Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (14783) > Сторінка 78 з 247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 96 120 144 168 192 216 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VUB116-16NOXT VUB116-16NOXT IXYS VUB116-16NOXT.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 120A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 120 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.76 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6699.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB120-16NOX VUB120-16NOX IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=3892AF19-0E23-4D1B-AEC7-D71B5510769E&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUB120-16NOX-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 180 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB120-16NOXT VUB120-16NOXT IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10B91059-4B60-41FD-B516-0003A71D9FC8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUB120-16NOXT-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 180 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB145-16NOXT VUB145-16NOXT IXYS VUB145-16NOXT.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 150A E2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB160-16NOX VUB160-16NOX IXYS VUB160-16NOX.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB160-16NOXT VUB160-16NOXT IXYS VUB160-16NOX.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT VUB72-12NOXT IXYS VUB72-12NOXT.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 75 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3405.72 грн
10+2922.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT IXYS VUB72-16NOXT.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 75 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4017.36 грн
10+3609.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUI72-16NOXT IXYS VUI72-16NOXT.pdf Description: DIODE BRIDGE 1600V 75A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3878.21 грн
10+3483.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T IXYS VUO120-12NO2T.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-16NO2T IXYS VUO120-16NO2T.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO162-16NO7 IXYS VUO120-16NO2T.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-E-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO192-16NO7 IXYS VUO192-16NO7.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-E-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 VUO52-22NO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet Description: BRIDGE RECT 3P 2.2KV 60A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Voltage - Peak Reverse (Max): 2.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.13 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3456.03 грн
10+2504.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO64-16NO7 IXYS VUO64-16NO7.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-D-FLAT
Packaging: Box
Package / Case: PWS-D Flat
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: PWS-D-Flat
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO84-16NO7 VUO84-16NO7 IXYS VUO84-16NO7.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-D-FLAT
Packaging: Box
Package / Case: PWS-D Flat
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: PWS-D-Flat
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 90 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3078.67 грн
10+2641.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB120-16ioX VVZB120-16ioX IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZB120-16ioX-Datasheet?assetguid=C8784FE9-D1A6-45F6-B1A1-3F2C5BC14C09 Description: SCR MODULE 1.6KV V2-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V2-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 700A, 755A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB135-16IOXT IXYS VVZB135-16IOXT.pdf Description: DIODE BRIDGE 1600V 150A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 80 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 700A, 755A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB170-16ioXT IXYS VVZB170-16IOXT.pdf Description: DIODE BRIDGE 1600V 180A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1190A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VWM270-0075X2 IXYS VWM270-0075X2.pdf Description: MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HV IXBT20N300HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXTT1N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646 Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2966.24 грн
10+2132.94 грн
100+2090.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyp15n65c3d1m-datasheet?assetguid=9810358b-0d4f-49a1-a56d-9255a99c4d1e Description: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65c3d1m-datasheet?assetguid=0469b551-782a-4664-8cdb-21bd7e1ab323 Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXYT30N65C3H1HV IXYS DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf Description: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.10 грн
30+601.08 грн
120+517.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1 IXYN100N65C3H1 IXYS DS100568BIXYN100N65C3H1.pdf Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2180.85 грн
10+1542.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AS-TRL DSI30-12AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet?assetguid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5 Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.20 грн
10+153.00 грн
100+139.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-16AS-TRL DSI30-16AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-16AS-Datasheet?assetguid=728e0950-55e7-4c06-8e1a-890a9b55042f Description: DIODE STANDARD 1600V 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.90 грн
1600+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.04 грн
30+535.59 грн
120+458.95 грн
510+390.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c Description: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.70 грн
50+300.93 грн
100+276.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS1710 IXYS Description: THYRISTOR 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.98 грн
10+294.27 грн
100+212.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh24n90c3d1-datasheet?assetguid=a4366edb-d41a-4719-b052-c6c82f879f83 Description: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.79 грн
30+441.44 грн
120+384.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyn80n90c3h1-datasheet?assetguid=d3933edc-8db8-49de-8cfe-b50442a092d1 Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMJX1H40N150 MMJX1H40N150 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18 Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 16-BESOP (0.787", 20.00mm Width), 15 Leads, Isolated Tab
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Off State: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 MMIX1H60N150V1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet?assetguid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761 Description: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3897.08 грн
20+2775.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV IXHH40N150HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f Description: SCR 1.5KV TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3155.71 грн
30+2047.94 грн
120+2007.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a Description: SCR 1.5KV TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4199.75 грн
30+2861.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360 IXBF20N360 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbf20n360-datasheet?assetguid=394fa03e-304a-4115-bc8a-eacb437dd208 Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4849.14 грн
25+3603.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360 IXBL60N360 IXYS DS100577(IXBL60N360).pdf Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360 IXBF50N360 IXYS DS100623(IXBF50N360)_.pdf Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV IXBX50N360HV IXYS Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4783.10 грн
30+3531.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.46 грн
10+345.90 грн
100+251.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB IXYS CLA30MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB IXYS CLA40MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB116-16NOXT VUB116-16NOXT.pdf
VUB116-16NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 120A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 120 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.76 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6699.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB120-16NOX media?resourcetype=datasheets&itemid=3892AF19-0E23-4D1B-AEC7-D71B5510769E&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUB120-16NOX-Datasheet
VUB120-16NOX
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 180 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB120-16NOXT media?resourcetype=datasheets&itemid=10B91059-4B60-41FD-B516-0003A71D9FC8&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUB120-16NOXT-Datasheet
VUB120-16NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Module
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 180 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB145-16NOXT VUB145-16NOXT.pdf
VUB145-16NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 150A E2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB160-16NOX VUB160-16NOX.pdf
VUB160-16NOX
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB160-16NOXT VUB160-16NOX.pdf
VUB160-16NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT VUB72-12NOXT.pdf
VUB72-12NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 75 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3405.72 грн
10+2922.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT.pdf
VUB72-16NOXT
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 75 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4017.36 грн
10+3609.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUI72-16NOXT VUI72-16NOXT.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE BRIDGE 1600V 75A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3878.21 грн
10+3483.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T VUO120-12NO2T.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-16NO2T VUO120-16NO2T.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO162-16NO7 VUO120-16NO2T.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-E-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO192-16NO7 VUO192-16NO7.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-E-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet
VUO52-22NO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 2.2KV 60A V1A-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V1A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: V1A-PAK
Voltage - Peak Reverse (Max): 2.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.13 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3456.03 грн
10+2504.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO64-16NO7 VUO64-16NO7.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-D-FLAT
Packaging: Box
Package / Case: PWS-D Flat
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: PWS-D-Flat
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 60 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO84-16NO7 VUO84-16NO7.pdf
VUO84-16NO7
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV PWS-D-FLAT
Packaging: Box
Package / Case: PWS-D Flat
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: PWS-D-Flat
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 90 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1600 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3078.67 грн
10+2641.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB120-16ioX Littelfuse-Power-Semiconductors-VVZB120-16ioX-Datasheet?assetguid=C8784FE9-D1A6-45F6-B1A1-3F2C5BC14C09
VVZB120-16ioX
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.6KV V2-PAK
Packaging: Box
Package / Case: V2-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 700A, 755A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB135-16IOXT VVZB135-16IOXT.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE BRIDGE 1600V 150A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 80 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 700A, 755A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB170-16ioXT VVZB170-16IOXT.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE BRIDGE 1600V 180A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1190A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VWM270-0075X2 VWM270-0075X2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
IXTT1N250HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2966.24 грн
10+2132.94 грн
100+2090.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M littelfuse-discrete-igbts-ixyp15n65c3d1m-datasheet?assetguid=9810358b-0d4f-49a1-a56d-9255a99c4d1e
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65c3d1m-datasheet?assetguid=0469b551-782a-4664-8cdb-21bd7e1ab323
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf
IXYT30N65C3H1HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c
IXYH50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 DS100561BIXYH100N65C3.pdf
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.10 грн
30+601.08 грн
120+517.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1 DS100568BIXYN100N65C3H1.pdf
IXYN100N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2180.85 грн
10+1542.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet?assetguid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5
DSI30-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.20 грн
10+153.00 грн
100+139.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-16AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-16AS-Datasheet?assetguid=728e0950-55e7-4c06-8e1a-890a9b55042f
DSI30-16AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1600V 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.90 грн
1600+114.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.04 грн
30+535.59 грн
120+458.95 грн
510+390.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.70 грн
50+300.93 грн
100+276.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS1710
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+178.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.98 грн
10+294.27 грн
100+212.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF
IXYA8N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixyh24n90c3d1-datasheet?assetguid=a4366edb-d41a-4719-b052-c6c82f879f83
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
IXYH60N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.79 грн
30+441.44 грн
120+384.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 littelfuse-discrete-igbts-ixyn80n90c3h1-datasheet?assetguid=d3933edc-8db8-49de-8cfe-b50442a092d1
IXYN80N90C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMJX1H40N150 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18
MMJX1H40N150
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 16-BESOP (0.787", 20.00mm Width), 15 Leads, Isolated Tab
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Off State: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet?assetguid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761
MMIX1H60N150V1
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3897.08 грн
20+2775.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f
IXHH40N150HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3155.71 грн
30+2047.94 грн
120+2007.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a
IXHX40N150V1HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4199.75 грн
30+2861.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360 littelfuse-discrete-igbts-ixbf20n360-datasheet?assetguid=394fa03e-304a-4115-bc8a-eacb437dd208
IXBF20N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4849.14 грн
25+3603.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360 DS100577(IXBL60N360).pdf
IXBL60N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360 DS100623(IXBF50N360)_.pdf
IXBF50N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV
IXBX50N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4783.10 грн
30+3531.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.46 грн
10+345.90 грн
100+251.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB.pdf
CLA30MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB.pdf
CLA40MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 24 48 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 96 120 144 168 192 216 240 247  [ Наступна Сторінка >> ]