Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16121) > Сторінка 267 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CLA60MT1200NTZ-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 66A; 30A; Igt: 60mA; SMD
Gate current: 60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 66A
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
Type of thyristor: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NHR IXYS CLA40MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 60/100A; ISO247™; tube; Ifsm: 155A
Max. forward impulse current: 155A
Gate current: 60/100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 44A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 44A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-06A DSEI2X101-06A IXYS DSEI2x101-06A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 96A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 192A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2865.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-12B DSEI2X61-12B IXYS DSEI2x61-12B.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 104A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2008.57 грн
5+1800.19 грн
10+1741.85 грн
20+1741.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X31-06C DSEI2X31-06C IXYS DSEI2X3x.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 260A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: FRED
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2172.26 грн
3+1884.82 грн
5+1860.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-04C DSEI2X61-04C IXYS DSEI2X61-04C.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1690.03 грн
10+1463.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X31-12B DSEI2X31-12B IXYS DSEI2x31-12B.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 28Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 28A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.55V
Max. forward impulse current: 210A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 46A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2055.46 грн
5+1699.13 грн
10+1556.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A DSEP2X91-03A IXYS DSEP2X91-03A-DTE.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2905.79 грн
10+2386.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A DSEP2X101-04A IXYS DSEP2X101-04A.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 200A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6139.85 грн
10+2590.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T IXTA160N10T IXYS 238_littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; D2PAK,TO263AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta160n10t7_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO263-7; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10T IXYS 930fea42d6444a0e92695651359abcd1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 160A; 430W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDNA280UB2200PTED IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3 IXYS IXYR100N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X161-12P DSEI2X161-12P IXYS DSEI2X161-12P.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 128Ax2; ECO-PAC 2
Max. forward voltage: 1.9V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: THT
Load current: 128A x2
Max. load current: 256A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Case: ECO-PAC 2
Max. forward impulse current: 1.2kA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3150.00 грн
10+2846.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+954.73 грн
2+584.18 грн
5+552.13 грн
120+542.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXTT68P20T IXYS IXT_68P20T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 245ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1478.55 грн
5+1189.72 грн
10+1095.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2330N CPC2330N IXYS CPC2330N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SO8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.76 грн
50+228.41 грн
150+216.09 грн
500+215.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAA132 PAA132 IXYS PAA132.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VGO36-16IO7 VGO36-16IO7 IXYS VGO36-16io7.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 36A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 280A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 65mA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1452.89 грн
3+1240.66 грн
5+1174.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS GUO40-12NO1.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Ifsm: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: GUFP
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 370A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1633.40 грн
5+1359.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-16io1B MCC72-16io1B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 116A; TO240AA; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 150/200mA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3312.81 грн
3+2713.84 грн
10+2440.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC21-14IO8B MCC21-14IO8B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 21A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 21A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.52V
Max. forward impulse current: 345A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 65/80mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2134.21 грн
5+1804.30 грн
10+1671.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-18NO8 VUO36-18NO8 IXYS VUO36-18NO8.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 27A; Ifsm: 550A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 27A
Case: FO-B
Max. forward voltage: 1.05V
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: square
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1333.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127N IX2127N IXYS IX2127.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3 IXYS IXFA80N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+585.76 грн
3+494.62 грн
5+479.01 грн
10+459.29 грн
25+434.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 IXFA230N075T2 IXYS IXFA(P)230N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+290.22 грн
3+242.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXFA60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.12 грн
10+352.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS IXFA230N075T2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+520.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 IXTA170N075T2 IXYS IXTA(P)170N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 63ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.41 грн
3+228.41 грн
6+173.36 грн
15+164.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120 IXYS IXFA3N120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+803.43 грн
3+481.47 грн
5+467.51 грн
10+451.07 грн
20+449.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI45-08A DSI45-08A IXYS DSI45-08A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.73 грн
10+243.20 грн
30+219.38 грн
60+207.05 грн
120+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TUB DSP45-12AZ-TUB IXYS DSP45-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Case: TO268AA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO22-14NO1 IXYS VUO22-14NO1.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors
Case: V1-A-Pack
Version: module
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 22A
Leads dimensions: 2x0.5mm
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-14NO7 IXYS VUO122-14NO7.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: ECO-PAC 2
Version: module
Leads: wire Ø 1.5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 125A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.13V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 IXYS IXTK(X)600N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh75n60b3-datasheet?assetguid=65b0869f-7d80-4345-86e6-e47e8d0b05bf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 160A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Gate charge: 107nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV IXYS IXTA08N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRL IXTA08N100D2HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mounting: THT
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL IXFA10N80P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 10A; 300W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 80nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1043.22 грн
3+902.15 грн
10+739.47 грн
30+615.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2488.15 грн
5+2082.01 грн
10+1955.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL IXYA50N65C3-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 250A
Turn-off time: 90ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS IXYH50N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZY200L340 IXYS littelfuse_power_semiconductors_product_catalog.pdf.pdf Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.22 грн
5+193.90 грн
14+183.22 грн
70+180.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTY01N100 IXYS IXTU(Y)01N100.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.23 грн
5+118.31 грн
25+106.81 грн
70+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D IXTY02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 1µs
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 400mA; 25W; DPAK,TO252AA; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Reverse recovery time: 1.5µs
Version: module
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL IXTY08N100D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; DPAK,TO252AA; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P IXTY08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO252; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80E1400HB IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.4kV; 80A; TO247-3; THT; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134S PLA134S IXYS PLA134.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Max. operating current: 350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 3Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1382.11 грн
50+842.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NTZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 66A; 30A; Igt: 60mA; SMD
Gate current: 60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. load current: 66A
Kind of package: reel; tape
Case: D3PAK; TO268AA
Type of thyristor: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NHR CLA40MT1200NHR.pdf
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 60/100A; ISO247™; tube; Ifsm: 155A
Max. forward impulse current: 155A
Gate current: 60/100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 44A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 44A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-06A DSEI2x101-06A.pdf
DSEI2X101-06A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 96A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 192A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2865.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-12B description DSEI2x61-12B.pdf
DSEI2X61-12B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 52Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 104A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2008.57 грн
5+1800.19 грн
10+1741.85 грн
20+1741.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X31-06C DSEI2X3x.pdf
DSEI2X31-06C
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 260A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: FRED
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2172.26 грн
3+1884.82 грн
5+1860.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-04C DSEI2X61-04C.pdf
DSEI2X61-04C
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 120A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1690.03 грн
10+1463.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X31-12B description DSEI2x31-12B.pdf
DSEI2X31-12B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 28Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 28A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.55V
Max. forward impulse current: 210A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 46A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2055.46 грн
5+1699.13 грн
10+1556.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X91-03A description DSEP2X91-03A-DTE.pdf
DSEP2X91-03A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 300V; If: 90Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 90A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 180A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2905.79 грн
10+2386.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A DSEP2X101-04A.pdf
DSEP2X101-04A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 200A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6139.85 грн
10+2590.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T 238_littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf
IXTA160N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; D2PAK,TO263AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA160N10T7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta160n10t7_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO263-7; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10T 930fea42d6444a0e92695651359abcd1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 160A; 430W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDNA280UB2200PTED
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3.pdf
IXYR100N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N65A3V1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
IXFY4N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X161-12P DSEI2X161-12P.pdf
DSEI2X161-12P
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 128Ax2; ECO-PAC 2
Max. forward voltage: 1.9V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: THT
Load current: 128A x2
Max. load current: 256A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double independent
Case: ECO-PAC 2
Max. forward impulse current: 1.2kA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3150.00 грн
10+2846.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+954.73 грн
2+584.18 грн
5+552.13 грн
120+542.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXT_68P20T.pdf
IXTT68P20T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 245ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1478.55 грн
5+1189.72 грн
10+1095.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2330N CPC2330N.pdf
CPC2330N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 3ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SO8
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.76 грн
50+228.41 грн
150+216.09 грн
500+215.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAA132 PAA132.pdf
PAA132
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 600mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VGO36-16IO7 VGO36-16io7.pdf
VGO36-16IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 36A; Igt: 65mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 36A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 280A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 65mA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1452.89 грн
3+1240.66 грн
5+1174.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1.pdf
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Ifsm: 370A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: GUFP
Max. forward voltage: 1.06V
Max. forward impulse current: 370A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1633.40 грн
5+1359.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC72-16io1B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCC72-16io1B
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 116A; TO240AA; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 116A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.82V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 150/200mA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3312.81 грн
3+2713.84 грн
10+2440.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC21-14IO8B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCC21-14IO8B
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 21A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 21A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.52V
Max. forward impulse current: 345A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 65/80mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2134.21 грн
5+1804.30 грн
10+1671.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-18NO8 VUO36-18NO8.pdf
VUO36-18NO8
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 27A; Ifsm: 550A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 27A
Case: FO-B
Max. forward voltage: 1.05V
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: square
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Type of bridge rectifier: three-phase
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1333.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127N IX2127.pdf
IX2127N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3 IXFA80N25X3.pdf
IXFA80N25X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.76 грн
3+494.62 грн
5+479.01 грн
10+459.29 грн
25+434.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 IXFA(P)230N075T2.pdf
IXFA230N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.22 грн
3+242.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFA60N25X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.12 грн
10+352.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7.pdf
IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 IXTA(P)170N075T2.pdf
IXTA170N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 63ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.41 грн
3+228.41 грн
6+173.36 грн
15+164.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120.pdf
IXFA3N120
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+803.43 грн
3+481.47 грн
5+467.51 грн
10+451.07 грн
20+449.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI45-08A DSI45-08A.pdf
DSI45-08A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.73 грн
10+243.20 грн
30+219.38 грн
60+207.05 грн
120+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TUB DSP45-12AZ.pdf
DSP45-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Case: TO268AA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO22-14NO1 VUO22-14NO1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors
Case: V1-A-Pack
Version: module
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 22A
Leads dimensions: 2x0.5mm
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-14NO7 VUO122-14NO7.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: ECO-PAC 2
Version: module
Leads: wire Ø 1.5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 125A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.13V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTK(X)600N04T2.pdf
IXTX600N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixxh75n60b3-datasheet?assetguid=65b0869f-7d80-4345-86e6-e47e8d0b05bf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 160A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Gate charge: 107nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV.pdf
IXTA08N100D2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015
IXTA08N100D2HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGK320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mounting: THT
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
IXFA10N80P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 10A; 300W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 80nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1043.22 грн
3+902.15 грн
10+739.47 грн
30+615.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2488.15 грн
5+2082.01 грн
10+1955.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL
IXYA50N65C3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 250A
Turn-off time: 90ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1.pdf
IXYH50N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZY200L340 littelfuse_power_semiconductors_product_catalog.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+413.22 грн
5+193.90 грн
14+183.22 грн
70+180.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTU(Y)01N100.pdf
IXTY01N100
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+144.23 грн
5+118.31 грн
25+106.81 грн
70+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
IXTY02N50D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 1µs
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 400mA; 25W; DPAK,TO252AA; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Reverse recovery time: 1.5µs
Version: module
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTY08N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; DPAK,TO252AA; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTY08N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO252; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a
IXTY08N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80E1400HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.4kV; 80A; TO247-3; THT; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134S PLA134.pdf
PLA134S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Max. operating current: 350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 3Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1382.11 грн
50+842.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.