Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148600) > Сторінка 700 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 695 696 697 698 699 700 701 702 703 704 705 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SP370251160XTMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 BSP149L6906HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 BCX6825H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7 Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45225.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12KE3HOSA1 DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c Description: IGBT MODULE 1200V 1040W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+7174.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 FP100R12W3T7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b14a703900 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7960.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4345e3e6019 Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9340.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8880.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 BGSF18DM20E6327XUMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Bulk
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5BPSA1 FF1800XTR17T2P5BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83961.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20738A2KML3G CYW20738A2KML3G Infineon Technologies BCM20738_RevC_Oct18%2C2016.pdf Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -93dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.2V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 26.8mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 26.9mA
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
GPIO: 22
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA1 IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S405AKSA2 IPP80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S4-05_Rev1.0_2009-03-24.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA1 IPP80N06S2L06AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA1 IPP80N06S207AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L05AKSA1 IPP80N06S4L05AKSA1 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2 IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L11AKSA2 IPP80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-11.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA2 IPP80N06S2L06AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L05AKSA1 IPP80N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies INFNS09525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L09AKSA2 IPP80N06S2L09AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-09.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2L03AKSA1 IPP80N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N04S2L-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80N06S08AKSA1 SPP80N06S08AKSA1 Infineon Technologies SP%28B%2CI%2CP%2980N06S-08.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies IPx80N08S4-06.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2LH5AKSA2 IPP80N06S2LH5AKSA2 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+124.79 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2H5AKSA2 IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2-H5.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+125.53 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA4 IPP80N06S207AKSA4 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S303AKSA1 IPP80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPx80N04S3-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6 Description: EVAL KIT FOR 2ED1324S12P
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 2ED1324S12P
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: No
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+57975.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RFFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60RF_ver2_3G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043271faefd01272867e39e4d58 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+173.24 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
SKA06N60XKSA1 SKA06N60XKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 9A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/220ns
Switching Energy: 215µJ
Test Condition: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1200V 15A 80W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 80 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 530 pF @ 25 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3972.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies BSM150GB170DLC.pdf Description: IGBT MODULE 1700V 400A 1660W
Packaging: Bulk
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11411.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SGP10N60AXKSA1 SGP10N60AXKSA1 Infineon Technologies SGx10N60A.pdf Description: IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/178ns
Switching Energy: 320µJ
Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 92 W
на замовлення 33219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR FM25VN10-GTR Infineon Technologies Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR FM25VN10-GTR Infineon Technologies Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.34 грн
10+993.78 грн
25+962.73 грн
50+881.55 грн
100+859.80 грн
250+831.44 грн
500+797.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R33KF2CNOSA1 FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ1200R33KF2C-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431408553eb Description: IGBT MODULE 3300V 2000A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 14500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+168540.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20829B0LKMLXQLA1 CYW20829B0LKMLXQLA1 Infineon Technologies Infineon-CYW20829_Bluetooth_R_LE_MCU-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d209c4ffb016a Description: BLUE TOOTH LOW ENERGY
Packaging: Tray
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.09 грн
10+411.29 грн
25+374.52 грн
80+315.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1 IKZA100N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA100N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250828d8204d Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.01 грн
30+392.11 грн
120+390.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R06W1E3BOMA1 FP10R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP10R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43312285a63 Description: IGBT MODULE 600V 16A 68W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 68 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 550 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2114.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R06W1E3BOMA1 FP10R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP10R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43312285a63 Description: IGBT MODULE 600V 16A 68W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 68 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 550 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2645.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD200S33K2CC1NOSA1 DD200S33K2CC1NOSA1 Infineon Technologies DD200S33K2C_v2.3_4-13-15.pdf Description: DIODE MOD GP 3300V 200A AIHV73-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV73-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 200 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99851.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S45KL3B5NOSA1 DD1200S45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies Infineon-DD1200S45KL3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40146376cfa687d3e Description: DIODE MODULE GP 4500V AIHV130-4
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-4
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 1200 A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+118065.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169E6327HTSA1 BCR169E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr169series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440313bb302d1 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6433HTMA1 BCR166E6433HTMA1 Infineon Technologies bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9746+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 9746
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166WH6327XTSA1 BCR166WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 109500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6571+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525KV18-250BZXIT CY7C1525KV18-250BZXIT Infineon Technologies CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6248BZI-S2D44T CY8C6248BZI-S2D44T Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 124VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz, 150MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 512K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x10/12b SAR ; D/A 2x7/8b Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: eMMC/SD/SDIO, FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, PCM, PDM, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, Crypto - AES, I2S, DMA, LCD, LVD, POR, PWM, RSA, SHA, Temp Sensor, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ABZI-S2D44T CY8C624ABZI-S2D44T Infineon Technologies Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1 Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 124VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz, 150MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x12b SAR, 10b Sigma-Delta; D/A 2x7/8b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: eMMC/SD/SDIO, FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 100
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD6125-40LQXI Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70013A1ESWXUMA1 BTG70013A1ESWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG70013A-1ESW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cf222d43f3b97 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 26.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-32
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70013A1ESWXUMA1 BTG70013A1ESWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTG70013A-1ESW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cf222d43f3b97 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 26.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-32
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
10+256.80 грн
25+236.61 грн
100+201.21 грн
250+191.27 грн
500+185.29 грн
1000+177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF404RAMPMC-G-UNE2 CY9BF404RAMPMC-G-UNE2 Infineon Technologies CY9B400A.PDF Description: IC MCU 32BIT 256KB 120LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 120-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Number of I/O: 100
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.30 грн
10+380.41 грн
25+351.99 грн
84+304.07 грн
252+286.88 грн
504+278.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS512TFANHI010 S25HS512TFANHI010 Infineon Technologies Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.39 грн
10+679.74 грн
25+664.38 грн
40+620.15 грн
80+545.92 грн
338+518.83 грн
676+505.21 грн
1014+488.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7189FXUMA2 TLE7189FXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE7189F-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304318f3fe290118f4afdd4f000d Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-28V 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-72
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC), Brushed DC
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP370251160XTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR TIRE PRESSURE DIGITAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Sensor Type: Tire Pressure Monitoring (TPMS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149L6906HTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149L6906HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 122202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6810H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6810H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1731+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 1731
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6825H6327XTSA1 bcx68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ef403903e7
BCX6825H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b
FF1200R17IP5PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+45225.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12KE3HOSA1 Infineon-DF200R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ab75550c
DF200R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1040W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1040 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+7174.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 Infineon-FP100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b14a703900
FP100R12W3T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7960.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 Infineon-FF300R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4345e3e6019
FF300R12KT3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+9340.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18
FP100R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8880.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF18DM20E6327XUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGSF18DM20E6327XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP8T
Packaging: Bulk
Circuit: SP8T
RF Type: Cellular, 3G, GSM
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+76.34 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5BPSA1 Infineon-FF1800XTR17T2P5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ca458f81d4c
FF1800XTR17T2P5BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.8kA
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84000 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+83961.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20738A2KML3G BCM20738_RevC_Oct18%2C2016.pdf
CYW20738A2KML3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -93dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.2V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 26.8mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 26.9mA
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
GPIO: 22
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPP80N06S4L07AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S405AKSA2 IPx80N06S4-05_Rev1.0_2009-03-24.pdf
IPP80N06S405AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA1 IPB%2CIPP80N06S2L-06.pdf
IPP80N06S2L06AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPP80N06S207AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L05AKSA1 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
IPP80N06S4L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPP80N06S4L07AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L11AKSA2 IPx80N06S2L-11.pdf
IPP80N06S2L11AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
321+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L06AKSA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPP80N06S2L06AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L05AKSA1 INFNS09525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2L09AKSA2 IPx80N06S2L-09.pdf
IPP80N06S2L09AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
275+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 275
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S2L03AKSA1 IPB%2CIPP80N04S2L-03.pdf
IPP80N04S2L03AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80N06S08AKSA1 SP%28B%2CI%2CP%2980N06S-08.pdf
SPP80N06S08AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S406AKSA1 IPx80N08S4-06.pdf
IPP80N08S406AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2LH5AKSA2 IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf
IPP80N06S2LH5AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+124.79 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2H5AKSA2 IPx80N06S2-H5.pdf
IPP80N06S2H5AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+125.53 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S207AKSA4 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPP80N06S207AKSA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N04S303AKSA1 IPx80N04S3-03.pdf
IPP80N04S303AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 Infineon-UG-2022-11_EVAL-2ED1324S12PM1-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018954b539e32dd6
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL KIT FOR 2ED1324S12P
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 2ED1324S12P
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: No
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+57975.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RF_ver2_3G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043271faefd01272867e39e4d58
IHW40N60RFFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+169.57 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60R_2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304316f66ee80117545f8f30066f
IHW40N60RFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+173.24 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
SKA06N60XKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SKA06N60XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 9A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/220ns
Switching Energy: 215µJ
Test Condition: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
426+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 15A 80W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 80 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 530 pF @ 25 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+3972.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB170DLCE3256HDLA1 BSM150GB170DLC.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 400A 1660W
Packaging: Bulk
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11411.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SGP10N60AXKSA1 SGx10N60A.pdf
SGP10N60AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/178ns
Switching Energy: 320µJ
Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 92 W
на замовлення 33219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b
IPD35N10S3L26ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25VN10-GTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25VN10-GTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.34 грн
10+993.78 грн
25+962.73 грн
50+881.55 грн
100+859.80 грн
250+831.44 грн
500+797.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon-FZ1200R33KF2C-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431408553eb
FZ1200R33KF2CNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 3300V 2000A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 14500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+168540.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20829B0LKMLXQLA1 Infineon-CYW20829_Bluetooth_R_LE_MCU-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d209c4ffb016a
CYW20829B0LKMLXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLUE TOOTH LOW ENERGY
Packaging: Tray
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.09 грн
10+411.29 грн
25+374.52 грн
80+315.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA100N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250828d8204d
IKZA100N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.01 грн
30+392.11 грн
120+390.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon-FP10R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43312285a63
FP10R06W1E3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 16A 68W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 68 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 550 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+2114.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R06W1E3BOMA1 Infineon-FP10R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43312285a63
FP10R06W1E3BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 16A 68W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 68 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 550 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2645.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD200S33K2CC1NOSA1 DD200S33K2C_v2.3_4-13-15.pdf
DD200S33K2CC1NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V 200A AIHV73-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: A-IHV73-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 200 A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+99851.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1200S45KL3B5NOSA1 Infineon-DD1200S45KL3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40146376cfa687d3e
DD1200S45KL3B5NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 4500V AIHV130-4
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: A-IHV130-4
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 1200 A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+118065.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169E6327HTSA1 bcr169series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440313bb302d1
BCR169E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6433HTMA1 bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0
BCR166E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9746+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 9746
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166WH6327XTSA1 bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0
BCR166WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 109500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6571+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525KV18-250BZXIT CY7C1510%2C2%2C4%2C25KV18.pdf
CY7C1525KV18-250BZXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6248BZI-S2D44T
CY8C6248BZI-S2D44T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 124VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz, 150MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 512K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x10/12b SAR ; D/A 2x7/8b Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: eMMC/SD/SDIO, FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, PCM, PDM, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, Crypto - AES, I2S, DMA, LCD, LVD, POR, PWM, RSA, SHA, Temp Sensor, TRNG, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624ABZI-S2D44T Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1
CY8C624ABZI-S2D44T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 124VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz, 150MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 16x12b SAR, 10b Sigma-Delta; D/A 2x7/8b
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: eMMC/SD/SDIO, FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 100
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD6125-40LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70013A1ESWXUMA1 Infineon-BTG70013A-1ESW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cf222d43f3b97
BTG70013A1ESWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 26.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-32
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70013A1ESWXUMA1 Infineon-BTG70013A-1ESW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8caa022e018cf222d43f3b97
BTG70013A1ESWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.1V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.1V ~ 28V
Current - Output (Max): 26.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-32
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.95 грн
10+256.80 грн
25+236.61 грн
100+201.21 грн
250+191.27 грн
500+185.29 грн
1000+177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF404RAMPMC-G-UNE2 CY9B400A.PDF
CY9BF404RAMPMC-G-UNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB 120LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 120-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Number of I/O: 100
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.30 грн
10+380.41 грн
25+351.99 грн
84+304.07 грн
252+286.88 грн
504+278.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS512TFANHI010
S25HS512TFANHI010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.39 грн
10+679.74 грн
25+664.38 грн
40+620.15 грн
80+545.92 грн
338+518.83 грн
676+505.21 грн
1014+488.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7189FXUMA2 Infineon-TLE7189F-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304318f3fe290118f4afdd4f000d
TLE7189FXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-28V 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-72
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC), Brushed DC
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 695 696 697 698 699 700 701 702 703 704 705 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]