Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126756) > Сторінка 679 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 674 675 676 677 678 679 680 681 682 683 684 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB160N04S2L03ATMA2 IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+169.17 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Infineon Technologies download description Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC055N03L3X1SA1 IPC055N03L3X1SA1 Infineon Technologies DS_IPC055N03L3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442bf9dfc6521b Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-001 CYUSB3ACC-001 Infineon Technologies download Description: APTINA TO EZ-USB FX3 BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EZ-USB® FX3™
Accessory Type: Interface Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-004 CYUSB3ACC-004 Infineon Technologies 5047 Description: APTINA TO EZ-USB FX3 BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EZ-USB® FX3™
Accessory Type: Interface Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-105MH IRSM808-105MH Infineon Technologies irsm808-105mh.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 31PQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tray
Package / Case: 31-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Rds On (Typ): 580mOhm
Applications: AC Motors
Current - Output / Channel: 10A
Technology: UMOS
Voltage - Load: 400V (Max)
Supplier Device Package: 31-PQFN (8x9)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.01 грн
10+152.94 грн
50+117.41 грн
100+99.41 грн
500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSB104N08NP3%20G-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2 BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB104N08NP3%20G-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB028N06NN3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA2 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3 BSB056N10NN3GXUMA3 Infineon Technologies Infineon-BSB056N10NN3_G-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 75775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGXUMA1 BSO065N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO065N03MS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
746+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 746 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D629N44TPR Infineon Technologies Description: RECTIFIER DIODE MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9624.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.28 грн
10+178.14 грн
50+137.79 грн
100+117.13 грн
500+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc025n08nm5lf2-datasheet-en.pdf Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc025n08nm5lf2-datasheet-en.pdf Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.90 грн
10+191.96 грн
50+148.94 грн
100+126.78 грн
500+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA2 Infineon Technologies TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 S25FS256TDACHC113 Infineon Technologies Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+451.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 S25FS256TDACHC113 Infineon Technologies Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.80 грн
10+543.12 грн
25+526.73 грн
50+482.65 грн
100+471.03 грн
250+455.79 грн
500+437.13 грн
1000+426.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7328-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442 Description: IGBT MOD 1200V 55A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6444.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 Infineon Technologies DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Voltage - Peak Reverse (Max): 650 V
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.39 mA @ 650 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5614.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT CY2309SXC-1HT Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT CY2309SXC-1HT Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVR01 S25FL256SAGMFVR01 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.25 грн
10+389.26 грн
25+381.81 грн
50+355.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGFT CYW20835PB1KML1GGFT Infineon Technologies Description: IC RF TXRX+MCU BLE 60VQFN
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
RF Family/Standard: Bluetooth
Modulation: GFSK
GPIO: 39
Supplier Device Package: PG-VQFN-60-800
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 6Mbps
Current - Receiving: 8mA
Protocol: Bluetooth v5.2
Power - Output: 12dBm
Voltage - Supply: 1.625V ~ 3.63V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 384kB RAM, 2MB ROM
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -94.5dBm
Package / Case: 60-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1 IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ips80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+112.24 грн
25+102.26 грн
100+85.64 грн
250+80.73 грн
500+77.76 грн
1000+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45BVI CY62157EV30LL-45BVI Infineon Technologies Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.10 грн
10+991.48 грн
25+960.38 грн
50+879.38 грн
100+857.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFB10XTMA1 PXE1610CDNPMFB10XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Number of Outputs: 6
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: Programmable
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+81.17 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFD10XTMA1 PXE1610CDNPMFD10XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+115.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNG023XTMA1 PXE1610CDNG023XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+247.14 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.63 грн
10+93.77 грн
25+85.40 грн
100+71.49 грн
250+67.37 грн
500+64.88 грн
1000+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7BOMA1 FS100R12W2T7BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18ea895736e Description: IGBT MODULE 1200V 70A AG-EASY2B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4681.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7PB11BPSA1 FP15R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T7P_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742686806765b2 Description: IGBT MODULE 1200V 15A AG-EASY1B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2629.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7B11BOMA1 FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186359472e9 Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1670.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327HTSA1 BCW60FFE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 287000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3987+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7XKSA1 Infineon Technologies IDWD40E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO247-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 155 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.38 грн
30+155.10 грн
60+139.82 грн
120+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046ICPWM2ER100HALA1 Infineon Technologies tle5046icpwm2er100hala1 Description: TLE504HiEGWheSpeSenswidirectidet
Packaging: Bulk
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC50XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC100XTMA1 Infineon Technologies Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136PBF IR2136PBF Infineon Technologies IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+268.27 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21368STRPBF IR21368STRPBF Infineon Technologies IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+329.43 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2131SPBF IR2131SPBF Infineon Technologies ir2131.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c882d7169d description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Supplier Device Package: 28-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+431.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP370251160XTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Type: Digital
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 1731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 BCX6825H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
IPB160N04S2L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon-IPB160N04S3_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b8da04548&ack=t
IPB160N04S3H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+169.17 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021D-10ZSXI description download
CY7C1021D-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC055N03L3X1SA1 DS_IPC055N03L3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442bf9dfc6521b
IPC055N03L3X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-001 download
CYUSB3ACC-001
Виробник: Infineon Technologies
Description: APTINA TO EZ-USB FX3 BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EZ-USB® FX3™
Accessory Type: Interface Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3ACC-004 5047
CYUSB3ACC-004
Виробник: Infineon Technologies
Description: APTINA TO EZ-USB FX3 BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EZ-USB® FX3™
Accessory Type: Interface Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM808-105MH irsm808-105mh.pdf
IRSM808-105MH
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 31PQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tray
Package / Case: 31-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Rds On (Typ): 580mOhm
Applications: AC Motors
Current - Output / Channel: 10A
Technology: UMOS
Voltage - Load: 400V (Max)
Supplier Device Package: 31-PQFN (8x9)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.01 грн
10+152.94 грн
50+117.41 грн
100+99.41 грн
500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N3T4PB81BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
BSB165N15NZ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
153+135.90 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1 Infineon-BSB104N08NP3%20G-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon-BSB104N08NP3%20G-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b
BSB104N08NP3GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon-BSB028N06NN3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3 Infineon-BSB056N10NN3_G-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
BSB056N10NN3GXUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 75775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO065N03MSGXUMA1 BSO065N03MS_G.pdf
BSO065N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
746+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 746 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D629N44TPR
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9624.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LF2ATMA1 infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.28 грн
10+178.14 грн
50+137.79 грн
100+117.13 грн
500+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 infineon-isc025n08nm5lf2-datasheet-en.pdf
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 infineon-isc025n08nm5lf2-datasheet-en.pdf
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.90 грн
10+191.96 грн
50+148.94 грн
100+126.78 грн
500+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A0HTSA2 TLE493D-W2B6_v1.2_4-9-19.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: POSITION&CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t
S25FS256TDACHC113
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+451.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDACHC113 Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t
S25FS256TDACHC113
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLSH 256MBIT SPI/QUAD 33WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 33-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 33-WLCSP (3.36x3.97)
Write Cycle Time - Word, Page: 2.3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+605.80 грн
10+543.12 грн
25+526.73 грн
50+482.65 грн
100+471.03 грн
250+455.79 грн
500+437.13 грн
1000+426.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 infineon-irf7328-datasheet-en.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442
FP40R12KT3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 55A 210W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6444.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Voltage - Peak Reverse (Max): 650 V
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.39 mA @ 650 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5614.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1HT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1HT Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1HT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFVR01 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGMFVR01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.25 грн
10+389.26 грн
25+381.81 грн
50+355.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGFT
CYW20835PB1KML1GGFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 60VQFN
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
RF Family/Standard: Bluetooth
Modulation: GFSK
GPIO: 39
Supplier Device Package: PG-VQFN-60-800
Current - Transmitting: 18mA
Data Rate (Max): 6Mbps
Current - Receiving: 8mA
Protocol: Bluetooth v5.2
Power - Output: 12dBm
Voltage - Supply: 1.625V ~ 3.63V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Type: TxRx + MCU
Memory Size: 384kB RAM, 2MB ROM
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -94.5dBm
Package / Case: 60-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R1K2P7AKMA1 infineon-ips80r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPS80R1K2P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 86700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
407+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3 Infineon-OPTIGA%20TRUST%20M%20SLS32AIA-DataSheet-v03_40-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c853c271a7e4a
SLS32AIA010MKUSON10XTMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SECURITY ICS / AUTHENTICATION IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 10K x 8
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V
Program Memory Type: NVSRAM
Applications: Security
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-USON-10-2
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.59 грн
10+112.24 грн
25+102.26 грн
100+85.64 грн
250+80.73 грн
500+77.76 грн
1000+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45BVI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45BVI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1110.10 грн
10+991.48 грн
25+960.38 грн
50+879.38 грн
100+857.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFB10XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNPMFB10XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Number of Outputs: 6
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: Programmable
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
268+81.17 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNPMFD10XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNPMFD10XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+115.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXE1610CDNG023XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXE1610CDNG023XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXE1610CDN - DIGITAL DUAL OUTPUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 6
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR12.5
Supplier Device Package: 48-VQFN (6x6)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+247.14 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67
BTG7016A1EPWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTG7016A1EPWXUMA1 Infineon-BTG7016A-1EPW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cee0efad71e67
BTG7016A1EPWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 14TSSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 18mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 6.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-22
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.63 грн
10+93.77 грн
25+85.40 грн
100+71.49 грн
250+67.37 грн
500+64.88 грн
1000+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18ea895736e
FS100R12W2T7BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 70A AG-EASY2B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4681.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7PB11BPSA1 Infineon-FP15R12W1T7P_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01742686806765b2
FP15R12W1T7PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 15A AG-EASY1B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.82 nF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2629.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS25R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186359472e9
FS25R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY1B
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1670.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FFE6327HTSA1 BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
BCW60FFE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 287000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3987+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf
IDWD40E120D7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO247-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 155 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.38 грн
30+155.10 грн
60+139.82 грн
120+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046ICPWM2ER100HALA1 tle5046icpwm2er100hala1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE504HiEGWheSpeSenswidirectidet
Packaging: Bulk
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC50XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE50452IC100XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136PBF IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2136PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+268.27 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21368STRPBF IRSDS12169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR21368STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+329.43 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2131SPBF description ir2131.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c882d7169d
IR2131SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 6
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Supplier Device Package: 28-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
на замовлення 5323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+431.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP370251160XTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Type: Digital
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149L6906HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
525+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1731+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 1731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6825H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 674 675 676 677 678 679 680 681 682 683 684 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]