Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119468) > Сторінка 392 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4274GV50ATMA1 TLE4274GV50ATMA1 Infineon Technologies INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 TLE4274GV50ATMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1 Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.85 грн
10+97.72 грн
25+89.03 грн
100+74.58 грн
250+70.31 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4235V-15ASXC Infineon Technologies CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 36K (2K x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1421.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 IPA60R125P6 Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP IPB60R600CP Infineon Technologies INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP IPB60R520CP Infineon Technologies INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP IPB60R250CP Infineon Technologies INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3130.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2273
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 Infineon Technologies INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+944.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPP120N06S4H1AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-H1.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-02.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2 IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120388c9cf60caf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.82 грн
10+127.72 грн
100+88.48 грн
500+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMOTION2GOTOBO1 EVALIMOTION2GOTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-iMOTION2GO-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462719b59230171abbcc2b4481b Description: EVAL BOARD FOR IMC101T
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IMC101T
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1722.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBFTR Infineon Technologies irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161PI-LM3V SAB-C161PI-LM3V Infineon Technologies INFNS00746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SAB-C161PI-LF 3V CA - LEGACY 16-
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 3K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-100-2
Part Status: Active
Number of I/O: 76
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+431.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161O-L25M SAB-C161O-L25M Infineon Technologies INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SAB-C161O-L25M HA - LEGACY 16-BI
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+818.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5XT Infineon Technologies Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21653EV1.4-G Infineon Technologies Description: INCA -IP2 SINGLE-CHIP IP PHONE W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3399.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTR IRFR9N20DTR Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRL IRFR9N20DTRL Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRR IRFR9N20DTRR Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF IRFR9N20DPBF Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b description Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBF IRFR9N20DTRLPBF Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAALXUMA1 TC333LP32F200FAALXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7 Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.43 грн
10+174.81 грн
25+160.43 грн
100+135.71 грн
250+128.64 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.42 грн
10+320.38 грн
100+242.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBF Infineon Technologies irf6811spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0b3661ab6 Description: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2260NV3.0SICOFI Infineon Technologies Description: SICOFI CODEC FILTER
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1218.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2EDF7175FXUMA2 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.88 грн
10+119.09 грн
25+108.80 грн
100+91.49 грн
250+86.42 грн
500+83.37 грн
1000+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2EDS8165HXUMA2 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.09 грн
10+108.14 грн
25+98.63 грн
100+82.80 грн
250+78.15 грн
500+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA2 2EDF7275FXUMA2 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1500 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.00 грн
10+120.82 грн
25+110.36 грн
100+92.80 грн
250+87.67 грн
500+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB10N10 G SPB10N10 G Infineon Technologies SPB10N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E6327 BFR182E6327 Infineon Technologies INFNS10845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 79170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3480+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3480
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746PBF-INF IRFR7746PBF-INF Infineon Technologies IRSD-S-A0000176414-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSG BSC120N03LSG Infineon Technologies INFNS27238-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N03S4L03ATMA1 IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466 Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.69 грн
10+228.06 грн
100+162.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAB182002TCV2XWSA1 Infineon Technologies Description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 Infineon Technologies Infineon-1kW_Engine_Cooling_Fan_Reference_Design_Fact_Sheet-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172ffa9a403738e Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Power Supply
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+62019.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Interface: I2C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Sensor Type: Hall Effect
Utilized IC / Part: TLI493D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Sensing Range: ±160mT
Part Status: Active
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 TLE42062GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.95 грн
10+95.47 грн
25+86.99 грн
100+72.89 грн
250+68.73 грн
500+66.21 грн
1000+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.81 грн
8000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.44 грн
10+47.77 грн
100+31.27 грн
500+22.69 грн
1000+20.55 грн
2000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
62-1039PBF Infineon Technologies Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05WH6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05E6327HTSA1 BAT17-05E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WE6327 BAT17-06WE6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WH6327 BAT17-06WH6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA1 INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4274GV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1
TLE4274GV50ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.85 грн
10+97.72 грн
25+89.03 грн
100+74.58 грн
250+70.31 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf
CY7C4235V-15ASXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 36K (2K x 18)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: Yes
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1421.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXET
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f
IPA60R125P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R600CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
IPB60R250CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R250CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130.pdf
BG3130RH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2273+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2273
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+944.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPx120N06S4-H1.pdf
IPP120N06S4H1AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPx120N06S4-02.pdf
IPI120N06S402AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon-I120N06S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120388c9cf60caf
IPB120N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
10+127.72 грн
100+88.48 грн
500+69.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMOTION2GOTOBO1 Infineon-EVAL-iMOTION2GO-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462719b59230171abbcc2b4481b
EVALIMOTION2GOTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMC101T
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IMC101T
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1722.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBFTR irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161PI-LM3V INFNS00746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAB-C161PI-LM3V
Виробник: Infineon Technologies
Description: SAB-C161PI-LF 3V CA - LEGACY 16-
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 3K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 4x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-100-2
Part Status: Active
Number of I/O: 76
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+431.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161O-L25M INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAB-C161O-L25M
Виробник: Infineon Technologies
Description: SAB-C161O-L25M HA - LEGACY 16-BI
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+818.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5XT Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
611+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21653EV1.4-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: INCA -IP2 SINGLE-CHIP IP PHONE W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3399.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTR irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRL irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRR irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF description irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBF irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAALXUMA1 Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7
TC333LP32F200FAALXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDS8265HXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.43 грн
10+174.81 грн
25+160.43 грн
100+135.71 грн
250+128.64 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.42 грн
10+320.38 грн
100+242.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6811STR1PBF irf6811spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0b3661ab6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1 Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1
IGD15N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1 Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1
IGD15N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2260NV3.0SICOFI
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI CODEC FILTER
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+1218.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDF7175FXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.88 грн
10+119.09 грн
25+108.80 грн
100+91.49 грн
250+86.42 грн
500+83.37 грн
1000+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDS8165HXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.09 грн
10+108.14 грн
25+98.63 грн
100+82.80 грн
250+78.15 грн
500+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDF7275FXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1500 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.00 грн
10+120.82 грн
25+110.36 грн
100+92.80 грн
250+87.67 грн
500+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB10N10 G SPB10N10.pdf
SPB10N10 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E6327 INFNS10845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR182E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 79170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3480+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3480
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746PBF-INF IRSD-S-A0000176414-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFR7746PBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSG INFNS27238-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC120N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466
IPB120N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.69 грн
10+228.06 грн
100+162.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTAB182002TCV2XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1 Infineon-1kW_Engine_Cooling_Fan_Reference_Design_Fact_Sheet-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0172ffa9a403738e
REFENGCOOLFAN1KWTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Power Supply
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+62019.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEV KIT
Packaging: Bulk
Interface: I2C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Sensor Type: Hall Effect
Utilized IC / Part: TLI493D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Sensing Range: ±160mT
Part Status: Active
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE42062GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42062GXUMA2 Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE42062GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 8V-18V 14DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.95 грн
10+95.47 грн
25+86.99 грн
100+72.89 грн
250+68.73 грн
500+66.21 грн
1000+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
BSP296NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.81 грн
8000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6433XTMA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
BSP296NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.44 грн
10+47.77 грн
100+31.27 грн
500+22.69 грн
1000+20.55 грн
2000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
62-1039PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05WH6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-05E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-05E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WE6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-06WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2443+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-06WH6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT17-06WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4157+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]