Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119458) > Сторінка 1960 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+585.04 грн
10+471.27 грн
27+440.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 0.6/1.2kV
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+908.67 грн
3+760.89 грн
10+668.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.18 грн
10+95.43 грн
25+76.17 грн
100+69.48 грн
125+67.80 грн
250+64.45 грн
400+61.94 грн
500+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 BTS70101EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.96 грн
10+81.20 грн
25+77.01 грн
50+72.82 грн
100+70.31 грн
250+65.29 грн
500+62.78 грн
1000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAW101E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.70 грн
5+138.12 грн
10+128.91 грн
25+118.03 грн
50+115.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 PVI1050NSPBFHLLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+510.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.06 грн
19+22.18 грн
100+15.32 грн
200+14.06 грн
250+13.64 грн
500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
T1590N28TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. load current: 3.2kA
Load current: 1.59kA
Gate current: 300mA
Case: BG-T10026K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 30Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Case: AG-62MM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV62.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 12...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
Output current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.99 грн
13+32.81 грн
100+21.93 грн
500+17.33 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC847PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: bridge
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0LDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS115B0.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.60 грн
10+121.37 грн
50+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R040C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1045.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+589.55 грн
5+452.85 грн
10+421.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.07 грн
15+28.54 грн
100+18.16 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+872.61 грн
5+668.81 грн
25+587.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RS-TPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 0.5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2982STRPBF IRS2982STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2982S-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; SMPS controller,LED driver; PG-DSO-8; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Output current: 200...400mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 12.8...18V DC
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2548DSTRPBF IRS2548DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2548D-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: SO14
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: dead time; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...15.6V DC
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e Category: Diodes - Unclassified
Description: ESD130B1W0201E6327XTSA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P BTS443P INFINEON TECHNOLOGIES BTS443P_DS_v10.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 20A; 50W; PG-TDSON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.5Ω
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 0.1Ω
Turn-on time: 3.5ms
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+620.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.24 грн
5+143.98 грн
10+136.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.50 грн
10+142.30 грн
25+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR08PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.44 грн
45+10.21 грн
100+9.04 грн
500+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr08pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144068b8bc02fd Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC88,SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF IRFP4368PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4368pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISA150233C03LMDS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d2ed4aca62c5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.42 грн
10+272.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.80 грн
10+200.06 грн
50+187.50 грн
100+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4066DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4066D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Gate charge: 225nC
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Power dissipation: 227W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21064S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.77 грн
10+110.49 грн
50+77.85 грн
100+76.17 грн
250+71.99 грн
500+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.04 грн
10+471.27 грн
27+440.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 0.6/1.2kV
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+908.67 грн
3+760.89 грн
10+668.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.18 грн
10+95.43 грн
25+76.17 грн
100+69.48 грн
125+67.80 грн
250+64.45 грн
400+61.94 грн
500+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf
BTS70101EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.96 грн
10+81.20 грн
25+77.01 грн
50+72.82 грн
100+70.31 грн
250+65.29 грн
500+62.78 грн
1000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1.pdf
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Case: SOT143
Semiconductor structure: double independent
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 1µs
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...24V DC
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.70 грн
5+138.12 грн
10+128.91 грн
25+118.03 грн
50+115.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBFHLLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+510.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RF.pdf
IKD03N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.06 грн
19+22.18 грн
100+15.32 грн
200+14.06 грн
250+13.64 грн
500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
T1590N28TOFVTXPSA1 Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. load current: 3.2kA
Load current: 1.59kA
Gate current: 300mA
Case: BG-T10026K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 30Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Case: AG-62MM-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62.pdf
BCV62BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 12...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
Output current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7S.pdf
IPD70R900P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.99 грн
13+32.81 грн
100+21.93 грн
500+17.33 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6433XTMA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Input voltage: 10...15.6V
Integrated circuit features: bridge
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0.pdf
TLS115B0LDXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.60 грн
10+121.37 грн
50+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5.pdf
IKP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7-DTE.pdf
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.55 грн
5+452.85 грн
10+421.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFD-DTE.pdf
IPP65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.07 грн
15+28.54 грн
100+18.16 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF IRSDS10627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.61 грн
5+668.81 грн
25+587.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF.pdf
PVI5033RS-TPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 0.5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2982STRPBF IRS2982S-DTE.pdf
IRS2982STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; SMPS controller,LED driver; PG-DSO-8; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Output current: 200...400mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 12.8...18V DC
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2548DSTRPBF IRS2548D-DTE.pdf
IRS2548DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: SO14
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: dead time; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...15.6V DC
Topology: boost
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - Unclassified
Description: ESD130B1W0201E6327XTSA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P description BTS443P_DS_v10.pdf
BTS443P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 20A; 50W; PG-TDSON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.5Ω
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 0.1Ω
Turn-on time: 3.5ms
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+620.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF irfp3710.pdf
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.24 грн
5+143.98 грн
10+136.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.50 грн
10+142.30 грн
25+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327.pdf
BCR08PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+12.44 грн
45+10.21 грн
100+9.04 грн
500+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327XTSA1 bcr08pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144068b8bc02fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC88,SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF description irfp4368pbf.pdf
IRFP4368PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Case: SOIC8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA1 Infineon-ISA150233C03LMDS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d2ed4aca62c5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
IPP030N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.42 грн
10+272.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.80 грн
10+200.06 грн
50+187.50 грн
100+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3G-DTE.pdf
IPI030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF.pdf
IRGP4066DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1.pdf
AUIRGP4066D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Gate charge: 225nC
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Power dissipation: 227W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2106S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21064S06JXUMA1 Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G-DTE.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.77 грн
10+110.49 грн
50+77.85 грн
100+76.17 грн
250+71.99 грн
500+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3G-DTE.pdf
IPP037N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]