Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15945) > Сторінка 234 з 266

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1663.72 грн
5+1322.25 грн
10+1197.81 грн
30+1050.52 грн
120+1031.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS IXTH(P)150N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+665.49 грн
3+558.70 грн
10+457.96 грн
25+391.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Gate charge: 38.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+929.86 грн
3+624.73 грн
5+605.26 грн
10+580.71 грн
50+538.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS IXFN44N80P.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.85 грн
10+196.39 грн
25+163.38 грн
50+126.13 грн
100+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3 IXYS IXFN44N100Q3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4895.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS IXFH60N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS IXFH60N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+686.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+536.04 грн
3+457.12 грн
5+429.18 грн
10+385.16 грн
30+352.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+862.40 грн
3+751.70 грн
30+662.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS IXXH60N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 260A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 425nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1476.84 грн
3+1318.02 грн
10+1296.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 IXYS DS100516AIXXKX160N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 422nC
Technology: GenX4™; XPT™
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 425nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 422nC
Technology: GenX4™; XPT™
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+651.81 грн
10+459.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N IXYS CPC1150N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
On-state resistance: 50Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+394.73 грн
10+295.43 грн
100+275.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+534.21 грн
5+460.50 грн
10+426.64 грн
25+363.15 грн
50+330.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS IXG_72N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Power dissipation: 540W
Technology: GenX3™
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1254.40 грн
3+1063.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+337.30 грн
3+281.89 грн
10+248.87 грн
50+223.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P IXYS IXFH22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+571.59 грн
3+468.97 грн
10+421.56 грн
30+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+511.42 грн
10+325.91 грн
30+286.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFP22N60P3 IXYS IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.53 грн
10+282.73 грн
50+246.33 грн
100+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS IXKH35N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; X-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB IXYS CLA100E1200HB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+692.84 грн
5+536.69 грн
10+479.13 грн
30+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.87 грн
3+424.10 грн
10+375.00 грн
30+336.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+520.54 грн
10+402.09 грн
25+327.60 грн
50+270.88 грн
100+264.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 118ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+406.59 грн
10+281.89 грн
30+249.72 грн
120+209.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+805.88 грн
10+626.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+970.88 грн
3+811.80 грн
10+715.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate charge: 200nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1074.81 грн
3+906.61 грн
10+792.33 грн
30+712.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.63 грн
10+203.16 грн
50+159.14 грн
100+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS IXYP20N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 147nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1169.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFX78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFX98N50P3 IXYS IXFK(X)98N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB IXYS DSB15IM45IB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3 IXYS IXFN210N30P3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2970.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1507.83 грн
10+1394.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2083.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2 IXYS IXFA34N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+505.95 грн
10+389.40 грн
30+364.00 грн
120+341.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTX90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1663.72 грн
5+1322.25 грн
10+1197.81 грн
30+1050.52 грн
120+1031.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTH(P)150N15X4.pdf
IXTP150N15X4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+665.49 грн
3+558.70 грн
10+457.96 грн
25+391.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N150HV IXTA3N150HV.pdf
IXTA3N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Gate charge: 38.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.86 грн
3+624.73 грн
5+605.26 грн
10+580.71 грн
50+538.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N80P description IXFN44N80P.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.85 грн
10+196.39 грн
25+163.38 грн
50+126.13 грн
100+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN44N100Q3 IXFN44N100Q3.pdf
IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 110A; 960W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 264nC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4895.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2.pdf
IXFH60N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4.pdf
IXFH60N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 780W
Gate charge: 108nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+686.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+536.04 грн
3+457.12 грн
5+429.18 грн
10+385.16 грн
30+352.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+862.40 грн
3+751.70 грн
30+662.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4.pdf
IXXH60N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 260A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 425nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1476.84 грн
3+1318.02 грн
10+1296.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 DS100516AIXXKX160N65C4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 422nC
Technology: GenX4™; XPT™
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXX160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 425nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 940W
Gate charge: 422nC
Technology: GenX4™; XPT™
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+651.81 грн
10+459.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1150N CPC1150N.pdf
CPC1150N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
On-state resistance: 50Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NC
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 1ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 2ms
Control current max.: 50mA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+394.73 грн
10+295.43 грн
100+275.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.21 грн
5+460.50 грн
10+426.64 грн
25+363.15 грн
50+330.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXG_72N60A3.pdf
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Power dissipation: 540W
Technology: GenX3™
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1254.40 грн
3+1063.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFA22N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+337.30 грн
3+281.89 грн
10+248.87 грн
50+223.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P IXFH22N60P.pdf
IXFH22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+571.59 грн
3+468.97 грн
10+421.56 грн
30+414.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFH22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+511.42 грн
10+325.91 грн
30+286.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N60P3 IXFA(H,P,Q)22N60P3.pdf
IXFP22N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.53 грн
10+282.73 грн
50+246.33 грн
100+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5.pdf
IXKH35N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; X-Class
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200HB CLA100E1200HB.pdf
CLA100E1200HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO247AD
Type of thyristor: standard
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO247AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 1.19kA
Kind of package: tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+692.84 грн
5+536.69 грн
10+479.13 грн
30+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 340ns
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.87 грн
3+424.10 грн
10+375.00 грн
30+336.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.54 грн
10+402.09 грн
25+327.60 грн
50+270.88 грн
100+264.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTQ60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 118ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+406.59 грн
10+281.89 грн
30+249.72 грн
120+209.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+805.88 грн
10+626.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+970.88 грн
3+811.80 грн
10+715.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate charge: 200nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1074.81 грн
3+906.61 грн
10+792.33 грн
30+712.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 140A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.63 грн
10+203.16 грн
50+159.14 грн
100+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFK78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 147nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1169.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFK98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX78N50P3 IXFK(X)78N50P3.pdf
IXFX78N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX98N50P3 IXFK(X)98N50P3.pdf
IXFX98N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSB15IM45IB DSB15IM45IB.pdf
DSB15IM45IB
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15A; TO262; Ufmax: 0.55V; 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO262
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30P3 IXFN210N30P3.pdf
IXFN210N30P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 192A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.5mΩ
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 268nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2970.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1507.83 грн
10+1394.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYH50N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2083.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA34N65X2 IXFA34N65X2.pdf
IXFA34N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.95 грн
10+389.40 грн
30+364.00 грн
120+341.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 54nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 260 266  [ Наступна Сторінка >> ]