Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 78 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VVZB170-16ioXT IXYS VVZB170-16IOXT.pdf Description: DIODE BRIDGE 1600V 180A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1190A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VWM270-0075X2 IXYS VWM270-0075X2.pdf Description: MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HV IXBT20N300HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXTT1N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646 Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3228.41 грн
10+2321.45 грн
100+2275.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyp15n65c3d1m-datasheet?assetguid=9810358b-0d4f-49a1-a56d-9255a99c4d1e Description: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65c3d1m-datasheet?assetguid=0469b551-782a-4664-8cdb-21bd7e1ab323 Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXYT30N65C3H1HV IXYS DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf Description: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.08 грн
30+654.21 грн
120+563.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1 IXYN100N65C3H1 IXYS DS100568BIXYN100N65C3H1.pdf Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2275.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AS-TRL DSI30-12AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet?assetguid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5 Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.72 грн
10+167.93 грн
100+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-16AS-TRL DSI30-16AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-16AS-Datasheet?assetguid=728e0950-55e7-4c06-8e1a-890a9b55042f Description: DIODE STANDARD 1600V 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.76 грн
1600+124.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.08 грн
30+548.76 грн
120+470.24 грн
510+424.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c Description: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.55 грн
50+308.33 грн
100+283.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS1710 IXYS Description: THYRISTOR 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+194.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.28 грн
10+320.28 грн
100+230.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh24n90c3d1-datasheet?assetguid=a4366edb-d41a-4719-b052-c6c82f879f83 Description: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.20 грн
30+480.46 грн
120+418.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMJX1H40N150 MMJX1H40N150 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18 Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 16-BESOP (0.787", 20.00mm Width), 15 Leads, Isolated Tab
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2930.64 грн
30+1905.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 MMIX1H60N150V1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet?assetguid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761 Description: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4241.52 грн
20+3021.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV IXHH40N150HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f Description: SCR 1.5KV TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3283.17 грн
30+2192.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a Description: SCR 1.5KV TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4324.51 грн
30+3092.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360 IXBF20N360 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbf20n360-datasheet?assetguid=394fa03e-304a-4115-bc8a-eacb437dd208 Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5277.72 грн
25+3922.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360 IXBL60N360 IXYS DS100577(IXBL60N360).pdf Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360 IXBF50N360 IXYS DS100623(IXBF50N360)_.pdf Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV IXBX50N360HV IXYS Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5205.85 грн
30+3843.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.43 грн
10+376.47 грн
100+274.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB IXYS CLA30MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB IXYS CLA40MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS cla80mt1200nhb-datasheet?assetguid=8fe23120-809a-4153-9e2c-c17d5b314175 Description: TRIAC 1.2KV 88A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.24 грн
30+440.69 грн
120+374.83 грн
510+326.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHR CLA80MT1200NHR IXYS cla80mt1200nhr-datasheet?assetguid=912d4200-7d00-4a62-93c1-95457a233d68 Description: TRIAC 1.2KV 88A ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.73 грн
30+625.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC DPG30C300PC IXYS DPG30C300PC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.34 грн
30+449.81 грн
120+381.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1 IXYP10N65C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYP10N65C3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT PT 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXRFD631 IXRFD631 IXYS IXRFD631_Datasheet_RevA.pdf Description: IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HV IXBH20N360HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n360hv-datasheet?assetguid=1ef20bb4-b0bf-4676-980c-d6f3252647e7 Description: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7605.12 грн
30+6114.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HV IXBT20N360HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLPN005H10L IXYS SLPN005H10L.pdf Description: SOLARPN HI-EFF 223X143X2MM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SLMD242H10L IXYS SLMD242H10L.pdf Description: SOLARMD HI-EFF 214.5X131.6X2MM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SOLARADE SOLARADE IXYS SOLARADE_Brochure.PDF Description: BATT CHARGER SOLAR CHARGER 5V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XM IXTP20N65XM IXYS Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XM IXTP32N65XM IXYS Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20n65x-datasheet?assetguid=cee0c26e-5e98-4819-97b9-2a9c31098807 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20n65x-datasheet?assetguid=cee0c26e-5e98-4819-97b9-2a9c31098807 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65X IXTP32N65X IXYS Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65X IXTQ32N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB170-16ioXT VVZB170-16IOXT.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE BRIDGE 1600V 180A
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 95 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1100A, 1190A
Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VWM270-0075X2 VWM270-0075X2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
IXTT1N250HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3228.41 грн
10+2321.45 грн
100+2275.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M littelfuse-discrete-igbts-ixyp15n65c3d1m-datasheet?assetguid=9810358b-0d4f-49a1-a56d-9255a99c4d1e
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65c3d1m-datasheet?assetguid=0469b551-782a-4664-8cdb-21bd7e1ab323
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf
IXYT30N65C3H1HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c
IXYH50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 DS100561BIXYH100N65C3.pdf
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1108.08 грн
30+654.21 грн
120+563.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65C3H1 DS100568BIXYN100N65C3H1.pdf
IXYN100N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2275.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-12AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet?assetguid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5
DSI30-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.72 грн
10+167.93 грн
100+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSI30-16AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-16AS-Datasheet?assetguid=728e0950-55e7-4c06-8e1a-890a9b55042f
DSI30-16AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1600V 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+133.76 грн
1600+124.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+942.08 грн
30+548.76 грн
120+470.24 грн
510+424.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-50n65c3-datasheet?assetguid=422e985d-19fd-486c-abef-191fb70da45c
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.55 грн
50+308.33 грн
100+283.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CS1710
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR 2200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+194.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.28 грн
10+320.28 грн
100+230.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF
IXYA8N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N90C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixyh24n90c3d1-datasheet?assetguid=a4366edb-d41a-4719-b052-c6c82f879f83
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 44A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
IXYH60N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 140A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.20 грн
30+480.46 грн
120+418.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf
IXYN80N90C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMJX1H40N150 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMJX1H40N150-Datasheet?assetguid=8177E2BD-744B-41AB-98A1-60D6E9993F18
MMJX1H40N150
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 16-BESOP (0.787", 20.00mm Width), 15 Leads, Isolated Tab
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2930.64 грн
30+1905.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet?assetguid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761
MMIX1H60N150V1
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4241.52 грн
20+3021.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f
IXHH40N150HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3283.17 грн
30+2192.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a
IXHX40N150V1HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4324.51 грн
30+3092.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N360 littelfuse-discrete-igbts-ixbf20n360-datasheet?assetguid=394fa03e-304a-4115-bc8a-eacb437dd208
IXBF20N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5277.72 грн
25+3922.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBL60N360 DS100577(IXBL60N360).pdf
IXBL60N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF50N360 DS100623(IXBF50N360)_.pdf
IXBF50N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX50N360HV
IXBX50N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 125A TO-247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5205.85 грн
30+3843.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.43 грн
10+376.47 грн
100+274.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=636eac5f-86db-4f80-a492-aa2746822f9d&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30MT1200NPZ-Datasheet
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 33A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB.pdf
CLA30MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB.pdf
CLA40MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHB cla80mt1200nhb-datasheet?assetguid=8fe23120-809a-4153-9e2c-c17d5b314175
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 88A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.24 грн
30+440.69 грн
120+374.83 грн
510+326.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHR cla80mt1200nhr-datasheet?assetguid=912d4200-7d00-4a62-93c1-95457a233d68
CLA80MT1200NHR
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 88A ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.73 грн
30+625.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC DPG30C300PC.pdf
DPG30C300PC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
IXTH1N200P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+792.34 грн
30+449.81 грн
120+381.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYP10N65C3D1-Datasheet.PDF
IXYP10N65C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXRFD631 IXRFD631_Datasheet_RevA.pdf
IXRFD631
Виробник: IXYS
Description: IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N360HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n360hv-datasheet?assetguid=1ef20bb4-b0bf-4676-980c-d6f3252647e7
IXBH20N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7605.12 грн
30+6114.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N360HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLPN005H10L SLPN005H10L.pdf
Виробник: IXYS
Description: SOLARPN HI-EFF 223X143X2MM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SLMD242H10L SLMD242H10L.pdf
Виробник: IXYS
Description: SOLARMD HI-EFF 214.5X131.6X2MM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SOLARADE SOLARADE_Brochure.PDF
SOLARADE
Виробник: IXYS
Description: BATT CHARGER SOLAR CHARGER 5V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XM
IXTP20N65XM
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65XM
IXTP32N65XM
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20n65x-datasheet?assetguid=cee0c26e-5e98-4819-97b9-2a9c31098807
IXTP20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X littelfuse-discrete-mosfets-ixt-20n65x-datasheet?assetguid=cee0c26e-5e98-4819-97b9-2a9c31098807
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA20N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32N65X
IXTP32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTQ32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]