Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126755) > Сторінка 453 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 448 449 450 451 452 453 454 455 456 457 458 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW65R060CFD7XKSA1 IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0173093f43b74492 Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R600PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd749ad343d86 Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+62.92 грн
50+46.90 грн
100+39.14 грн
500+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM323L6GXKMA1 IM323L6GXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM323-L6G_IM323-L6G2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f548423c34ff2 Description: IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Active
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module, Offset Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1 BSC0303LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0303LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c768685d0d25 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2361E136F128LRAAKXQMA1 XC2361E136F128LRAAKXQMA1 Infineon Technologies Infineon-xc236[17]e-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e0133405dda741ce6 Description: IC MCU 16BIT 100LQFP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 98K x 8
Program Memory Size: 1.06MB (1.06M x 8)
Speed: 128MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 75
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: C166SV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA825L6SE6327XTSA1 BGA825L6SE6327XTSA1 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-3
Test Frequency: 1.575GHz
P1dB: -10dBm
Noise Figure: 0.6dB
Current - Supply: 4.8mA
Gain: 17dB
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
RF Type: GPS
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TSLP-6-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15MU14E6327XTSA1 BGS15MU14E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS15MU14-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da3c4903223f Description: IC RF SWITCH SP5T 6GHZ ULGA14-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-ULGA-14-1
Isolation: 48dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.05dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: General Purpose
Circuit: SP5T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 14-UFLGA Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15MU14E6327XTSA1 BGS15MU14E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS15MU14-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da3c4903223f Description: IC RF SWITCH SP5T 6GHZ ULGA14-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-ULGA-14-1
Isolation: 48dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.05dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: General Purpose
Circuit: SP5T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 14-UFLGA Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS17GA14E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS17GA14-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543e0604064759 Description: IC RF SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1065 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBL386212QNA Infineon Technologies ERICS00541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR SLIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Circuit
Interface: 2-Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 2.8mA
Supplier Device Package: P/PG-LCC-28-3
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+126.51 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38621/2QNT-INF Infineon Technologies Description: SLIC, BIPOLAR, PQCC28
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38621/2QNT Infineon Technologies INFNS17910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PBL38621/2 - FLEXISLIC, SUBSCRIB
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Circuit
Interface: 2-Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 4mA
Supplier Device Package: 28-PLCC
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 1.5 W
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+534.24 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5B IDW40G65C5B Infineon Technologies Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 BGT60TR13CE6327XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43 Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 119-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 57GHz ~ 64GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 14.5dBm
Protocol: LTE
Current - Receiving: 428mA ~ 635mA
Data Rate (Max): 100Mbps
Current - Transmitting: 550mA
Supplier Device Package: PG-WFWLB-119-1
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Cellular
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Output Type: Digital
Sensor Type: Radar Sensor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+861.86 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 BGT60TR13CE6327XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43 Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 119-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 57GHz ~ 64GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 14.5dBm
Protocol: LTE
Current - Receiving: 428mA ~ 635mA
Data Rate (Max): 100Mbps
Current - Transmitting: 550mA
Supplier Device Package: PG-WFWLB-119-1
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Cellular
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Output Type: Digital
Sensor Type: Radar Sensor
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1367.01 грн
10+1146.87 грн
25+1088.11 грн
100+945.45 грн
250+900.16 грн
500+877.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOFHPSA1 TZ500N16KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TZ500N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f8a294c21 Description: SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 17A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 669 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13328.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N14KOFHPSA1 TZ500N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ500N.pdf Description: SCR MODULE 1.4KV 1050A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 17A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 669 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N14KOFHPSA1 TZ600N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ600N.pdf Description: SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGED111TRC2SLTOBO1 REFFRIDGED111TRC2SLTOBO1 Infineon Technologies infineon-ikd04n60rc2-datasheet-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR IMD111T-6F040
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: IMD111T-6F040, IKD04N60RC2
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: Compressor
Embedded: Yes, MCU
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17940.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49645TBXALA1 TLV49645TBXALA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001301455-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR TO92S
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 26V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: TO-92S
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49631MXTSA1 TLI49631MXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4963-1M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edce0c27c7 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: 3.5mT Trip, -3.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
15+20.46 грн
25+17.83 грн
50+16.91 грн
100+16.08 грн
500+14.18 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLS Infineon Technologies EUPCS00266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 3120 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9235.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ed65b827fd Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM69D127V11FLEXTOBO1 KITIM69D127V11FLEXTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD FOR IM69D127V11
Packaging: Bulk
Function: MEMS Omnidirectional Microphones
Type: Audio
Utilized IC / Part: IM69D127V11
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Digital Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2081.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFX2931GV33 IFX2931GV33 Infineon Technologies INFNS16937-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR FIXED POS LDO REG
Current - Supply (Max): 15 mA
Protection Features: Antisaturation, Mirror-Image Insertion, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 100mA
PSRR: 80dB (120Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 26V
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1648+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 1648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEV33 IFX8117MEV33 Infineon Technologies INFNS15203-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1501+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 1501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4954CE4807BAMA1 Infineon Technologies 001651793.pdf Description: SPEED & CURRENT SENSORS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV 99 E6433 BAV 99 E6433 Infineon Technologies bav99series.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP06P008NSATMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET P-CH SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+98.73 грн
100+66.47 грн
500+49.42 грн
1000+45.25 грн
2000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBF IRFI7446GPBF Infineon Technologies irfi7446gpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588 Description: MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588 Description: MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+72.69 грн
100+56.63 грн
500+43.90 грн
1000+34.66 грн
2000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF4949EJ TLF4949EJ Infineon Technologies Infineon-TLF4949-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159fa03ca8d3f29 Description: IC REG LINEAR VOLT TLF4949
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF083N03LQG Infineon Technologies INFNS15764-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LSG BSC205N10LSG Infineon Technologies INFNS16205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025SG BSC029N025SG Infineon Technologies INFNS13651-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC886N03LS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327 BAS70E6327 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 107857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3893+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+177.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+308.94 грн
50+244.37 грн
100+209.84 грн
500+196.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1706WE6327 BAT1706WE6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2834+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 2834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N14KOFHPSA2 TT162N14KOFHPSA2 Infineon Technologies Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5 Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10545.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI012 CY25404ZXI012 Infineon Technologies Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe Description: IC CLOCK GENERATOR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+915.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI011 CY25404ZXI011 Infineon Technologies Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe Description: IC CLOCK GENERATOR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+699.63 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 Infineon Technologies Infineon-BGT60LTR11(S)AIP-DataSheet-v02_61-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017cb7b72ee5268e Description: IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 42UF2BGA
Protocol: ISM
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM > 1GHz
Supplier Device Package: PG-UF2BGA-42
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5V
Type: TxRx + MCU
Frequency: 60GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 42-BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 Infineon Technologies Infineon-BGT60LTR11(S)AIP-DataSheet-v02_61-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017cb7b72ee5268e Description: IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 42UF2BGA
Protocol: ISM
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5V
Type: TxRx + MCU
Frequency: 60GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 42-BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM > 1GHz
Supplier Device Package: PG-UF2BGA-42
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.18 грн
10+620.93 грн
25+588.25 грн
100+509.93 грн
250+484.71 грн
500+466.91 грн
1000+442.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBGT60LTR11AIPTOBO1 SHIELDBGT60LTR11AIPTOBO1 Infineon Technologies ProductSelectionGuide_v00_01_EN.pdf Description: EVAL BOARD FOR BGT60LTR11AIP
Part Status: Active
Platform: Arduino MKR
Utilized IC / Part: BGT60LTR11AIP
Contents: Board(s)
Type: Sensor
Function: Radar
Packaging: Bulk
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2330.42 грн
10+2238.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
94-3250 94-3250 Infineon Technologies IRF6604.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601 IRF6601 Infineon Technologies irf6601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602 IRF6602 Infineon Technologies irf6602.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR521E6327 BCR521E6327 Infineon Technologies INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U50N16W1RP_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fb22db1fb79c4 Description: IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2991.72 грн
30+1906.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV50BOARDTOBO1 TLS850C2TEV50BOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Z8F66743815_TLS850C2TEVxx_Demoboard-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc74390177fd55e7960c41 Description: TLS850C2TE V50 BOARD
Part Status: Active
Channels per IC: 1 - Single
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLS850C2TEV50
Board Type: Fully Populated
Regulator Type: Positive Fixed
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Voltage - Output: 5V
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4269.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0173093f43b74492
IPW65R060CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R600PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd749ad343d86
IPLK60R600PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
IAUC41N06S5N102ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
IAUC41N06S5N102ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.87 грн
10+62.92 грн
50+46.90 грн
100+39.14 грн
500+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM323L6GXKMA1 Infineon-IM323-L6G_IM323-L6G2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f548423c34ff2
IM323L6GXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Active
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module, Offset Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1 Infineon-BSC0303LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c768685d0d25
BSC0303LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC2361E136F128LRAAKXQMA1 Infineon-xc236[17]e-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e0133405dda741ce6
XC2361E136F128LRAAKXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 100LQFP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 98K x 8
Program Memory Size: 1.06MB (1.06M x 8)
Speed: 128MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 75
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: C166SV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA825L6SE6327XTSA1 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA825L6SE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 1.55-1.615GHZ TSLP6-3
Test Frequency: 1.575GHz
P1dB: -10dBm
Noise Figure: 0.6dB
Current - Supply: 4.8mA
Gain: 17dB
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
RF Type: GPS
Frequency: 1.55GHz ~ 1.615GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TSLP-6-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15MU14E6327XTSA1 Infineon-BGS15MU14-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da3c4903223f
BGS15MU14E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP5T 6GHZ ULGA14-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-ULGA-14-1
Isolation: 48dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.05dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: General Purpose
Circuit: SP5T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 14-UFLGA Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS15MU14E6327XTSA1 Infineon-BGS15MU14-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174da3c4903223f
BGS15MU14E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP5T 6GHZ ULGA14-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-ULGA-14-1
Isolation: 48dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.05dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: General Purpose
Circuit: SP5T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 14-UFLGA Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS17GA14E6327XTSA1 Infineon-BGS17GA14-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543e0604064759
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1065+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 1065 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBL386212QNA ERICS00541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR SLIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Circuit
Interface: 2-Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 2.8mA
Supplier Device Package: P/PG-LCC-28-3
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+126.51 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38621/2QNT-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SLIC, BIPOLAR, PQCC28
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBL38621/2QNT INFNS17910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PBL38621/2 - FLEXISLIC, SUBSCRIB
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Subscriber Line Interface Circuit
Interface: 2-Wire
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Supply: 4mA
Supplier Device Package: 28-PLCC
Number of Circuits: 1
Power (Watts): 1.5 W
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+534.24 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5B Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1
IDW40G65C5B
Виробник: Infineon Technologies
Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43
BGT60TR13CE6327XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 119-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 57GHz ~ 64GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 14.5dBm
Protocol: LTE
Current - Receiving: 428mA ~ 635mA
Data Rate (Max): 100Mbps
Current - Transmitting: 550mA
Supplier Device Package: PG-WFWLB-119-1
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Cellular
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Output Type: Digital
Sensor Type: Radar Sensor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+861.86 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60TR13CE6327XUMA1 Infineon-BGT60TR13CDataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d94bac88e5d43
BGT60TR13CE6327XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 119-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 57GHz ~ 64GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 14.5dBm
Protocol: LTE
Current - Receiving: 428mA ~ 635mA
Data Rate (Max): 100Mbps
Current - Transmitting: 550mA
Supplier Device Package: PG-WFWLB-119-1
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Cellular
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Output Type: Digital
Sensor Type: Radar Sensor
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1367.01 грн
10+1146.87 грн
25+1088.11 грн
100+945.45 грн
250+900.16 грн
500+877.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOFHPSA1 Infineon-TZ500N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f8a294c21
TZ500N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 17A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 669 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13328.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N14KOFHPSA1 TZ500N.pdf
TZ500N14KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.4KV 1050A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 17A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 669 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N14KOFHPSA1 TZ600N.pdf
TZ600N14KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 1050A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGED111TRC2SLTOBO1 infineon-ikd04n60rc2-datasheet-en.pdf
REFFRIDGED111TRC2SLTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMD111T-6F040
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: IMD111T-6F040, IKD04N60RC2
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: Compressor
Embedded: Yes, MCU
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17940.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49645TBXALA1 INFN-S-A0001301455-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLV49645TBXALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR TO92S
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 26V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, 2.8mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: TO-92S
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49631MXTSA1 Infineon-TLI4963-1M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edce0c27c7
TLI49631MXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: 3.5mT Trip, -3.5mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Function: Latch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.17 грн
15+20.46 грн
25+17.83 грн
50+16.91 грн
100+16.08 грн
500+14.18 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400GA170DLS EUPCS00266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 3120 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+9235.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 Infineon-I80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ed65b827fd
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM69D127V11FLEXTOBO1
KITIM69D127V11FLEXTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IM69D127V11
Packaging: Bulk
Function: MEMS Omnidirectional Microphones
Type: Audio
Utilized IC / Part: IM69D127V11
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Digital Output
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2081.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFX2931GV33 INFNS16937-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX2931GV33
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED POS LDO REG
Current - Supply (Max): 15 mA
Protection Features: Antisaturation, Mirror-Image Insertion, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 100mA
PSRR: 80dB (120Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 26V
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1648+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 1648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEV33 INFNS15203-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX8117MEV33
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1501+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 1501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4954CE4807BAMA1 001651793.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV 99 E6433 bav99series.pdf
BAV 99 E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP06P008NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+98.73 грн
100+66.47 грн
500+49.42 грн
1000+45.25 грн
2000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBF irfi7446gpbf.pdf
IRFI7446GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
338+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588
BSF030NE2LQXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588
BSF030NE2LQXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.05 грн
10+72.69 грн
100+56.63 грн
500+43.90 грн
1000+34.66 грн
2000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF4949EJ Infineon-TLF4949-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159fa03ca8d3f29
TLF4949EJ
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLF4949
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
737+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSF083N03LQG INFNS15764-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
717+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LSG INFNS16205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC205N10LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
662+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025SG INFNS13651-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC029N025SG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
402+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS_G.pdf
BSC886N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1205+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70E6327 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 107857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3893+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd
IPL65R130CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+177.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.34 грн
10+308.94 грн
50+244.37 грн
100+209.84 грн
500+196.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1706WE6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT1706WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2834+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 2834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N14KOFHPSA2 Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5
TT162N14KOFHPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10545.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI012 Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe
CY25404ZXI012
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+915.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI011 Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe
CY25404ZXI011
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+699.63 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 Infineon-BGT60LTR11(S)AIP-DataSheet-v02_61-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017cb7b72ee5268e
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 42UF2BGA
Protocol: ISM
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM > 1GHz
Supplier Device Package: PG-UF2BGA-42
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5V
Type: TxRx + MCU
Frequency: 60GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 42-BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2 Infineon-BGT60LTR11(S)AIP-DataSheet-v02_61-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017cb7b72ee5268e
BGT60LTR11AIPE6327XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 42UF2BGA
Protocol: ISM
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5V
Type: TxRx + MCU
Frequency: 60GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 42-BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM > 1GHz
Supplier Device Package: PG-UF2BGA-42
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.18 грн
10+620.93 грн
25+588.25 грн
100+509.93 грн
250+484.71 грн
500+466.91 грн
1000+442.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBGT60LTR11AIPTOBO1 ProductSelectionGuide_v00_01_EN.pdf
SHIELDBGT60LTR11AIPTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR BGT60LTR11AIP
Part Status: Active
Platform: Arduino MKR
Utilized IC / Part: BGT60LTR11AIP
Contents: Board(s)
Type: Sensor
Function: Radar
Packaging: Bulk
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2330.42 грн
10+2238.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
94-3250 IRF6604.pdf
94-3250
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601 irf6601.pdf
IRF6601
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602 irf6602.pdf
IRF6602
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR521E6327 INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR521E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon-DDB6U50N16W1RP_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fb22db1fb79c4
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2991.72 грн
30+1906.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850C2TEV50BOARDTOBO1 Infineon-Z8F66743815_TLS850C2TEVxx_Demoboard-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc74390177fd55e7960c41
TLS850C2TEV50BOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLS850C2TE V50 BOARD
Part Status: Active
Channels per IC: 1 - Single
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLS850C2TEV50
Board Type: Fully Populated
Regulator Type: Positive Fixed
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 3V ~ 40V
Voltage - Output: 5V
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4269.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 448 449 450 451 452 453 454 455 456 457 458 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]