Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148596) > Сторінка 675 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 670 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML2402GTRPBF IRLML2402GTRPBF Infineon Technologies irlml2402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664ddb925f8 Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF Infineon Technologies irg4psh71udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648c1bb233d description Description: IGBT 1200V 99A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/250ns
Switching Energy: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 70A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 380 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 99 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533GXTMA1 2EDN7533GXTMA1 Infineon Technologies Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Driven Configuration: Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523GXTMA1 2EDN8523GXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW95R060PFD7XKSA1 IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW95R060PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f712f9bc2e5f Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.63 грн
30+574.26 грн
120+492.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281 Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.57 грн
50+300.34 грн
100+275.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1 IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1 IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.44 грн
10+336.60 грн
100+248.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.08 грн
10+73.16 грн
100+48.99 грн
500+36.26 грн
1000+33.13 грн
2000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TT600N16KOFTIMHPSA1 TT600N16KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT600N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301466688b00360e0 Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 21000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 600 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7SE8228XKSA1 IPA60R600P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R600P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3b403a7a02ca Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.38 грн
50+48.25 грн
100+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+39.68 грн
100+25.76 грн
500+18.55 грн
1000+16.74 грн
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.89 грн
10+112.91 грн
100+79.84 грн
500+60.88 грн
1000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4-09A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e87fd4adf699b Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4-09A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e87fd4adf699b Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.52 грн
10+86.00 грн
100+57.83 грн
500+42.96 грн
1000+39.32 грн
2000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.57 грн
10+98.16 грн
100+66.47 грн
500+49.66 грн
1000+45.56 грн
2000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
D8320N04TVFXPSA1 D8320N04TVFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-D8320N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffeadc375c8b Description: DIODE STANDARD 400V 8320A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AD
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8320A
Operating Temperature - Junction: -25°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 795 mV @ 4000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+52.21 грн
100+34.39 грн
500+25.04 грн
1000+22.71 грн
2000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2161PBF IR2161PBF Infineon Technologies ir2161.pdf Description: IC HALOGEN CNTRL 70KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 34kHz ~ 70kHz
Type: Halogen Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11.5V ~ 16.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: Yes
Current - Supply: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP108-PS KP108-PS Infineon Technologies Description: AUTOMOTIVE PRESSURE SENSOR
Packaging: Bulk
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+150.28 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
KP109P3XTMA1 KP109P3XTMA1 Infineon Technologies Description: KP109 MULTI-PROTOCOL PRESSURE SE
Packaging: Bulk
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
KP109P4XTMA1 KP109P4XTMA1 Infineon Technologies Description: KP109 MULTI-PROTOCOL PRESSURE SE
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
KP108PSXTMA1 KP108PSXTMA1 Infineon Technologies PG-DSOF-8-16_assembly_Rev2.1.pdf?fileId=db3a304332fc1ee70133111706d43b71 Description: AUTOMOTIVE PRESSURE SENSOR
Packaging: Bulk
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030T CY8C3866LTI-030T Infineon Technologies Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 4x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXA-035 CY8C3866AXA-035 Infineon Technologies download Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 4x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021B-15ZXC CY7C1021B-15ZXC Infineon Technologies CY7C1021B%20RevC.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Bag
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C185-25PC CY7C185-25PC Infineon Technologies CY7C185.pdf Description: IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199CN-15PXC CY7C199CN-15PXC Infineon Technologies CY7C199CN_.pdf description Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA120R030M1H-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877af970e6093d Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1186.07 грн
30+704.68 грн
120+608.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF Infineon Technologies irg4bc40fpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356431d142296 description Description: IGBT 600V 49A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 49 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVG01 S25FL256SAGMFVG01 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF Infineon Technologies ir1169.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c485c4165e Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 19V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF Infineon Technologies ir1169.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c485c4165e Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 19V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.10 грн
10+120.94 грн
25+110.39 грн
100+92.72 грн
250+87.53 грн
500+84.40 грн
1000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1 IDH10G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2KWZVSFBCFD7TOBO1 EVAL2KWZVSFBCFD7TOBO1 Infineon Technologies Infineon-General_Description_EvaluationBoard_EVAL_2kW_ZVS_FB_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda3ac9ac71bd Description: EVAL BOARD FOR ICE3RBR4765JZ
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 45V ~ 56V
Voltage - Input: 350V ~ 420V
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE3RBR4765JZ
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 2kW
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36337.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQXQLA1 CYPAS212A132LQXQXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135 Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.05 грн
10+163.60 грн
25+149.93 грн
100+126.56 грн
490+115.87 грн
980+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQXLXA1 CYPAS213A124SXQXLXA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.10 грн
10+121.78 грн
31+109.44 грн
124+92.70 грн
279+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 CYPAS213A132LQXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 CYPAS213A132LQXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.97 грн
10+152.21 грн
25+139.38 грн
100+117.51 грн
250+111.18 грн
500+107.36 грн
1000+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 CYPAS213A124SXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 CYPAS213A124SXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.97 грн
10+152.21 грн
25+139.38 грн
100+117.51 грн
250+111.18 грн
500+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS211A132LQXQXQLA1 CYPAS211A132LQXQXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS211_EZ-PD_PAG2S-QZ_integrated_USB_PD_and_secondary-side_QR-ZVS_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa933500131 Description: EZ-PD PAG2S-QZ INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.15 грн
10+135.93 грн
25+124.61 грн
100+105.27 грн
490+103.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQTXUMA1 CYPAS212A132LQXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135 Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQTXUMA1 CYPAS212A132LQXQTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135 Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.05 грн
10+163.60 грн
25+149.93 грн
100+126.56 грн
250+119.83 грн
500+115.77 грн
1000+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQXQLA1 CYPAS213A132LQXQXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.10 грн
10+121.78 грн
25+111.49 грн
100+94.01 грн
490+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXC1331CPNG003XTMA1 Infineon Technologies Description: IFX PRIMARION CNTRLLER PG-VQFN-4
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.90 грн
10+256.72 грн
25+236.56 грн
100+201.17 грн
250+191.24 грн
500+185.25 грн
1000+177.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT CHL8510CRT Infineon Technologies ir3537.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cd6c46175c Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 21ns, 18ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD2119-24LQXI CYPD2119-24LQXI Infineon Technologies Infineon-EZ-PD_CCG2_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecd9536480b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC USB TYPE C 1-PORT 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, UART/USART, USB
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: USB Type C
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 14
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.17 грн
10+94.64 грн
25+86.11 грн
100+72.02 грн
490+65.35 грн
980+63.26 грн
1470+61.19 грн
2940+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12SVXUMA1 1EDI20I12SVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDx20I12SV-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145faf0aa200fc1 Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Number of Channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+315.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12SVXUMA1 1EDI20I12SVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDx20I12SV-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145faf0aa200fc1 Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Number of Channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.72 грн
10+483.54 грн
25+461.05 грн
100+375.70 грн
250+358.81 грн
500+327.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT61N14KOFHPSA1 TT61N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TT61N.pdf Description: SCR MODULE 1.4KV 120A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 120 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1550A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 76 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 120 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC541U1ENCA SABC541U1ENCA Infineon Technologies Description: LEGACY 8-BIT MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 38428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+422.17 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C-541U-1EN SAB-C-541U-1EN Infineon Technologies INFNS04958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 8-BIT MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+422.17 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127LCE-HV423 Infineon Technologies Description: PSoC4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT CY7C1041G30-10VXIT Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+396.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT CY7C1041G30-10VXIT Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.29 грн
10+473.37 грн
25+463.46 грн
50+433.46 грн
100+388.93 грн
250+377.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402GTRPBF irlml2402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664ddb925f8
IRLML2402GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302GTRPBF irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625
IRLML6302GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302GTRPBF irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625
IRLML6302GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF description irg4psh71udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648c1bb233d
IRG4PSH71UDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 99A SUPER247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/250ns
Switching Energy: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 70A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 380 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 99 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 350 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7533GXTMA1
2EDN7533GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Driven Configuration: Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523GXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8523GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.98V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon-IPW95R060PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f712f9bc2e5f
IPW95R060PFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+983.63 грн
30+574.26 грн
120+492.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281
IPP65R065C7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.57 грн
50+300.34 грн
100+275.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c
IPT65R060CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c
IPT65R060CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.44 грн
10+336.60 грн
100+248.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
IAUZ40N08S5N100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+73.16 грн
100+48.99 грн
500+36.26 грн
1000+33.13 грн
2000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TT600N16KOFTIMHPSA1 Infineon-TT600N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301466688b00360e0
TT600N16KOFTIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 21000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 600 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7SE8228XKSA1 Infineon-IPA60R600P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3b403a7a02ca
IPA60R600P7SE8228XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
50+48.25 грн
100+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+39.68 грн
100+25.76 грн
500+18.55 грн
1000+16.74 грн
2000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372
ISZ106N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372
ISZ106N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.89 грн
10+112.91 грн
100+79.84 грн
500+60.88 грн
1000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1 Infineon-IPG20N04S4-09A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e87fd4adf699b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1 Infineon-IPG20N04S4-09A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e87fd4adf699b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.52 грн
10+86.00 грн
100+57.83 грн
500+42.96 грн
1000+39.32 грн
2000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe
IPG20N04S408BATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe
IPG20N04S408BATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.57 грн
10+98.16 грн
100+66.47 грн
500+49.66 грн
1000+45.56 грн
2000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
D8320N04TVFXPSA1 Infineon-D8320N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffeadc375c8b
D8320N04TVFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 400V 8320A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AD
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8320A
Operating Temperature - Junction: -25°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 795 mV @ 4000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+52.21 грн
100+34.39 грн
500+25.04 грн
1000+22.71 грн
2000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2161PBF ir2161.pdf
IR2161PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALOGEN CNTRL 70KHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 34kHz ~ 70kHz
Type: Halogen Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11.5V ~ 16.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: Yes
Current - Supply: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP108-PS
KP108-PS
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE PRESSURE SENSOR
Packaging: Bulk
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+150.28 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
KP109P3XTMA1
KP109P3XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KP109 MULTI-PROTOCOL PRESSURE SE
Packaging: Bulk
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
KP109P4XTMA1
KP109P4XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KP109 MULTI-PROTOCOL PRESSURE SE
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
KP108PSXTMA1 PG-DSOF-8-16_assembly_Rev2.1.pdf?fileId=db3a304332fc1ee70133111706d43b71
KP108PSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE PRESSURE SENSOR
Packaging: Bulk
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+197.60 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-030T Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C3866LTI-030T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 4x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXA-035 download
CY8C3866AXA-035
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: 8051
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 4x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021B-15ZXC CY7C1021B%20RevC.pdf
CY7C1021B-15ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Bag
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C185-25PC CY7C185.pdf
CY7C185-25PC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199CN-15PXC description CY7C199CN_.pdf
CY7C199CN-15PXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon-IMZA120R030M1H-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877af970e6093d
IMZA120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1186.07 грн
30+704.68 грн
120+608.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF description irg4bc40fpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356431d142296
IRG4BC40FPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 49A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns
Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off)
Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 49 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVG01 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGMFVG01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF ir1169.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c485c4165e
IR1169STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 19V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF ir1169.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c485c4165e
IR1169STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 19V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 2V, 2.25V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.10 грн
10+120.94 грн
25+110.39 грн
100+92.72 грн
250+87.53 грн
500+84.40 грн
1000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA1 IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169
IDH10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2KWZVSFBCFD7TOBO1 Infineon-General_Description_EvaluationBoard_EVAL_2kW_ZVS_FB_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda3ac9ac71bd
EVAL2KWZVSFBCFD7TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ICE3RBR4765JZ
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 45V ~ 56V
Voltage - Input: 350V ~ 420V
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: ICE3RBR4765JZ
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 2kW
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+36337.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQXQLA1 Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135
CYPAS212A132LQXQXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.05 грн
10+163.60 грн
25+149.93 грн
100+126.56 грн
490+115.87 грн
980+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQXLXA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A124SXQXLXA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.10 грн
10+121.78 грн
31+109.44 грн
124+92.70 грн
279+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A132LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A132LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.97 грн
10+152.21 грн
25+139.38 грн
100+117.51 грн
250+111.18 грн
500+107.36 грн
1000+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A124SXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+101.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A124SXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 24-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.97 грн
10+152.21 грн
25+139.38 грн
100+117.51 грн
250+111.18 грн
500+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS211A132LQXQXQLA1 Infineon-CYPAS211_EZ-PD_PAG2S-QZ_integrated_USB_PD_and_secondary-side_QR-ZVS_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa933500131
CYPAS211A132LQXQXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-QZ INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.15 грн
10+135.93 грн
25+124.61 грн
100+105.27 грн
490+103.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQTXUMA1 Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135
CYPAS212A132LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS212A132LQXQTXUMA1 Infineon-CYPAS212_EZ-PD_PAG2S-AC_integrated_USB_PD_and_secondary-side_ACF_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa93c130135
CYPAS212A132LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-AC INTEGRATED USB PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM Signal
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.05 грн
10+163.60 грн
25+149.93 грн
100+126.56 грн
250+119.83 грн
500+115.77 грн
1000+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQXQLA1 Infineon-CYPAS213_EZ-PD_PAG2S-PS_integrated_USB_PD_and_synchronous-rectification_controller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2aa927d6012a
CYPAS213A132LQXQXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAG2S-PS INTEGRATED USB PD
Packaging: Tray
Package / Case: 32-WFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 300kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.15V ~ 30V
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Serial Interfaces: I2C
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 55%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.10 грн
10+121.78 грн
25+111.49 грн
100+94.01 грн
490+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXC1331CPNG003XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFX PRIMARION CNTRLLER PG-VQFN-4
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.90 грн
10+256.72 грн
25+236.56 грн
100+201.17 грн
250+191.24 грн
500+185.25 грн
1000+177.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8510CRT ir3537.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cd6c46175c
CHL8510CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 21ns, 18ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
640+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD2119-24LQXI Infineon-EZ-PD_CCG2_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecd9536480b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYPD2119-24LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB TYPE C 1-PORT 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, UART/USART, USB
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: USB Type C
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 14
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
10+94.64 грн
25+86.11 грн
100+72.02 грн
490+65.35 грн
980+63.26 грн
1470+61.19 грн
2940+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12SVXUMA1 Infineon-1EDx20I12SV-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145faf0aa200fc1
1EDI20I12SVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Number of Channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+315.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12SVXUMA1 Infineon-1EDx20I12SV-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145faf0aa200fc1
1EDI20I12SVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Number of Channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.72 грн
10+483.54 грн
25+461.05 грн
100+375.70 грн
250+358.81 грн
500+327.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT61N14KOFHPSA1 TT61N.pdf
TT61N14KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.4KV 120A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 120 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1550A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 76 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 120 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC541U1ENCA
SABC541U1ENCA
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 8-BIT MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 38428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+422.17 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C-541U-1EN INFNS04958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAB-C-541U-1EN
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 8-BIT MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+422.17 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127LCE-HV423
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSoC4
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041G30-10VXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+396.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXIT Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041G30-10VXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.29 грн
10+473.37 грн
25+463.46 грн
50+433.46 грн
100+388.93 грн
250+377.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 670 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]