Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 260 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB43B72332F820&compId=IXXH75N60C3D1.pdf?ci_sign=7226b060f7541cfae9705b803247e882175885cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+730.01 грн
3+440.95 грн
8+401.77 грн
120+397.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1 IXYS IXXK%2CX100N60B3H1.pdf IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1448.74 грн
3+1320.87 грн
25+1223.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1727.62 грн
2+1574.96 грн
25+1509.97 грн
100+1458.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3 IXYS IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 IXYS DS100421BIXXN100N60B3H1.pdf IXXN100N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3014ED0C9B820&compId=IXXN110N65B4H1.pdf?ci_sign=b28fc3aed32959875df04b4bf39ca4ce608cbe7c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F30564423ED820&compId=IXXN110N65C4H1.pdf?ci_sign=c9eb661bdd50eec71321e7879af73afec49776cd Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3 IXXN200N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3094154329820&compId=IXXN200N60B3.pdf?ci_sign=ef812292331fc8d824cb7af5b362bedf7a3cb9e9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 940W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1 IXXN200N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F320D551551820&compId=IXXN200N60B3H1.pdf?ci_sign=f9a69497086ce9ecb9383c5818b60c7cdfb93b64 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1 IXXN200N60C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F323B2A9A45820&compId=IXXN200N60C3H1.pdf?ci_sign=c226e5dec3e51a0405118c87d36ddf9c69c0fdda Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE458FEB7591820&compId=IXXP12N65B4D1.pdf?ci_sign=249f71380b36ecccc89266db49385297cce44081 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7ECB7A14AD820&compId=IXXQ30N60B3M.pdf?ci_sign=a883fe68cd02608d671c8106875dd32cd7167cad Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx140n65b4h1_datasheet.pdf.pdf IXXX140N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.97 грн
3+210.59 грн
7+160.90 грн
20+152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.18 грн
3+252.11 грн
6+212.31 грн
15+200.88 грн
50+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF IXYA8N90C3D1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet IXYF30N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH10N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250C IXYS DS100791(IXYH12N250C)_.pdf IXYH12N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250C IXYS DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf IXYH16N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+829.46 грн
2+741.51 грн
5+675.01 грн
30+667.39 грн
120+649.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3 IXYH20N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170C IXYH24N170C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE89E33EF98F820&compId=IXYH24N170C.pdf?ci_sign=eb0fb2a3051b99d46f8a9ce2b54f37ef9bae52ce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 24A; 500W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: XPT™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 96nC
Turn-off time: 336ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1 IXYH24N170CV1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF48BAEA1A7820&compId=IXYH24N170CV1.pdf?ci_sign=b2d17e8d83e569f858626a11a68b0ac94a42ca9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 24A; 500W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: XPT™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 96nC
Turn-off time: 336ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB43B72332F820&compId=IXXH75N60C3D1.pdf?ci_sign=7226b060f7541cfae9705b803247e882175885cd
IXXH75N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+730.01 грн
3+440.95 грн
8+401.77 грн
120+397.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1 IXXK%2CX100N60B3H1.pdf
Виробник: IXYS
IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1448.74 грн
3+1320.87 грн
25+1223.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1727.62 грн
2+1574.96 грн
25+1509.97 грн
100+1458.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3
Виробник: IXYS
IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 DS100421BIXXN100N60B3H1.pdf
Виробник: IXYS
IXXN100N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3014ED0C9B820&compId=IXXN110N65B4H1.pdf?ci_sign=b28fc3aed32959875df04b4bf39ca4ce608cbe7c
IXXN110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F30564423ED820&compId=IXXN110N65C4H1.pdf?ci_sign=c9eb661bdd50eec71321e7879af73afec49776cd
IXXN110N65C4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3094154329820&compId=IXXN200N60B3.pdf?ci_sign=ef812292331fc8d824cb7af5b362bedf7a3cb9e9
IXXN200N60B3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 940W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F320D551551820&compId=IXXN200N60B3H1.pdf?ci_sign=f9a69497086ce9ecb9383c5818b60c7cdfb93b64
IXXN200N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F323B2A9A45820&compId=IXXN200N60C3H1.pdf?ci_sign=c226e5dec3e51a0405118c87d36ddf9c69c0fdda
IXXN200N60C3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4
Виробник: IXYS
IXXN200N65A4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE458FEB7591820&compId=IXXP12N65B4D1.pdf?ci_sign=249f71380b36ecccc89266db49385297cce44081
IXXP12N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7ECB7A14AD820&compId=IXXQ30N60B3M.pdf?ci_sign=a883fe68cd02608d671c8106875dd32cd7167cad
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d
IXXR110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx140n65b4h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX140N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd
IXXX160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 860A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.97 грн
3+210.59 грн
7+160.90 грн
20+152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c
IXYA20N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.18 грн
3+252.11 грн
6+212.31 грн
15+200.88 грн
50+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXYA8N90C3D1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450 media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet
Виробник: IXYS
IXYF30N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 DS100561BIXYH100N65C3.pdf
Виробник: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH10N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250C DS100791(IXYH12N250C)_.pdf
Виробник: IXYS
IXYH12N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH12N250CV1HV media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH16N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250C DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf
Виробник: IXYS
IXYH16N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH16N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYH20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+829.46 грн
2+741.51 грн
5+675.01 грн
30+667.39 грн
120+649.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c
IXYH20N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE89E33EF98F820&compId=IXYH24N170C.pdf?ci_sign=eb0fb2a3051b99d46f8a9ce2b54f37ef9bae52ce
IXYH24N170C
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 24A; 500W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: XPT™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 96nC
Turn-off time: 336ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF48BAEA1A7820&compId=IXYH24N170CV1.pdf?ci_sign=b2d17e8d83e569f858626a11a68b0ac94a42ca9d
IXYH24N170CV1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 24A; 500W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: XPT™
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 96nC
Turn-off time: 336ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]