Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16121) > Сторінка 266 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBT10N170 IXBT10N170 IXYS IXBH(T)10N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+653.89 грн
2+500.37 грн
3+499.55 грн
6+472.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NTR IX4427NTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.94 грн
10+56.20 грн
22+42.89 грн
61+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NE IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=67e4d75c-b4a5-4db3-a140-f5f519d719ca Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Impulse rise time: 10ns
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NETR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=67e4d75c-b4a5-4db3-a140-f5f519d719ca Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Impulse rise time: 10ns
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T IXFR230N20T IXYS IXFR230N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Case: ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2032.46 грн
3+1699.13 грн
10+1503.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXTQ130N20T IXYS IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+714.94 грн
3+597.32 грн
10+527.49 грн
30+474.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T IXFN230N20T IXYS IXFN230N20T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 630A
Power dissipation: 1090W
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20T IXTA32N20T IXYS IXTA(P)32N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS CPC5603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21R IXBOD1-21R IXYS IXBOD1_v2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; 2.1kV; bulk
Mounting: THT
Breakover voltage: 2.1kV
Max. load current: 0.9A
Kind of package: bulk
Case: BOD
Type of thyristor: BOD x3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6920.27 грн
3+5679.10 грн
10+5102.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 IXYS IXYH40N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 206ns
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO40-08NO6 VBO40-08NO6 IXYS VBO40-08NO6.pdf Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 40A; Ifsm: 320A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Case: SOT227B
Version: module
Mechanical mounting: screw
Leads: M4 screws
Electrical mounting: screw
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2180.22 грн
5+1971.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100X IXFK52N100X IXYS IXFK(X)52N100X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN52N100X IXFN52N100X IXYS IXFN52N100X.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.125Ω
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 245nC
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 260ns
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-52n100x-datasheet?assetguid=dc55a3c4-8c68-427d-a26d-524403f41306 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 52A; 1.25kW; TO247-3; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRL IXTA100N04T2-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; D2PAK,TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF2388BTR LF2388BTR IXYS LF2388BTR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -750...420mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SO20
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18R IXBOD1-18R IXYS IXBOD1_v2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 1.25A; BOD; THT; 1.8kV; bulk
Mounting: THT
Breakover voltage: 1.8kV
Max. load current: 1.25A
Kind of package: bulk
Case: BOD
Type of thyristor: BOD x2
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5427.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC200-16io1 IXYS L627.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 196Ax2; Y4-M6; Ufmax: 1.2V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 196A x2
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 8.6kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25P IXTQ64N25P IXYS IXTQ64N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS1201 PS1201 IXYS PS1201.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+530.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450 IXYS IXYL60N450.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 38A; 417W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 680A
Mounting: THT
Gate charge: 366nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 724ns
Turn-off time: 1.58µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2 IXTT360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-18io1 MCD162-18io1 IXYS MCD162-18IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4716.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-14io1 MCC162-14io1 IXYS MCC162-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V
Max. forward impulse current: 5.1kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5412.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-18io1 MCC162-18io1 IXYS MCC162-18IO1-dte.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.25V
Max. forward impulse current: 6.48kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.25V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6161.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-08io1 IXYS MCD162-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-12io1 IXYS MCD162-12IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-14io1 IXYS MCD162-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-12io1 MCC162-12io1 IXYS MCC162-12IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Max. forward impulse current: 6.48kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2x180N10T IXYS DS99752BIXTL2x180N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 100A; 150W; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 151nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20T IXFK170N20T IXYS IXFK(X)170N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10P IXFK170N10P IXYS IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20P IXFK170N20P IXYS IXF_170N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3 IXFK170N25X3 IXYS IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N120 IXTH6N120 IXYS IXTH(T)6N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N120L3KHV IXYS ixsh50n120l3khv-datasheet?assetguid=9644dbfd-17f3-4dea-9c3f-6522d4396c27 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH150N120L3KHV IXYS ixsh150n120l3khv-datasheet?assetguid=3b24457e-312a-48d4-b272-f6237e6614ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT64N60B3-TRL IXYS PdfFile218150.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 460W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 IXGX100N170 IXYS IXGK(X)100N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 285ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1909J CPC1909J IXYS CPC1909.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 6500mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 6.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 25ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1908J CPC1908J IXYS CPC1908.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 3500mA; max.60VAC
Max. operating current: 3.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
On-state resistance: 0.3Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Case: i4-pac
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426N IX4426N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.13 грн
10+46.18 грн
25+42.97 грн
50+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CMTR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CN IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CNTR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC DSEE29-12CC IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: ISOPLUS220™
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.62V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+824.66 грн
3+664.70 грн
10+604.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12A DSI30-12A IXYS DSI30-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 300A; TO220AC; tube; 160W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.29 грн
5+172.54 грн
10+156.11 грн
25+139.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA IXYS DHG30I1200HA.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-2; tube; 180W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.95V
Power dissipation: 180W
Technology: Sonic FRD™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.40 грн
10+270.32 грн
20+234.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-12B DSEI2X30-12B IXYS DSEI2X30-12B.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 375A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.2V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2014.76 грн
10+1570.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X31-12A DSEP2X31-12A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9c404301-9b52-434d-94d6-c96c0ef74990&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP2x31-12A-Datasheet description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 200A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.77V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2562.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3MMIX1F132N50P3
MMIX1F132N50P3MMIX1F132N50P3
 MMIX1F132N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Gate charge: 267nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: SMPD
On-state resistance: 43mΩ
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3610.11 грн
3+2964.44 грн
10+2662.08 грн
20+2484.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CPI IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CSIA IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CSIATR IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB IXYS CLA40MT1200NPB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.01 грн
10+253.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TUB CLA40MT1200NPZ-TUB IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO263ABHV
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 33A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT10N170 IXBH(T)10N170.pdf
IXBT10N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+653.89 грн
2+500.37 грн
3+499.55 грн
6+472.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NTR IX4426-27-28.pdf
IX4427NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -1.5...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Number of channels: 2
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.94 грн
10+56.20 грн
22+42.89 грн
61+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NE littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=67e4d75c-b4a5-4db3-a140-f5f519d719ca
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Impulse rise time: 10ns
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4427NETR littelfuse-integrated-circuits-ix4426-27-28-datasheet?assetguid=67e4d75c-b4a5-4db3-a140-f5f519d719ca
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 4.5÷30V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...30V
Kind of output: non-inverting
Impulse rise time: 10ns
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 8ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR230N20T IXFR230N20T.pdf
IXFR230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Case: ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2032.46 грн
3+1699.13 грн
10+1503.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf
IXTQ130N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+714.94 грн
3+597.32 грн
10+527.49 грн
30+474.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T IXFN230N20T.pdf
IXFN230N20T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 630A
Power dissipation: 1090W
Technology: GigaMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32N20T IXTA(P)32N20T.pdf
IXTA32N20T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-21R IXBOD1_v2.pdf
IXBOD1-21R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; 2.1kV; bulk
Mounting: THT
Breakover voltage: 2.1kV
Max. load current: 0.9A
Kind of package: bulk
Case: BOD
Type of thyristor: BOD x3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6920.27 грн
3+5679.10 грн
10+5102.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1.pdf
IXYH40N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 206ns
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO40-08NO6 VBO40-08NO6.pdf
VBO40-08NO6
Виробник: IXYS
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 40A; Ifsm: 320A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Case: SOT227B
Version: module
Mechanical mounting: screw
Leads: M4 screws
Electrical mounting: screw
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2180.22 грн
5+1971.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100X IXFK(X)52N100X.pdf
IXFK52N100X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN52N100X IXFN52N100X.pdf
IXFN52N100X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.125Ω
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 245nC
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 260ns
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-52n100x-datasheet?assetguid=dc55a3c4-8c68-427d-a26d-524403f41306
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 52A; 1.25kW; TO247-3; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA100N04T2-TRL
IXTA100N04T2-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; D2PAK,TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LF2388BTR LF2388BTR.pdf
LF2388BTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -750...420mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: SO20
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD1-18R IXBOD1_v2.pdf
IXBOD1-18R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 1.25A; BOD; THT; 1.8kV; bulk
Mounting: THT
Breakover voltage: 1.8kV
Max. load current: 1.25A
Kind of package: bulk
Case: BOD
Type of thyristor: BOD x2
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5427.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC200-16io1 L627.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 196Ax2; Y4-M6; Ufmax: 1.2V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 196A x2
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 8.6kA
Gate current: 150/220mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25P IXTQ64N25P-DTE.pdf
IXTQ64N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 200W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 38A
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS1201 PS1201.pdf
PS1201
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.400VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 3.75kV
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Relay variant: 1-phase
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: max. 400V AC
Case: SIP4
Max. operating current: 1A
Control current max.: 100mA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+530.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYL60N450 IXYL60N450.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 38A; 417W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Collector current: 38A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 680A
Mounting: THT
Gate charge: 366nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 724ns
Turn-off time: 1.58µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTT360N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTH360N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-18io1 MCD162-18IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCD162-18io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4716.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-14io1 MCC162-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCC162-14io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V
Max. forward impulse current: 5.1kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5412.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-18io1 MCC162-18IO1-dte.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCC162-18io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.25V
Max. forward impulse current: 6.48kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.25V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6161.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-08io1 MCD162-08io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-12io1 MCD162-12IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-14io1 MCD162-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Max. forward impulse current: 6kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.03V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Threshold on-voltage: 0.88V
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC162-12io1 MCC162-12IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCC162-12io1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Max. forward impulse current: 6.48kA
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 181A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2x180N10T DS99752BIXTL2x180N10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 100A; 150W; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 151nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20T IXFK(X)170N20T.pdf
IXFK170N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10P IXFH170N10P_IXFK170N10P.pdf
IXFK170N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20P IXF_170N20P.pdf
IXFK170N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3 IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf
IXFK170N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N120 IXTH(T)6N120.pdf
IXTH6N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH50N120L3KHV ixsh50n120l3khv-datasheet?assetguid=9644dbfd-17f3-4dea-9c3f-6522d4396c27
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH150N120L3KHV ixsh150n120l3khv-datasheet?assetguid=3b24457e-312a-48d4-b272-f6237e6614ca
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT64N60B3-TRL PdfFile218150.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 460W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 IXGK(X)100N170.pdf
IXGX100N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 285ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1909J CPC1909.pdf
CPC1909J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 6500mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 6.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 25ms
Turn-off time: 10ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1908J CPC1908.pdf
CPC1908J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 3500mA; max.60VAC
Max. operating current: 3.5A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
On-state resistance: 0.3Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Case: i4-pac
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 100mA
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426N IX4426-27-28.pdf
IX4426N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.13 грн
10+46.18 грн
25+42.97 грн
50+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CMTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CN
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4426CNTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE29-12CC media?resourcetype=datasheets&itemid=24507e8a-7c41-4bc2-92b1-51550d9eec5c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEE29-12CC-Datasheet
DSEE29-12CC
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS220™; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: ISOPLUS220™
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.62V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+824.66 грн
3+664.70 грн
10+604.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12A DSI30-12A.pdf
DSI30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 300A; TO220AC; tube; 160W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.29 грн
5+172.54 грн
10+156.11 грн
25+139.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DHG30I1200HA DHG30I1200HA.pdf
DHG30I1200HA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-2; tube; 180W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.95V
Power dissipation: 180W
Technology: Sonic FRD™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.40 грн
10+270.32 грн
20+234.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X30-12B DSEI2X30-12B.pdf
DSEI2X30-12B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 375A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.2V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2014.76 грн
10+1570.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X31-12A description media?resourcetype=datasheets&itemid=9c404301-9b52-434d-94d6-c96c0ef74990&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP2x31-12A-Datasheet
DSEP2X31-12A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Max. forward impulse current: 200A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.77V
Type of semiconductor module: diode
Max. load current: 60A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2562.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316
MMIX1F132N50P3MMIX1F132N50P3
MMIX1F132N50P3MMIX1F132N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Gate charge: 267nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: SMPD
On-state resistance: 43mΩ
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3610.11 грн
3+2964.44 грн
10+2662.08 грн
20+2484.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CPI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CSIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602CSIATR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB.pdf
CLA40MT1200NPB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+361.01 грн
10+253.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TUB CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 20A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 170A
Max. forward impulse current: 170A
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Case: TO263ABHV
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+327.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 33A; Igt: 40mA; D2PAK; reel,tape
Gate current: 40mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.