Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IX2127N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: SO8 Output current: -500...250mA Number of channels: 1 Supply voltage: 9...12V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4310N | IXYS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 5...24V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IX4310NTR | IXYS | IX4310NTR MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IX4310TTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IX4340N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4340NE | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8-EP Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IX4340NETR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8-EP Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IX4340NTR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IX4340UE | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: MSOP8 Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4340UETR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: MSOP8 Output current: -5...5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 5...20V Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IX4351NE | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IX4351NETR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IX4426MTR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Case: DFN8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: inverting Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4426N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: inverting Kind of package: tube Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4426NTR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Kind of output: inverting Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IX4427MTR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Output current: -1.5...1.5A Case: DFN8 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Supply voltage: 4.5...30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4427N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Output current: -1.5...1.5A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IX4427NTR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Output current: -1.5...1.5A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Supply voltage: 4.5...35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IX4428MTR | IXYS |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IX4428N | IXYS |
![]() |
на замовлення 804 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IX4428NTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IX9907N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver Case: SO8 Output current: 1.7A Mounting: SMD Operating voltage: 650V DC Kind of package: tube Integrated circuit features: linear dimming; PWM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IX9907NTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IX9908N | IXYS |
![]() Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver Case: SO8 Output current: 1.7A Mounting: SMD Operating voltage: 650V DC Kind of package: tube Integrated circuit features: linear dimming; PWM кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IX9908NTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IX9915N | IXYS |
![]() |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXA12IF1200HB | IXYS |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXA12IF1200PB | IXYS |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXA17IF1200HJ | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXA20I1200PB | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Type of transistor: IGBT Gate charge: 47nC Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 22A Power dissipation: 165W Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXA20IF1200HB | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
![]() ![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Electrical mounting: SMT Case: SMPD-B Semiconductor structure: diode/transistor Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXA27IF1200HJ | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
![]() ![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Topology: boost chopper Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 147W Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SMPD-B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXA33IF1200HB | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA37IF1200HJ | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA40RG1200DHGLB | IXYS | IXA40RG1200DHGLB IGBT modules |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXA45IF1200HB | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA4I1200UC-TRL | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA4IF1200TC | IXYS | IXA4IF1200TC SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA55I1200HJ | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXA60IF1200NA | IXYS |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXA70I1200NA | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B Collector current: 65A Power dissipation: 350W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Features of semiconductor devices: high voltage Semiconductor structure: single transistor Technology: XPT™ Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXBA16N170AHV | IXYS |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXBF20N300 | IXYS |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXBF20N360 | IXYS | IXBF20N360 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBF40N160 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXBF42N300 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXBH10N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBH10N300HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247HV Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Power dissipation: 180W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBH12N300 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 Features of semiconductor devices: high voltage Technology: BiMOSFET™; FRED Type of transistor: IGBT Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 62nC Turn-on time: 460ns Turn-off time: 705ns Collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 160W Collector-emitter voltage: 3kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXBH16N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Gate charge: 72nC Turn-off time: 940ns Collector current: 16A Technology: BiMOSFET™; FRED Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 1.7kV Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBH16N170A | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 43ns Gate charge: 65nC Turn-off time: 370ns Collector current: 10A Technology: BiMOSFET™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 150W Features of semiconductor devices: high voltage Collector-emitter voltage: 1.7kV Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXBH20N300 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Gate charge: 105nC Turn-off time: 0.3µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Power dissipation: 250W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXBH24N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 230A Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Turn-on time: 190ns Gate charge: 0.14µC Turn-off time: 1285ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXBH42N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™; FRED Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 42A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of package: tube Turn-on time: 224ns Turn-off time: 1.07µs Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXBH42N170A | IXYS |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXBH6N170 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 17nC Turn-on time: 104ns Turn-off time: 700ns Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 36A Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXBK55N300 | IXYS | IXBK55N300 THT IGBT transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXBK64N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 735W Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 64A Gate-emitter voltage: ±25V Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO264 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Gate charge: 400nC Turn-off time: 397ns Turn-on time: 632ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IX2127N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.52 грн |
IX4310N |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...24V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...24V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.36 грн |
10+ | 80.28 грн |
25+ | 65.22 грн |
30+ | 38.18 грн |
81+ | 36.08 грн |
2500+ | 34.65 грн |
IX4310NTR |
Виробник: IXYS
IX4310NTR MOSFET/IGBT drivers
IX4310NTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4310TTR |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4310TTR MOSFET/IGBT drivers
IX4310TTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4340N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.88 грн |
10+ | 69.80 грн |
23+ | 49.70 грн |
62+ | 46.94 грн |
300+ | 45.13 грн |
IX4340NE |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.45 грн |
10+ | 66.34 грн |
23+ | 49.32 грн |
63+ | 46.65 грн |
100+ | 45.32 грн |
300+ | 44.94 грн |
IX4340NETR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -5÷5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4340NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4340UE |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.74 грн |
10+ | 87.60 грн |
22+ | 51.79 грн |
60+ | 48.94 грн |
560+ | 47.03 грн |
IX4340UETR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MSOP8; -5÷5A; Ch: 2; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MSOP8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 5...20V
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4351NE |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4351NE MOSFET/IGBT drivers
IX4351NE MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4351NETR |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4351NETR MOSFET/IGBT drivers
IX4351NETR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4426MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: DFN8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.83 грн |
10+ | 76.13 грн |
20+ | 59.03 грн |
53+ | 55.22 грн |
IX4426N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.45 грн |
10+ | 68.22 грн |
23+ | 50.46 грн |
61+ | 47.60 грн |
IX4426NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: inverting
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX4427MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: DFN8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: DFN8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.97 грн |
10+ | 86.51 грн |
21+ | 55.79 грн |
56+ | 52.74 грн |
500+ | 50.74 грн |
IX4427N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.30 грн |
10+ | 64.26 грн |
23+ | 50.36 грн |
62+ | 47.60 грн |
IX4427NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.5...1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Supply voltage: 4.5...35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.69 грн |
10+ | 83.25 грн |
23+ | 49.70 грн |
62+ | 47.03 грн |
500+ | 46.84 грн |
1000+ | 45.22 грн |
IX4428MTR |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4428MTR MOSFET/IGBT drivers
IX4428MTR MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.96 грн |
23+ | 50.36 грн |
61+ | 47.60 грн |
IX4428N |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4428N MOSFET/IGBT drivers
IX4428N MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.71 грн |
23+ | 50.46 грн |
61+ | 47.60 грн |
IX4428NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
IX4428NTR MOSFET/IGBT drivers
IX4428NTR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IX9907N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.99 грн |
IX9908N |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; AC/DC switcher,DC/DC switcher,LED driver; SO8; 1.7A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; DC/DC switcher; LED driver
Case: SO8
Output current: 1.7A
Mounting: SMD
Operating voltage: 650V DC
Kind of package: tube
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.41 грн |
25+ | 43.79 грн |
30+ | 38.08 грн |
80+ | 36.18 грн |
IX9915N |
![]() |
Виробник: IXYS
IX9915N Integrated circuits - others
IX9915N Integrated circuits - others
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.95 грн |
21+ | 55.22 грн |
56+ | 52.36 грн |
IXA12IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA12IF1200HB THT IGBT transistors
IXA12IF1200HB THT IGBT transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 385.51 грн |
5+ | 243.73 грн |
13+ | 230.40 грн |
IXA12IF1200PB |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA12IF1200PB THT IGBT transistors
IXA12IF1200PB THT IGBT transistors
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 370.13 грн |
6+ | 206.60 грн |
15+ | 195.17 грн |
IXA17IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA17IF1200HJ THT IGBT transistors
IXA17IF1200HJ THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA20I1200PB |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 47nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 165W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 47nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 165W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA20IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA20IF1200HB THT IGBT transistors
IXA20IF1200HB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA20PG1200DHGLB |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 869.45 грн |
2+ | 782.04 грн |
3+ | 708.33 грн |
10+ | 684.53 грн |
IXA27IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA27IF1200HJ THT IGBT transistors
IXA27IF1200HJ THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA30RG1200DHGLB |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 542.38 грн |
IXA33IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA33IF1200HB THT IGBT transistors
IXA33IF1200HB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA37IF1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors
IXA37IF1200HJ THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA40RG1200DHGLB |
Виробник: IXYS
IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
IXA40RG1200DHGLB IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1199.59 грн |
2+ | 776.88 грн |
4+ | 734.04 грн |
IXA45IF1200HB |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA45IF1200HB THT IGBT transistors
IXA45IF1200HB THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA4I1200UC-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA4I1200UC SMD IGBT transistors
IXA4I1200UC SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA4IF1200TC |
Виробник: IXYS
IXA4IF1200TC SMD IGBT transistors
IXA4IF1200TC SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA55I1200HJ |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA55I1200HJ THT IGBT transistors
IXA55I1200HJ THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXA60IF1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
IXA60IF1200NA IGBT modules
IXA60IF1200NA IGBT modules
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3117.99 грн |
IXA70I1200NA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Collector current: 65A
Power dissipation: 350W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: high voltage
Semiconductor structure: single transistor
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Collector current: 65A
Power dissipation: 350W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: high voltage
Semiconductor structure: single transistor
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3046.15 грн |
2+ | 2778.18 грн |
3+ | 2674.33 грн |
10+ | 2632.44 грн |
IXBA16N170AHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1889.84 грн |
2+ | 1787.01 грн |
IXBF20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
IXBF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4499.43 грн |
IXBF20N360 |
Виробник: IXYS
IXBF20N360 THT IGBT transistors
IXBF20N360 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBF40N160 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBF40N160 THT IGBT transistors
IXBF40N160 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBF42N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBF42N300 THT IGBT transistors
IXBF42N300 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBH10N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 140W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 919.69 грн |
2+ | 742.50 грн |
5+ | 675.96 грн |
IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5947.73 грн |
30+ | 5522.75 грн |
IXBH12N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™; FRED
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™; FRED
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 160W
Collector-emitter voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBH16N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Technology: BiMOSFET™; FRED
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1233.43 грн |
2+ | 850.26 грн |
4+ | 774.02 грн |
30+ | 749.27 грн |
510+ | 743.56 грн |
IXBH16N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBH20N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Gate charge: 105nC
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Gate charge: 105nC
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBH24N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 190ns
Gate charge: 0.14µC
Turn-off time: 1285ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 190ns
Gate charge: 0.14µC
Turn-off time: 1285ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1848.61 грн |
2+ | 1685.69 грн |
10+ | 1561.38 грн |
30+ | 1560.42 грн |
IXBH42N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBH42N170A |
![]() |
Виробник: IXYS
IXBH42N170A THT IGBT transistors
IXBH42N170A THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1972.67 грн |
2+ | 1865.08 грн |
IXBH6N170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 36A
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 36A
Power dissipation: 75W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXBK55N300 |
Виробник: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
IXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8356.22 грн |
IXBK64N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 64A
Gate-emitter voltage: ±25V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Turn-off time: 397ns
Turn-on time: 632ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 64A
Gate-emitter voltage: ±25V
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Turn-off time: 397ns
Turn-on time: 632ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.