Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123015) > Сторінка 483 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 478 479 480 481 482 483 484 485 486 487 488 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KITLGPWRBOM003TOBO1 KITLGPWRBOM003TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e Description: EVAL BOARD FOR IPT012N08N5
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Embedded: No
Primary Attributes: 48V Supply
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IPT012N08N5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3923.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.98 грн
10+234.09 грн
100+167.65 грн
500+152.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402T038X0032AAXUMA1 XMC1402T038X0032AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402T038X0032AAXUMA1 XMC1402T038X0032AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.65 грн
10+131.33 грн
25+120.08 грн
100+101.05 грн
250+95.51 грн
500+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: CONSUMER
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
10+33.95 грн
100+23.26 грн
500+16.74 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBF IRLR3802TRPBF Infineon Technologies irlr3802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d742526b5 Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8c943d7224 Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1039+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R3K4CEAKMA1 IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5dc2db339cc Description: CONSUMER PG-TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1061A IRAM136-1061A Infineon Technologies IRAM136-1061A.pdf Description: IGBT IPM 600V 12A 29-PWRSSIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 12 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4dca9be6ccd Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.28 грн
50+90.27 грн
100+81.34 грн
500+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.16 грн
5000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+91.04 грн
25+82.89 грн
100+69.39 грн
250+65.38 грн
500+62.97 грн
1000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250LEXUMA1 TLE9250LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14afa3f45977 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Receiver Hysteresis: 100 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250LEXUMA1 TLE9250LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14afa3f45977 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Receiver Hysteresis: 100 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+99.10 грн
25+93.51 грн
100+74.79 грн
250+70.22 грн
500+61.44 грн
1000+50.07 грн
2500+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12PT4PB26BOSA1 F3L300R12PT4PB26BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Bulk
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10858.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12PT4PB26BOSA1 F3L300R12PT4PB26BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3621MTR IR3621MTR Infineon Technologies IR3621%28PbF%29.pdf Description: IC REG CTRLR BUCK 32MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 500kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5.5V ~ 14.5V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Frequency Control, Power Good, Soft Start
Output Phases: 2
Duty Cycle (Max): 86.5%
Clock Sync: Yes
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 2
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.75 грн
10+180.66 грн
25+165.87 грн
100+140.43 грн
250+133.16 грн
500+128.79 грн
1000+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FHI023 S29GL512T10FHI023 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI020 S29GL512T10FAI020 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHA010 S29GL512T10DHA010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHA013 S29GL512T10DHA013 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI010 S29GL512T10FAI010 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA023 S29GL512T10TFA023 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI023 S29GL512T10FAI023 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA020 S29GL512T10TFA020 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHI023 S29GL512T10DHI023 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03S BSO119N03S Infineon Technologies BSO119N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03S BSO119N03S Infineon Technologies BSO119N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42742DV50ATMA2 TLE42742DV50ATMA2 Infineon Technologies introduction-to-automotive-linear-voltage-regulators-br-2014.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 400MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Fixed
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1 BSC014N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8 Description: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1 BSC014N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8 Description: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70BFM023 S29AL008J70BFM023 Infineon Technologies Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFA023 S29AL008J70TFA023 Infineon Technologies Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHSS50 S29GL256S10DHSS50 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5 Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 IPA90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.00 грн
10+270.65 грн
100+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL1503 IRLL1503 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537PBF IRFS7537PBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT700N22KOFHPSA1 TT700N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6 Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26057.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT700N22KOFHPSA1 TT700N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6 Description: THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T4771N22TOFXPSA1 T4771N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T4771N-DS-v09_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ffe5c4e94 Description: SCR MODULE 2900V 6820A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5212XUMA1 TDA5212XUMA1 Infineon Technologies TDA5212.pdf Description: RF RX ASK/FSK 902-928MHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Receiving: 5.4mA
Applications: RKE, Remote Control Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -109dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Infineon Technologies irfp4368pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 description Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJSXUMA2 TLE4254EJSXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+66.79 грн
25+60.53 грн
100+50.39 грн
250+47.32 грн
500+45.48 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJAXUMA2 TLE4254EJAXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+66.79 грн
25+60.53 грн
100+50.39 грн
250+47.32 грн
500+45.48 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHV010 S29GL01GT11FHV010 Infineon Technologies infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD208-B1-02ELSE6327 ESD208-B1-02ELSE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000321166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 14984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7493+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 7493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB91F467SAPMC-GS-N2K5E2 MB91F467SAPMC-GS-N2K5E2 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 176LQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB91F467TAPMC-GS-N2K5E2 MB91F467TAPMC-GS-N2K5E2 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 1.0625MB (1.0625M x 8)
RAM Size: 72K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: FR60 RISC
Data Converters: A/D 32x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 109
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY91F467CBPMCR-GS-UJE2 CY91F467CBPMCR-GS-UJE2 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S90TFA020 S29GL128S90TFA020 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S90TFA010 S29GL128S90TFA010 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJS TLE4254EJS Infineon Technologies Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: TLE4254 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJA TLE4254EJA Infineon Technologies Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: TLE4254 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60ATR24CE6327XTMA1 BGT60ATR24CE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BGT60ATR24C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ff9f022017ffec84fa40aa2 Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Sensor Type: Radar Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 145°C (TJ)
Output Type: Digital
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM003TOBO1 Infineon-UserManual_LVDSPD_low_voltage_drives_scalable_power_demonstration_board-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b58bda49538e
KITLGPWRBOM003TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IPT012N08N5
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Embedded: No
Primary Attributes: 48V Supply
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IPT012N08N5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3923.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7
IPT012N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+137.50 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08NF2SATMA1 Infineon-IPT012N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef4b081b20f7
IPT012N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.98 грн
10+234.09 грн
100+167.65 грн
500+152.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402T038X0032AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1402T038X0032AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402T038X0032AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1402T038X0032AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.65 грн
10+131.33 грн
25+120.08 грн
100+101.05 грн
250+95.51 грн
500+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
IPD50R950CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEAUMA1 Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
IPD50R950CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
10+33.95 грн
100+23.26 грн
500+16.74 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802TRPBF irlr3802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d742526b5
IRLR3802TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R1K0CEAKMA1 Infineon-IPS60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8c943d7224
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1039+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
IPS60R3K4CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon-IPS60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5dc2db339cc
IPS60R280PFD7SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1061A IRAM136-1061A.pdf
IRAM136-1061A
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 12A 29-PWRSSIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 12 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 Infineon-IGP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4dca9be6ccd
IGP30N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.28 грн
50+90.27 грн
100+81.34 грн
500+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.16 грн
5000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+91.04 грн
25+82.89 грн
100+69.39 грн
250+65.38 грн
500+62.97 грн
1000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250LEXUMA1 Infineon-TLE9250-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14afa3f45977
TLE9250LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Receiver Hysteresis: 100 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250LEXUMA1 Infineon-TLE9250-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14afa3f45977
TLE9250LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Receiver Hysteresis: 100 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.69 грн
10+99.10 грн
25+93.51 грн
100+74.79 грн
250+70.22 грн
500+61.44 грн
1000+50.07 грн
2500+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12PT4PB26BOSA1
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Bulk
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10858.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12PT4PB26BOSA1
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3621MTR IR3621%28PbF%29.pdf
IR3621MTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BUCK 32MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 200kHz ~ 500kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5.5V ~ 14.5V
Supplier Device Package: 32-MLPQ (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Frequency Control, Power Good, Soft Start
Output Phases: 2
Duty Cycle (Max): 86.5%
Clock Sync: Yes
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 2
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.75 грн
10+180.66 грн
25+165.87 грн
100+140.43 грн
250+133.16 грн
500+128.79 грн
1000+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FHI023 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10FHI023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI020 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10FAI020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHA010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10DHA010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHA013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10DHA013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10FAI010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA023 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10TFA023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FAI023 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10FAI023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA020 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10TFA020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHI023 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T10DHI023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03S BSO119N03S.pdf
BSO119N03S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO119N03S BSO119N03S.pdf
BSO119N03S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42742DV50ATMA2 introduction-to-automotive-linear-voltage-regulators-br-2014.pdf
TLE42742DV50ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 400MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Fixed
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1 BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8
BSC014N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1 BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8
BSC014N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb
BSC014N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70BFM023 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J70BFM023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFA023 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J70TFA023
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHSS50 Infineon-S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5
S29GL256S10DHSS50
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R1K0C3XKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPA90R1K0C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe
IDD10SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe
IDD10SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.00 грн
10+270.65 грн
100+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL1503 fundamentals-of-power-semiconductors
IRLL1503
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537PBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT700N22KOFHPSA1 Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6
TT700N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26057.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT700N22KOFHPSA1 Infineon-TT700N22KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2db628f01c6
TT700N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T4771N22TOFXPSA1 Infineon-T4771N-DS-v09_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ffe5c4e94
T4771N22TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2900V 6820A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5212XUMA1 TDA5212.pdf
TDA5212XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF RX ASK/FSK 902-928MHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Current - Receiving: 5.4mA
Applications: RKE, Remote Control Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -109dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF description irfp4368pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJSXUMA2 Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254EJSXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+66.79 грн
25+60.53 грн
100+50.39 грн
250+47.32 грн
500+45.48 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJAXUMA2 Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254EJAXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 70MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 70mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 70mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 15 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+66.79 грн
25+60.53 грн
100+50.39 грн
250+47.32 грн
500+45.48 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHV010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
S29GL01GT11FHV010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD208-B1-02ELSE6327 INFN-S-A0000321166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD208-B1-02ELSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 14984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7493+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 7493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB91F467SAPMC-GS-N2K5E2
MB91F467SAPMC-GS-N2K5E2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 176LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB91F467TAPMC-GS-N2K5E2
MB91F467TAPMC-GS-N2K5E2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 1.0625MB (1.0625M x 8)
RAM Size: 72K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: FR60 RISC
Data Converters: A/D 32x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 109
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY91F467CBPMCR-GS-UJE2 download
CY91F467CBPMCR-GS-UJE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 1.0625MB FLSH 144LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S90TFA020 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
S29GL128S90TFA020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S90TFA010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
S29GL128S90TFA010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJS Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254EJS
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4254 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254EJA Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254EJA
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4254 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60ATR24CE6327XTMA1 Infineon-BGT60ATR24C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ff9f022017ffec84fa40aa2
BGT60ATR24CE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR - RADAR SENSOR DIGITAL
Sensor Type: Radar Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 145°C (TJ)
Output Type: Digital
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 478 479 480 481 482 483 484 485 486 487 488 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]