Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16273) > Сторінка 234 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Reverse recovery time: 800ns
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate charge: 250nC
Gate-source voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 70mΩ
Reverse recovery time: 650ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 70mΩ
Reverse recovery time: 650ns
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N CPC1008N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008NTR IXYS CPC1008N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+521.77 грн
5+238.40 грн
12+225.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N CPC1017N IXYS cpc1017n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.28 грн
10+149.54 грн
11+95.70 грн
28+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+502.44 грн
3+332.40 грн
9+314.45 грн
30+302.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N CPC1035N IXYS cpc1035n.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Case: SOP4
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.69 грн
6+172.61 грн
16+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035NTR IXYS CPC1035N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS IXGX120N60A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS IXYH24N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS IXYH24N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1335.25 грн
3+1172.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.78 грн
6+169.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.73 грн
8+138.43 грн
20+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA24N60X IXYS IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+438.95 грн
3+367.43 грн
4+301.64 грн
9+285.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2 IXFA12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+414.10 грн
6+176.88 грн
16+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2M IXFP12N65X2M IXYS IXFP12N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 IXTA12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS IXT_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=BB457D93-CEC3-41B9-97EE-48A3A768170E&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTP12N65X2M-Datasheet.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 12A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 34nC
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS IXFH(T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS IXFH(T,Q)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 155mΩ
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFP30N60X IXYS IXFA(P)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 155mΩ
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.69 грн
3+731.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS IXKH30N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.125Ω
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.23Ω
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+619.31 грн
3+359.74 грн
8+339.23 грн
30+335.82 грн
60+326.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS IXTQ18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS IXBH(T)10N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+714.09 грн
2+641.73 грн
5+606.69 грн
10+585.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS IXBA(H)10N300HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 180W
Case: TO247HV
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5225.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.15 грн
3+499.88 грн
10+441.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFT140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1373.90 грн
3+1206.55 грн
30+1162.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 252ns
Gate charge: 66nC
Turn-on time: 67ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+502.44 грн
3+346.07 грн
8+327.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 470mΩ
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 470mΩ
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+493.24 грн
5+241.82 грн
12+229.00 грн
50+228.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1273.59 грн
3+1127.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+566.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1037.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 18A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+445.39 грн
5+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+582.50 грн
3+458.01 грн
5+437.50 грн
6+433.23 грн
10+416.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+935.87 грн
2+560.55 грн
5+530.64 грн
30+510.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: Linear L2™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 140A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+888.02 грн
3+482.79 грн
6+456.30 грн
100+439.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Case: ISOPLUS220™
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Reverse recovery time: 800ns
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C.pdf
IXKN40N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate charge: 250nC
Gate-source voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 70mΩ
Reverse recovery time: 650ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR40N60C IXKR40N60C.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 70mΩ
Reverse recovery time: 650ns
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008N littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
CPC1008N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR CPC1008N.pdf
CPC1008NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+521.77 грн
5+238.40 грн
12+225.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017N cpc1017n.pdf
CPC1017N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Case: SOP4
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.28 грн
10+149.54 грн
11+95.70 грн
28+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.44 грн
3+332.40 грн
9+314.45 грн
30+302.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035N cpc1035n.pdf
CPC1035N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Case: SOP4
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+349.69 грн
6+172.61 грн
16+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1035NTR CPC1035N.pdf
CPC1035NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGX120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3.pdf
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3.pdf
IXYH24N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1.pdf
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3.pdf
IXFR15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1335.25 грн
3+1172.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+394.78 грн
6+169.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 32nC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.73 грн
8+138.43 грн
20+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA24N60X IXFA(H,P,Q)24N60X.pdf
IXFA24N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+438.95 грн
3+367.43 грн
4+301.64 грн
9+285.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFA12N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXF_12N65X2.pdf
IXFP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+414.10 грн
6+176.88 грн
16+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2M IXFP12N65X2M.pdf
IXFP12N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTA12N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTH12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2 IXT_12N65X2.pdf
IXTP12N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N65X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=BB457D93-CEC3-41B9-97EE-48A3A768170E&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTP12N65X2M-Datasheet.PDF
IXTP12N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 17.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1.pdf
IXXP12N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 12A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 34nC
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60P IXFH(T,V)30N60P_S.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N60X IXFH(T,Q)30N60X.pdf
IXFH30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 155mΩ
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFA(P)30N60X.pdf
IXFP30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 155mΩ
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+868.69 грн
3+731.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5.pdf
IXKH30N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.125Ω
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.23Ω
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+203.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+619.31 грн
3+359.74 грн
8+339.23 грн
30+335.82 грн
60+326.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P.pdf
IXTQ18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH(T)10N170.pdf
IXBH10N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+714.09 грн
2+641.73 грн
5+606.69 грн
10+585.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBA(H)10N300HV.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 180W
Case: TO247HV
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5225.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+598.15 грн
3+499.88 грн
10+441.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1373.90 грн
3+1206.55 грн
30+1162.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 252ns
Gate charge: 66nC
Turn-on time: 67ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.44 грн
3+346.07 грн
8+327.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 470mΩ
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 470mΩ
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.24 грн
5+241.82 грн
12+229.00 грн
50+228.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 193nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1273.59 грн
3+1127.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 164ns
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+566.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1037.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 18A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+445.39 грн
5+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.50 грн
3+458.01 грн
5+437.50 грн
6+433.23 грн
10+416.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+935.87 грн
2+560.55 грн
5+530.64 грн
30+510.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: Linear L2™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 710ns
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTT30N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Gate charge: 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M.pdf
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 140A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.48Ω
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Reverse recovery time: 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+888.02 грн
3+482.79 грн
6+456.30 грн
100+439.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.