMART HIGH SI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50161EKBXUMA1 Infineon-BTS5016-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a7a3d1131
BTS50161EKBXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 94116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9872QXA40XUMA1 Infineon-TLE9872QXA40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274dd77260174e8c790ce34a8
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Controller Series: TLE987x
Program Memory Type: FLASH (256kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.35 грн
10+407.77 грн
25+377.48 грн
100+322.94 грн
250+308.02 грн
500+299.02 грн
1000+286.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GX120DN2BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS781GP
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFD_2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f29829e012f2efe7ac539b4
IPW65R660CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
IM818MCCXKMA1 Infineon-IM818-MCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e91e3c2e9e
IM818MCCXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Active
Current: 16 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2797.14 грн
14+1922.08 грн
112+1766.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21470AUMA1 LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf
TDA21470AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTEG PWR STAGES IQFN-39
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Integrated Power Stages
Supplier Device Package: PG-IQFN-39
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+173.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21470AUMA1 LatestGeneration_IntegratedPwrStages_25V_PB_v01_3-21-16.pdf
TDA21470AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTEG PWR STAGES IQFN-39
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Integrated Power Stages
Supplier Device Package: PG-IQFN-39
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.35 грн
10+235.07 грн
25+216.44 грн
100+183.93 грн
250+174.77 грн
500+169.25 грн
1000+162.01 грн
2500+157.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPFC5KIKWWR5SYSTOBO1 Infineon-EVAL-PFC5KIKWWR5SYS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f986f0b708d4
EVALPFC5KIKWWR5SYSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IKW40N65WR5
Packaging: Bulk
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IKW40N65WR5, IDW60C65D1, 1ED44175
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 180 ~ 264VAC Input
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2 Infineon-IPA80R460CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c79199ef1e55
IPA80R460CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.17 грн
50+109.14 грн
100+99.71 грн
500+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7004E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
IPD60R600PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.04 грн
10+66.66 грн
100+44.23 грн
500+32.49 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PX3746DDQSM1383XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX3746DDQSM1383XUMA1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064P0XBHV020 Infineon-S25FL064P_64-Mbit_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed4dcb1535c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064P0XBHV020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT 104MHZ 24BGA
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA1 Infineon-IAUT165N08S5N029-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fda2c4bd0569
IAUT165N08S5N029ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164LM-16F20F BA XC164LM.pdf
SAF-XC164LM-16F20F BA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Number of I/O: 47
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164LM-16F40F BA XC164LM.pdf
SAF-XC164LM-16F40F BA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5020-1EKA INFNS29317-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS5020 - PROFET - SMART HIGH SI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF-1 IRF8714PbF-1_11-22-13.pdf
IRF8714TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N20KHPSA1 Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0
DD261N20KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 2000V 260A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND261N20KHPSA1 ND261N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a
ITS42K5DLDFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 TSON10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 2.5Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 42V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 250mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 125425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.65 грн
10+81.38 грн
25+73.98 грн
100+61.72 грн
250+58.06 грн
500+55.85 грн
1000+53.14 грн
2500+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9877QTW40XUMA1 Infineon-TLE9877QTW40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274dd77260174e8c7597b349c
TLE9877QTW40XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 5x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5.5V ~ 27V
Connectivity: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+268.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9012AQUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER 12CELL
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Cells: 12
Function: Battery Balancer
Interface: UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3742MTRPBF ir3742.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d130ac1798
IR3742MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 20A 17QFN
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 7.5V
Rds On (Typ): 4mOhm LS, 8mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 20A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 1V ~ 21V
Supplier Device Package: 17-PQFN (5x6)
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10N Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
IPD12CN10N
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LG INFNS16594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP12CN10LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
512+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 512
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9012AQUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER 12CELL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Cells: 12
Function: Battery Balancer
Interface: UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC014N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519d1c32535
IPTC014N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+214.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC014N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519d1c32535
IPTC014N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.78 грн
10+304.99 грн
100+247.84 грн
500+225.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPAATMA1 INFN-S-A0003614947-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R299CPAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKW04N120FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38620/2SOA PBL38620,2 v2.pdf
PBL38620/2SOA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE PDSO-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Concept (SLIC)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 2.8mA
Supplier Device Package: PG-DSO-24-8
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+312.63 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6305WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.67 грн
6000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 Infineon-BAR67-02V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcc0e8f30749
BAR6702VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.64 грн
6000+7.13 грн
9000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6305E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6704E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BAR6704E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 150V 250MW PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 150V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 440107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2732+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9C1MN9E6327XTSA1 Infineon-BGA9C1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cdd580567
BGA9C1MN9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP 5G 4.4GHZ-5GHZ TSNP9-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.4GHz ~ 5GHz
RF Type: 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.6mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: 8dBm
Test Frequency: 4.9GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9C1MN9E6327XTSA1 Infineon-BGA9C1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cdd580567
BGA9C1MN9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP 5G 4.4GHZ-5GHZ TSNP9-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 4.4GHz ~ 5GHz
RF Type: 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.6mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: 8dBm
Test Frequency: 4.9GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9V1MN9E6327XTSA1 Infineon-BGA9V1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cd4590564
BGA9V1MN9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP 4G/5G 3.3-4.2GHZ TSNP9-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 22.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 0.75dB
P1dB: 7dbm
Test Frequency: 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9V1MN9E6327XTSA1 Infineon-BGA9V1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97cd4590564
BGA9V1MN9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP 4G/5G 3.3-4.2GHZ TSNP9-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 22.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 0.75dB
P1dB: 7dbm
Test Frequency: 3.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.57 грн
10+64.51 грн
25+58.04 грн
100+46.86 грн
250+42.73 грн
500+40.02 грн
1000+37.02 грн
5000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 915N7 E6327 Part_Number_Guide_Web.pdf
BGA 915N7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSNP7-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.5dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -5dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R07W2H3B51BOMA1 INFN-S-A0000110237-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 75A, 650V, N-CHANNEL
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 Infineon-BAT17-07-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcca5b420773
BAT1707E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Diode Type: Schottky - 2 Independent
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.98 грн
6000+9.33 грн
9000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
6000+3.50 грн
9000+3.30 грн
15000+2.89 грн
21000+2.77 грн
30000+2.65 грн
75000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914
BSC0925NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301-T038F0032AAXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
XMC1301-T038F0032AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT MCU XMC1000 ARM CORTEX-M0
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon-FP35R12W2T4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfbbf0d7a71f8
FP35R12W2T4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5243.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971_25_50_75_120-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A025T5UE0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SEN HE/OL 25A PG-TISON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Unidirectional
Sensitivity: 48mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 240kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 250ns
Sensor Type: Hall Effect, Open Loop
Linearity: ±2.25%
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 25A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.57 грн
5+239.28 грн
10+228.94 грн
25+203.21 грн
50+195.24 грн
100+187.93 грн
500+170.41 грн
1000+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL373SNH6327XTSA1 BSL373SN.pdf
BSL373SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1731+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD038N06N3G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf
BSZ096N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf
BSZ096N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.44 грн
10+80.74 грн
100+58.12 грн
500+49.30 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]