Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 234 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFB300N10P IXYS IXFB300N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2178.81 грн
2+2060.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3 IXYS IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2207.52 грн
2+2087.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3 IXYS IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS IXFB52N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXYS IXFB60N80P THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1975.19 грн
2+1867.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2704.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P IXYS IXFB82N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2073.04 грн
2+1890.94 грн
5+1820.01 грн
25+1789.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS IXFB82N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1068.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf IXFB90N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1266.43 грн
2+879.34 грн
4+800.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS IXFH10N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+613.41 грн
3+457.37 грн
7+416.21 грн
120+400.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+459.82 грн
4+305.53 грн
10+278.07 грн
510+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf IXFH110N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+617.27 грн
3+386.61 грн
8+365.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.60 грн
3+460.16 грн
7+435.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n25t_datasheet.pdf.pdf IXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+676.20 грн
2+537.30 грн
6+507.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+797.92 грн
3+533.75 грн
6+486.17 грн
120+467.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+964.07 грн
2+748.93 грн
5+680.82 грн
510+655.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+991.12 грн
2+891.45 грн
3+825.24 грн
4+810.89 грн
10+780.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1046.18 грн
2+855.12 грн
4+778.60 грн
10+768.73 грн
30+749.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1449.97 грн
2+1012.54 грн
3+921.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+780.53 грн
3+539.34 грн
6+491.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH12N120P THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1074.61 грн
3+1016.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P IXYS IXFH12N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXFH(V)12N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9847EC7A-F66B-4F0F-811E-4C126B67BAE7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-130N15X3-Datasheet.PDF IXFH130N15X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+839.45 грн
2+590.23 грн
5+557.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+745.75 грн
3+515.12 грн
6+469.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1104.14 грн
2+801.09 грн
4+729.26 грн
30+728.36 грн
120+700.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf IXFH14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH14N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf IXFH150N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20T IXFH150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+938.95 грн
2+703.28 грн
5+640.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1391.04 грн
2+973.24 грн
3+920.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3 IXYS IXFH150N30X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P IXYS IXFH15N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1018.16 грн
2+699.56 грн
5+636.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf IXFH160N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_16n120p_datasheet.pdf.pdf IXFH16N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS IXF_16N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFH16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS IXFH16N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P IXYS IXFH170N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c5c224fa-81a8-4c2d-8c6f-8426796fa09e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n15x3_datasheet.pdf IXFH170N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf IXFH170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXFH180N20X3 IXYS IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1299.27 грн
2+1012.54 грн
3+922.12 грн
510+886.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3 IXYS IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.96 грн
4+333.48 грн
10+303.19 грн
30+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.11 грн
3+258.96 грн
10+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2 IXFH18N65X2 IXYS IXF_18N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P IXFH18N90P IXYS IXFH(T,V)18N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXFH20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+534.20 грн
4+297.15 грн
11+270.89 грн
2010+260.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+909.01 грн
2+574.08 грн
6+542.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf IXFH20N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXFH220N06T3 IXYS IXxx220N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+466.58 грн
3+404.27 грн
4+313.05 грн
10+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_220n20x3_datasheet.pdf.pdf IXFH220N20X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB300N10P
Виробник: IXYS
IXFB300N10P THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2178.81 грн
2+2060.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P IXFB30N120P.pdf
IXFB30N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB40N110Q3
Виробник: IXYS
IXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100P
Виробник: IXYS
IXFB44N100P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2207.52 грн
2+2087.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB44N100Q3
Виробник: IXYS
IXFB44N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P
Виробник: IXYS
IXFB60N80P THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1975.19 грн
2+1867.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
IXFB62N80Q3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2704.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60P IXFB82N60P.pdf
IXFB82N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2073.04 грн
2+1890.94 грн
5+1820.01 грн
25+1789.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3.pdf
IXFB82N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB90N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb90n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFB90N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P IXFH100N25P.pdf
IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXF_100N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH100N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1266.43 грн
2+879.34 грн
4+800.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N100P IXFH10N100P.pdf
IXFH10N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.41 грн
3+457.37 грн
7+416.21 грн
120+400.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.82 грн
4+305.53 грн
10+278.07 грн
510+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh110n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH110N10P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.27 грн
3+386.61 грн
8+365.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH110N15T2 THT N channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.60 грн
3+460.16 грн
7+435.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n25t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH110N25T THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.20 грн
2+537.30 грн
6+507.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.92 грн
3+533.75 грн
6+486.17 грн
120+467.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.07 грн
2+748.93 грн
5+680.82 грн
510+655.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T.pdf
IXFH120N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+991.12 грн
2+891.45 грн
3+825.24 грн
4+810.89 грн
10+780.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1046.18 грн
2+855.12 грн
4+778.60 грн
10+768.73 грн
30+749.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH120N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1449.97 грн
2+1012.54 грн
3+921.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P.pdf
IXFH12N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.53 грн
3+539.34 грн
6+491.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH12N120P THT N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.61 грн
3+1016.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P.pdf
IXFH12N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH(V)12N90P_S.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH130N15X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=9847EC7A-F66B-4F0F-811E-4C126B67BAE7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-130N15X3-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXFH130N15X3 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.45 грн
2+590.23 грн
5+557.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.75 грн
3+515.12 грн
6+469.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1104.14 грн
2+801.09 грн
4+729.26 грн
30+728.36 грн
120+700.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_14n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH14N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh150n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH150N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFH150N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.95 грн
2+703.28 грн
5+640.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH150N25X3 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1391.04 грн
2+973.24 грн
3+920.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH150N30X3
Виробник: IXYS
IXFH150N30X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100P IXFH15N100P.pdf
IXFH15N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.16 грн
2+699.56 грн
5+636.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH160N15T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_16n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH16N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P IXF_16N50P.pdf
IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 IXF_16N50P3.pdf
IXFH16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFH16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N80P IXFH16N80P.pdf
IXFH16N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N10P
Виробник: IXYS
IXFH170N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N15X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=c5c224fa-81a8-4c2d-8c6f-8426796fa09e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n15x3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXFH170N15X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH170N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_170n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH170N25X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH180N20X3 IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH180N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1299.27 грн
2+1012.54 грн
3+922.12 грн
510+886.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N100Q3
Виробник: IXYS
IXFH18N100Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.96 грн
4+333.48 грн
10+303.19 грн
30+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.11 грн
3+258.96 грн
10+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N65X2 IXF_18N65X2.pdf
IXFH18N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P IXFH(T,V)18N90P_S.pdf
IXFH18N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFH20N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.20 грн
4+297.15 грн
11+270.89 грн
2010+260.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n80p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH20N80P THT N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+909.01 грн
2+574.08 грн
6+542.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH20N85X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXxx220N06T3-DTE.pdf
IXFH220N06T3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.58 грн
3+404.27 грн
4+313.05 грн
10+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_220n20x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXFH220N20X3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]