Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149900) > Сторінка 701 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 696 697 698 699 700 701 702 703 704 705 706 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956 Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF IR25603STRPBF Infineon Technologies ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF IR25603STRPBF Infineon Technologies ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.53 грн
10+80.35 грн
25+72.96 грн
100+60.90 грн
250+57.29 грн
500+55.11 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20C65D2XKSA1 IDP20C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c2a338c3e94 Description: DIODE ARR GP 650V 10A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.75 грн
50+75.78 грн
100+67.91 грн
500+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30C65D2XKSA1 IDP30C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4ef31f3ebf Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.34 грн
10+151.14 грн
100+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705E6327HTSA1 BAT1705E6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3406+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3406
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 CY8C6036BZI-F04 Infineon Technologies Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 CY8C6016BZI-F04 Infineon Technologies Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90TFI040 S29GL064N90TFI040 Infineon Technologies Infineon-S29GL064N_S29GL032N_64_Mbit_32_Mbit_3_V_Page_Mode_MirrorBit_Flash-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed556fd548b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi description Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90FFI040 S29GL064N90FFI040 Infineon Technologies Infineon-S29GL064N_S29GL032N_64_Mbit_32_Mbit_3_V_Page_Mode_MirrorBit_Flash-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed556fd548b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2 FM24C04B-G2 Infineon Technologies Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TR AUIRLR3410TR Infineon Technologies IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF002BGL-G-XXX-ERE1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon Technologies Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7 Description: 3DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon Technologies Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7 Description: 3DI
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.35 грн
10+95.26 грн
25+89.84 грн
100+71.83 грн
250+67.45 грн
500+59.02 грн
1000+48.10 грн
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.94 грн
10+146.78 грн
100+102.14 грн
500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-483 CY8C4125LQI-483 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4100_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec86cc240d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQE-S423 CY8C4146LQE-S423 Infineon Technologies Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 12x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 34
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.02 грн
10+562.89 грн
25+536.70 грн
80+437.34 грн
230+417.69 грн
490+380.83 грн
980+326.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 S25FL256SAGBHIA03 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 S25FL256SAGBHIA03 Infineon Technologies Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.07 грн
10+248.76 грн
25+241.36 грн
50+221.27 грн
100+216.02 грн
250+209.13 грн
500+200.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA2 IPP65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997 Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.83 грн
50+83.83 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2 IPP65R310CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.79 грн
50+99.69 грн
100+89.86 грн
500+68.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2 IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.88 грн
50+220.11 грн
100+201.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504TRL AUIRFR3504TRL Infineon Technologies AUIRFR3504.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 237893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49161KHTSA1 TLE49161KHTSA1 Infineon Technologies TLE4916-1K_FinalDS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431689f4420116a096e1db033e&fileId=db3a304327b8975001281b98f40d1aeb Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 5mT Trip, -5mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 10µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2155PBF IR2155PBF Infineon Technologies ir2155.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8dec316b6 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 214700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8314+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 8314
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 BCR129WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7071+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 7071
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129SH6327XTSA1 BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3116+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3116
В кошику  од. на суму  грн.
IR38060MGM18TRP Infineon Technologies Infineon-IR38060M-DS-v03_84-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c3291ea9a4cee Description: IC REG DC-DC 35IQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT Infineon Technologies Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b Description: IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT Infineon Technologies Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b Description: IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.56 грн
10+470.31 грн
25+455.94 грн
50+417.72 грн
100+407.60 грн
250+394.35 грн
500+384.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G120C5XKSA1 IDWD10G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDWD10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d53cbf5486 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD100E120D7XKSA1 IDWD100E120D7XKSA1 Infineon Technologies IDWD100E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX27001TF V15 IFX27001TF V15 Infineon Technologies Infineon-Industrial_Standard_Pocket_Guide-2015_FL-WEB-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30432d9b3066012da32dcb5b3561 Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX27001TF V26 IFX27001TF V26 Infineon Technologies Infineon-Industrial_Standard_Pocket_Guide-2015_FL-WEB-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30432d9b3066012da32dcb5b3561 Description: IC REG LINEAR 2.6V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709SPBF IRF3709SPBF Infineon Technologies irf3709pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8536193f Description: MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ100N60CTXKSA1 AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99 Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.52 грн
10+738.73 грн
30+680.93 грн
120+590.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EP1xxR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0191231d6dd30ca1 Description: ISOLATED DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Applications: Transformer Driver
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IM70D122V01XTMA1 IM70D122V01XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IM70D122-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185dfa52e616db0 Description: MIC MEMS DIGITAL PDM -26DB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.138" L x 0.104" W (3.50mm x 2.65mm)
Sensitivity: -26dB ±1dB
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 70dB
Termination: Solder Pads
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Current - Supply: 980 µA
Voltage Range: 1.62 V ~ 3.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM70D122V01XTMA1 IM70D122V01XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IM70D122-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185dfa52e616db0 Description: MIC MEMS DIGITAL PDM -26DB
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.138" L x 0.104" W (3.50mm x 2.65mm)
Sensitivity: -26dB ±1dB
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 70dB
Termination: Solder Pads
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Current - Supply: 980 µA
Voltage Range: 1.62 V ~ 3.6 V
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.05 грн
10+117.73 грн
25+108.50 грн
50+95.74 грн
100+90.02 грн
250+83.01 грн
500+76.82 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMIC50V01X6SA1 Infineon Technologies Description: INTELLIGENT POWER MODULE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC302N12N3X1SA1 Infineon Technologies DS_IPC302N12N3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442b33d4915102 Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 BAR6306WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3862+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3862
В кошику  од. на суму  грн.
IPI084N06L3GXKSA1 IPI084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies IPx084N06L3G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF164LQN-G-AVE2 CY9BF164LQN-G-AVE2 Infineon Technologies Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28 Description: IC MCU 32BIT 288KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 288KB (288K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF165KPMC-G-JNE2 CY9BF165KPMC-G-JNE2 Infineon Technologies Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28 Description: IC MCU 32BIT 416KB FLASH 48LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 416KB (416K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 8x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 33
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF165LQN-G-AVE2 CY9BF165LQN-G-AVE2 Infineon Technologies Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28 Description: IC MCU 32BIT 416KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 416KB (416K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBL10161-56LQXI CYBL10161-56LQXI Infineon Technologies Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 56UFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 8kB ROM, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 16.4mA ~ 21.5mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 12.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBL10163-56LQXI CYBL10163-56LQXI Infineon Technologies Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 56UFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 8kB ROM, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 16.4mA ~ 21.5mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 12.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3465HV1.2 Infineon Technologies Description: MUSLIC MULTICHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+1029.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL750PB34602XPSA1 Infineon Technologies Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18275HN/C1E Infineon Technologies TDA18275_SDS.pdf Description: TDA18SilicTunonboafHybrTV
Packaging: Bulk
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18275AHN/C1Y Infineon Technologies TDA18275_SDS.pdf Description: TDA18SilicTunonboafHybrTV
Packaging: Bulk
на замовлення 835082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68034-56LTXC CY7C68034-56LTXC Infineon Technologies CY7C68033_34.pdf Description: IC USB CTLR NAND NX2LP 56QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Type: NAND Flash - USB
Supplier Device Package: 56-QFN-EP (8x8)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1441.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDB6275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e58357cc43011 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.23 грн
10+89.22 грн
25+81.13 грн
100+67.77 грн
250+63.79 грн
500+61.38 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3266c0ee0c77 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+270.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956
IPD30N10S3L34ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef
IR25603STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR25603STRPBF ir25603.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9e46716ef
IR25603STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+80.35 грн
25+72.96 грн
100+60.90 грн
250+57.29 грн
500+55.11 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20C65D2XKSA1 Infineon-IDP20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c2a338c3e94
IDP20C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 650V 10A TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.75 грн
50+75.78 грн
100+67.91 грн
500+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30C65D2XKSA1 Infineon-IDP30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4ef31f3ebf
IDP30C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.34 грн
10+151.14 грн
100+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BAT1705E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3406+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3406
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C6036BZI-F04
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 150MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 Infineon-PSoC_6_MCU_PSoC_61_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee513576c97&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C6016BZI-F04
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 124BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 124-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 50MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 32K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, LINbus, QSPI, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 124-VFBGA (9x9)
Number of I/O: 104
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90TFI040 description Infineon-S29GL064N_S29GL032N_64_Mbit_32_Mbit_3_V_Page_Mode_MirrorBit_Flash-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed556fd548b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29GL064N90TFI040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064N90FFI040 Infineon-S29GL064N_S29GL032N_64_Mbit_32_Mbit_3_V_Page_Mode_MirrorBit_Flash-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed556fd548b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29GL064N90FFI040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G2
FM24C04B-G2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 550 ns
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TR IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLR3410TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF002BGL-G-XXX-ERE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7
Виробник: Infineon Technologies
Description: 3DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS9100CXTSA1 Infineon-IRS9100C-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188f84a74a34be7
Виробник: Infineon Technologies
Description: 3DI
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+95.26 грн
25+89.84 грн
100+71.83 грн
250+67.45 грн
500+59.02 грн
1000+48.10 грн
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC073N12LM6ATMA1 Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378
ISC073N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
10+146.78 грн
100+102.14 грн
500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LQI-483 Infineon-PSoC_4_PSoC_4100_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec86cc240d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4125LQI-483
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 40QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 8x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQE-S423
CY8C4146LQE-S423
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC4 - GENERAL
Packaging: Tray
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 12x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Grade: Automotive
Number of I/O: 34
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.02 грн
10+562.89 грн
25+536.70 грн
80+437.34 грн
230+417.69 грн
490+380.83 грн
980+326.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGBHIA03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHIA03 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGBHIA03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.07 грн
10+248.76 грн
25+241.36 грн
50+221.27 грн
100+216.02 грн
250+209.13 грн
500+200.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R420CFDXKSA2 Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997
IPP65R420CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
50+83.83 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA2 Infineon-IPX65R310CFD-DS-v02_03-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
IPP65R310CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.79 грн
50+99.69 грн
100+89.86 грн
500+68.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
IPP65R110CFDXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.88 грн
50+220.11 грн
100+201.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504TRL AUIRFR3504.pdf
AUIRFR3504TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
BSP129L6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 237893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
656+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49161KHTSA1 TLE4916-1K_FinalDS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431689f4420116a096e1db033e&fileId=db3a304327b8975001281b98f40d1aeb
TLE49161KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 5mT Trip, -5mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 10µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2155PBF ir2155.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8dec316b6
IR2155PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
BCR129E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 214700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8314+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 8314
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
BCR129WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7071+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 7071
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129SH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
BCR129SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3116+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3116
В кошику  од. на суму  грн.
IR38060MGM18TRP Infineon-IR38060M-DS-v03_84-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c3291ea9a4cee
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG DC-DC 35IQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b
CY15B256Q-SXAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT Infineon-CY15B256Q_256_KBIT_(32K_X_8)_AUTOMOTIVE-A_SERIAL_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c6279f3b42a8b
CY15B256Q-SXAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.56 грн
10+470.31 грн
25+455.94 грн
50+417.72 грн
100+407.60 грн
250+394.35 грн
500+384.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G120C5XKSA1 Infineon-IDWD10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d53cbf5486
IDWD10G120C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD100E120D7XKSA1 IDWD100E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf
IDWD100E120D7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX27001TF V15 Infineon-Industrial_Standard_Pocket_Guide-2015_FL-WEB-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30432d9b3066012da32dcb5b3561
IFX27001TF V15
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX27001TF V26 Infineon-Industrial_Standard_Pocket_Guide-2015_FL-WEB-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30432d9b3066012da32dcb5b3561
IFX27001TF V26
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 2.6V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709SPBF irf3709pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8536193f
IRF3709SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99
AIKQ100N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+972.52 грн
10+738.73 грн
30+680.93 грн
120+590.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 Infineon-2EP1xxR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0191231d6dd30ca1
2EP101RXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISOLATED DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Applications: Transformer Driver
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IM70D122V01XTMA1 Infineon-IM70D122-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185dfa52e616db0
IM70D122V01XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MIC MEMS DIGITAL PDM -26DB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.138" L x 0.104" W (3.50mm x 2.65mm)
Sensitivity: -26dB ±1dB
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 70dB
Termination: Solder Pads
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Current - Supply: 980 µA
Voltage Range: 1.62 V ~ 3.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM70D122V01XTMA1 Infineon-IM70D122-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185dfa52e616db0
IM70D122V01XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MIC MEMS DIGITAL PDM -26DB
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Digital, PDM
Size / Dimension: 0.138" L x 0.104" W (3.50mm x 2.65mm)
Sensitivity: -26dB ±1dB
Shape: Rectangular
Type: MEMS (Silicon)
S/N Ratio: 70dB
Termination: Solder Pads
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Port Location: Bottom
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Current - Supply: 980 µA
Voltage Range: 1.62 V ~ 3.6 V
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.05 грн
10+117.73 грн
25+108.50 грн
50+95.74 грн
100+90.02 грн
250+83.01 грн
500+76.82 грн
1000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMIC50V01X6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTELLIGENT POWER MODULE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC302N12N3X1SA1 DS_IPC302N12N3_2_5.pdf?fileId=db3a30434422e00e01442b33d4915102
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570
IPG20N06S415AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
402+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR6306WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW PG-SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3862+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3862
В кошику  од. на суму  грн.
IPI084N06L3GXKSA1 IPx084N06L3G.pdf
IPI084N06L3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF164LQN-G-AVE2 Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28
CY9BF164LQN-G-AVE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 288KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 288KB (288K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF165KPMC-G-JNE2 Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28
CY9BF165KPMC-G-JNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 416KB FLASH 48LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 416KB (416K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 8x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 33
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF165LQN-G-AVE2 Infineon-MB9B160L_Series_32-Bit_ARM_Cortex_-M4F_FM4_Microcontroller-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81fb7ad20182159c3fb45f28
CY9BF165LQN-G-AVE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 416KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 416KB (416K x 8)
RAM Size: 48K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBL10161-56LQXI
CYBL10161-56LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 56UFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 8kB ROM, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 16.4mA ~ 21.5mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 12.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBL10163-56LQXI
CYBL10163-56LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 56UFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 128kB Flash, 8kB ROM, 16kB SRAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Power - Output: 3dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 16.4mA ~ 21.5mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 12.5mA ~ 20mA
Supplier Device Package: 56-QFN (7x7)
GPIO: 36
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB3465HV1.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MUSLIC MULTICHANNEL SUBSCRIBER L
Packaging: Bulk
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+1029.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL750PB34602XPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18275HN/C1E TDA18275_SDS.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA18SilicTunonboafHybrTV
Packaging: Bulk
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
TDA18275AHN/C1Y TDA18275_SDS.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA18SilicTunonboafHybrTV
Packaging: Bulk
на замовлення 835082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68034-56LTXC CY7C68033_34.pdf
CY7C68034-56LTXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB CTLR NAND NX2LP 56QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Type: NAND Flash - USB
Supplier Device Package: 56-QFN-EP (8x8)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1441.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 Infineon-1EDB6275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e58357cc43011
1EDB6275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.23 грн
10+89.22 грн
25+81.13 грн
100+67.77 грн
250+63.79 грн
500+61.38 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 Infineon-IPB068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3266c0ee0c77
IPB068N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+270.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 696 697 698 699 700 701 702 703 704 705 706 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]