Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148451) > Сторінка 482 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 477 478 479 480 481 482 483 484 485 486 487 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEB22622FV1.3 PEB22622FV1.3 Infineon Technologies Description: SOCRATES SDSL ADAPTIVE TRANSCEIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2694.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PEF24625EV1.1 Infineon Technologies Description: SOCRATES 16-CH DSL CONTROLLER
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6712.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T1700N16H75VTXPSA1 T1700N16H75VTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1700N16H75+VT-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f3890018235685be93249 Description: STD THYR/DIODEN DISC BG-T7526K-1
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS12CN10LG IPS12CN10LG Infineon Technologies INFNS16594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327 Infineon Technologies INFNS10747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 250 V
на замовлення 18350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFATMA1 BTS3125TFATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3125TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f9b063f54 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 108mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 31V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFATMA1 BTS3125TFATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3125TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f9b063f54 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 108mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 31V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+56.02 грн
25+50.61 грн
100+41.92 грн
250+39.26 грн
500+37.66 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T2480N28TOFVTXPSA1 T2480N28TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2480N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409d3b4d4475a Description: SCR MODULE 2800V 5100A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2810N18TOFVTXPSA1 T2810N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2810N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08c44a4042 Description: SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 58000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 2810 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 5800 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2810N20TOFVTXPSA1 T2810N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2810N.pdf Description: SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20702A1KWFBG CYW20702A1KWFBG Infineon Technologies Infineon-CYW20702_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1e1b067ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202 Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 50WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 50-WFBGA
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0 +EDR
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 50-WFBGA (4.5x4)
GPIO: 7
Modulation: 4DQPSK, 8DPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART, USB
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20702A1KWFBGT CYW20702A1KWFBGT Infineon Technologies Infineon-CYW20702_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1e1b067ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202 Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 50WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-WFBGA
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0 +EDR
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 50-WFBGA (4.5x4)
GPIO: 7
Modulation: 4DQPSK, 8DPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART, USB
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20732E CYW20732E Infineon Technologies CYW20732E_Web.pdf Description: IOT BLUETOOTH 802.15.4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20732E CYW20732E Infineon Technologies CYW20732E_Web.pdf Description: IOT BLUETOOTH 802.15.4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400N IPP0400N Infineon Technologies Description: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
T2180N14TOFVTXPSA1 T2180N14TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2180N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b719a2f47ca Description: SCR MODULE 1800V 4460A DO200AD
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AD
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 2180 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4460 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 FP30R06KE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP30R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43328f05a7f Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2C
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 37 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9609.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69 Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69 Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.30 грн
10+333.51 грн
100+242.54 грн
500+195.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.15 грн
10+395.12 грн
100+290.56 грн
500+256.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.46 грн
10+236.26 грн
100+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.10 грн
10+205.15 грн
100+144.79 грн
500+111.69 грн
1000+103.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ3600R12HP4PHPSA1 FZ3600R12HP4PHPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 4930A AGIHMB190-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+105102.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFD IPI65R110CFD Infineon Technologies INFNS16577-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+202.14 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263 Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4499.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+324.13 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.13 грн
10+405.08 грн
25+375.08 грн
100+321.03 грн
250+306.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.54 грн
10+287.61 грн
25+265.18 грн
100+225.79 грн
250+214.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GM TLE4263GM Infineon Technologies Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4263
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Delay, Inhibit, Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04 IPB100P03P3L-04 Infineon Technologies INFNS11433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3 Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 40659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+155.41 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
SH100G3016A1 Infineon Technologies Description: SH100G3 - GATE ARRAY
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8821.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22822FV1.2 Infineon Technologies Description: IC DIGITAL CHIP 10 BASES
Packaging: Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+995.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b431a6d634099 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS3L40R07W2H5F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c850552697db5 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7436.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Demoboard_Description_BTS3XXXTF-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf40e2420320 Description: BTS3125TF DEMOBOARD
Packaging: Box
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2968.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+139.32 грн
100+101.36 грн
500+80.02 грн
1000+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6281G TLE6281G Infineon Technologies tle6281g_ds_rev2.3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 850mA
Interface: PWM, Step/Direction
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 60V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXM1310CDMG023XTMA1 PXM1310CDMG023XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXM1310CDM - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
на замовлення 27935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+298.08 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W3T7B11BPSA1 FS100R12W3T7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b19326390c Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-711
Packaging: Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7879.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.61 грн
10+140.32 грн
100+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N16KOFHPSA2 TT162N16KOFHPSA2 Infineon Technologies Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5 Description: SCR MODULE 1.6KV 260A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10993.31 грн
16+9434.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFHPSA1 TT162N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFKHPSA1 TT162N08KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFHPSA1 TT162N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFKHPSA1 TT162N12KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N14KOFHPSA1 TT250N14KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT250N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afa3b233fcd Description: SCR MODULE 1.4KV MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC69SN60C3X2SA1 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B102NS-BA45XCT CY14B102NS-BA45XCT Infineon Technologies 5047 Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.59 грн
10+298.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 TLE75602ESDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.82 грн
6000+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PEB22622FV1.3
PEB22622FV1.3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SOCRATES SDSL ADAPTIVE TRANSCEIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2694.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PEF24625EV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SOCRATES 16-CH DSL CONTROLLER
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6712.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T1700N16H75VTXPSA1 Infineon-T1700N16H75+VT-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f3890018235685be93249
T1700N16H75VTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: STD THYR/DIODEN DISC BG-T7526K-1
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS12CN10LG INFNS16594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPS12CN10LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327 INFNS10747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 250 V
на замовлення 18350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2420+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFATMA1 Infineon-BTS3125TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f9b063f54
BTS3125TFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 108mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 31V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFATMA1 Infineon-BTS3125TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f9b063f54
BTS3125TFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 108mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 31V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+56.02 грн
25+50.61 грн
100+41.92 грн
250+39.26 грн
500+37.66 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T2480N28TOFVTXPSA1 Infineon-T2480N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409d3b4d4475a
T2480N28TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2800V 5100A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2810N18TOFVTXPSA1 Infineon-T2810N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08c44a4042
T2810N18TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 58000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 2810 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 5800 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2810N20TOFVTXPSA1 T2810N.pdf
T2810N20TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2200V 5800A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20702A1KWFBG Infineon-CYW20702_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1e1b067ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202
CYW20702A1KWFBG
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 50WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 50-WFBGA
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0 +EDR
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 50-WFBGA (4.5x4)
GPIO: 7
Modulation: 4DQPSK, 8DPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART, USB
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20702A1KWFBGT Infineon-CYW20702_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1e1b067ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202
CYW20702A1KWFBGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 50WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-WFBGA
Sensitivity: -92dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0 +EDR
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 50-WFBGA (4.5x4)
GPIO: 7
Modulation: 4DQPSK, 8DPSK, GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART, USB
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20732E CYW20732E_Web.pdf
CYW20732E
Виробник: Infineon Technologies
Description: IOT BLUETOOTH 802.15.4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20732E CYW20732E_Web.pdf
CYW20732E
Виробник: Infineon Technologies
Description: IOT BLUETOOTH 802.15.4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP0400N
IPP0400N
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP0400N
Packaging: Bulk
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
T2180N14TOFVTXPSA1 Infineon-T2180N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b719a2f47ca
T2180N14TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1800V 4460A DO200AD
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AD
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 2180 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4460 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 Infineon-FP30R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43328f05a7f
FP30R06KE3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2C
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 37 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9609.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69
IPT014N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 Infineon-IPT014N08NM5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b7718ecc5c69
IPT014N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.30 грн
10+333.51 грн
100+242.54 грн
500+195.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.15 грн
10+395.12 грн
100+290.56 грн
500+256.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.46 грн
10+236.26 грн
100+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.10 грн
10+205.15 грн
100+144.79 грн
500+111.69 грн
1000+103.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ3600R12HP4PHPSA1
FZ3600R12HP4PHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 4930A AGIHMB190-2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+105102.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFD INFNS16577-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI65R110CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+202.14 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+4499.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c
IPDQ60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+324.13 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c
IPDQ60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.13 грн
10+405.08 грн
25+375.08 грн
100+321.03 грн
250+306.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6
IPDQ60R065S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6
IPDQ60R065S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.54 грн
10+287.61 грн
25+265.18 грн
100+225.79 грн
250+214.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GM Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf
TLE4263GM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4263
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Delay, Inhibit, Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04 INFNS11433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB100P03P3L-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3
IPB60R120C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 40659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+155.41 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
SH100G3016A1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SH100G3 - GATE ARRAY
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8821.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22822FV1.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIGITAL CHIP 10 BASES
Packaging: Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+995.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 Infineon-IPP80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b431a6d634099
IPP80R900P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon-FS3L40R07W2H5F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c850552697db5
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7436.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_Description_BTS3XXXTF-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf40e2420320
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS3125TF DEMOBOARD
Packaging: Box
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2968.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
IAUA250N04S6N008AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
IAUA250N04S6N008AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.30 грн
10+139.32 грн
100+101.36 грн
500+80.02 грн
1000+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6281G tle6281g_ds_rev2.3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE6281G
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 850mA
Interface: PWM, Step/Direction
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 60V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXM1310CDMG023XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXM1310CDMG023XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXM1310CDM - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
на замовлення 27935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+298.08 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W3T7B11BPSA1 Infineon-FS100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b19326390c
FS100R12W3T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-711
Packaging: Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7879.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a
BGS14WMA9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a
BGS14WMA9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf
IRFS7540TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.61 грн
10+140.32 грн
100+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N16KOFHPSA2 Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5
TT162N16KOFHPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 260A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10993.31 грн
16+9434.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFHPSA1 TT162N.pdf
TT162N12KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFKHPSA1 TT162N.pdf
TT162N08KOFKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFHPSA1 TT162N.pdf
TT162N08KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFKHPSA1 TT162N.pdf
TT162N12KOFKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N14KOFHPSA1 Infineon-TT250N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afa3b233fcd
TT250N14KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.4KV MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC69SN60C3X2SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B102NS-BA45XCT 5047
CY14B102NS-BA45XCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.59 грн
10+298.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
TLE75602ESDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.82 грн
6000+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 477 478 479 480 481 482 483 484 485 486 487 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]