Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16484) > Сторінка 104 з 275

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 135 162 189 216 243 270 275  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXCY10M90S-TRL IXCY10M90S-TRL IXYS littelfuse-power-semi-ixcp10m90s-ixcy10m90s?assetguid=c96aeca6-1b81-4b5d-af9f-6cbd5216c35e Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.32 грн
10+231.16 грн
25+212.77 грн
100+180.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2K IXSG60N65L2K IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg60n65l2k-datasheet?assetguid=fc242485-266f-41e4-ac41-70a3366d5139 Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2K IXSG60N65L2K IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg60n65l2k-datasheet?assetguid=fc242485-266f-41e4-ac41-70a3366d5139 Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.74 грн
10+422.61 грн
100+336.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TR IXSA60N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa60n65l2-7tr-datasheet?assetguid=13dbac17-813e-4c03-8ede-0725d4259010 Description: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+289.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TR IXSA60N65L2-7TR IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa60n65l2-7tr-datasheet?assetguid=13dbac17-813e-4c03-8ede-0725d4259010 Description: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.19 грн
10+427.88 грн
100+341.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHV IXSH60N65L2KHV IXYS Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH60N65L2KHV_Datasheet.pdf Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.33 грн
10+431.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.85 грн
50+210.27 грн
100+192.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3 IXFH30N50Q3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n50q3-datasheet?assetguid=5b0b5bfa-14d1-4221-a3ae-274cbbd7b5ae Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1060.74 грн
30+625.23 грн
120+538.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P IXFH30N50P IXYS 99414.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.20 грн
30+413.92 грн
120+351.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P IXFK140N30P IXYS DS99557FIXFKFX140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1656.10 грн
25+1035.64 грн
100+938.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P IXTA1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.56 грн
50+221.67 грн
100+202.60 грн
500+158.81 грн
1000+153.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXTH96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.02 грн
30+367.27 грн
120+310.51 грн
510+262.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T IXTH68P20T IXYS DS100370AIXTHT68P20T.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1367.11 грн
30+823.99 грн
120+734.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3 IXFP72N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-72n30x3-datasheet?assetguid=095debe6-6813-4074-9f25-63bb3df15119 Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.12 грн
50+411.45 грн
100+380.16 грн
500+324.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50 IXTT11P50 IXYS IXTx11P50_Rev2005.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.69 грн
30+578.77 грн
120+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30x3-datasheet?assetguid=e87aeb6d-7459-4c92-990b-ae67617ef900 Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3280.74 грн
10+2376.68 грн
100+2208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.25 грн
50+293.45 грн
100+269.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T IXYS DS99654AIXTHTQ200N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.86 грн
30+415.28 грн
120+352.60 грн
510+304.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 IXTX200N10L2 IXYS DS100239IXTKTX200N10L2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2448.55 грн
30+1553.65 грн
120+1535.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.07 грн
30+346.38 грн
120+292.25 грн
510+244.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXTQ170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.58 грн
30+524.33 грн
120+448.83 грн
510+402.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10-datasheet?assetguid=ea051e16-aaa9-4983-a975-8d0c07325d72 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.81 грн
30+752.68 грн
120+660.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 GUO40-12NO1 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.05 грн
10+1206.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 FBE22-06N1 IXYS media-3319454.pdf Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1170.81 грн
10+1135.60 грн
25+801.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 VUO190-08NO7 IXYS media-3323304.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6225.59 грн
10+5763.40 грн
25+4870.04 грн
50+4832.53 грн
100+4654.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT VUB72-16NOXT IXYS media-3319306.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4251.01 грн
10+3771.26 грн
24+3022.15 грн
48+2950.19 грн
120+2620.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 VUO160-08NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4541.26 грн
10+3986.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 GBO25-12NO1 IXYS media-3320854.pdf Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1079.72 грн
10+714.81 грн
25+598.61 грн
112+524.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 VUO190-12NO7 IXYS media-3322463.pdf Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6535.48 грн
10+6163.94 грн
25+5219.87 грн
50+5042.27 грн
100+4581.45 грн
250+4563.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 VUE75-06NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1634.32 грн
10+1075.74 грн
100+915.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 VBE100-06NO7 IXYS l546-1547503.pdf Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 VUO86-16NO7 IXYS media-3322824.pdf Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1670.04 грн
10+1514.14 грн
25+927.77 грн
100+868.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N FUO50-16N IXYS media-3323401.pdf Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1836.15 грн
10+1765.02 грн
25+1088.52 грн
100+1077.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A VBE60-06A IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2518.46 грн
10+1931.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35-12NO7 IXYS VUO35_12NO7-1549508.pdf Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 VUO121-16NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO121-16NO1-Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6024.65 грн
12+4530.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 VUO34-18NO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO34-18NO1-Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2593.47 грн
10+1934.92 грн
120+1671.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT VUB72-12NOXT IXYS media-3319958.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3801.80 грн
10+3496.60 грн
24+2735.86 грн
48+2684.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 VUO110-16NO7 IXYS VUO110-16NO7-1549614.pdf Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC IXYS FBS16-06SC.pdf Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 VUE130-12NO7 IXYS media-3319668.pdf Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3453.50 грн
10+2956.97 грн
100+2321.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125-12NO7 IXYS VBO125_08NO7-1548071.pdf Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH VUM33-06PH IXYS media-3320410.pdf Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5510.24 грн
10+4196.45 грн
20+3642.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 VUO28-12NO7 IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1478.03 грн
10+920.81 грн
100+760.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED MCMA120UJ1800ED IXYS media-3323050.pdf SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7227.61 грн
12+5730.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-12NO2 IXYS VBO20-1548119.pdf Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7 IXYS VUO105-12NO7-1549580.pdf Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBO22-16NO8 VBO22-16NO8 IXYS VBO22-16NO8.pdf Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1194.93 грн
10+684.00 грн
100+594.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO105-16NO7 VBO105-16NO7 IXYS VBO105-08NO7-1548186.pdf Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA260PD1600YB MCMA260PD1600YB IXYS media-3323065.pdf SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7256.19 грн
12+6950.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T VUO120-12NO2T IXYS VUO120-12NO2T-1549499.pdf Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO55-16NO7 VUO55-16NO7 IXYS VUO55_16NO7-1549631.pdf Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3754.47 грн
10+3452.58 грн
30+2939.48 грн
100+2804.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO13-12AO2 VBO13-12AO2 IXYS VBO13-1548073.pdf Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-16NO8 VUO36-16NO8 IXYS media-3322865.pdf Bridge Rectifiers 36 Amps 1600V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.94 грн
10+1364.48 грн
50+724.15 грн
100+723.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUI72-16NOXT VUI72-16NOXT IXYS media-3321251.pdf Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3703.56 грн
24+2973.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-16NO1 VUO52-16NO1 IXYS media-3319589.pdf Bridge Rectifiers 52 Amps 1600V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2347.88 грн
10+2263.28 грн
24+1792.01 грн
120+1754.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXCY10M90S-TRL littelfuse-power-semi-ixcp10m90s-ixcy10m90s?assetguid=c96aeca6-1b81-4b5d-af9f-6cbd5216c35e
IXCY10M90S-TRL
Виробник: IXYS
Description: IC CURRENT REGULATOR TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 900V
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.32 грн
10+231.16 грн
25+212.77 грн
100+180.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2K power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg60n65l2k-datasheet?assetguid=fc242485-266f-41e4-ac41-70a3366d5139
IXSG60N65L2K
Виробник: IXYS
Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG60N65L2K power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg60n65l2k-datasheet?assetguid=fc242485-266f-41e4-ac41-70a3366d5139
IXSG60N65L2K
Виробник: IXYS
Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.74 грн
10+422.61 грн
100+336.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa60n65l2-7tr-datasheet?assetguid=13dbac17-813e-4c03-8ede-0725d4259010
IXSA60N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+289.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA60N65L2-7TR power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa60n65l2-7tr-datasheet?assetguid=13dbac17-813e-4c03-8ede-0725d4259010
IXSA60N65L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 650V 40M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.19 грн
10+427.88 грн
100+341.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH60N65L2KHV Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH60N65L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH60N65L2KHV
Виробник: IXYS
Description: 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 600 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.33 грн
10+431.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
IXTP36N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.85 грн
50+210.27 грн
100+192.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50Q3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n50q3-datasheet?assetguid=5b0b5bfa-14d1-4221-a3ae-274cbbd7b5ae
IXFH30N50Q3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1060.74 грн
30+625.23 грн
120+538.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH30N50P 99414.pdf
IXFH30N50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.20 грн
30+413.92 грн
120+351.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30P DS99557FIXFKFX140N30P.pdf
IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1656.10 грн
25+1035.64 грн
100+938.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
IXTA1N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.56 грн
50+221.67 грн
100+202.60 грн
500+158.81 грн
1000+153.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
IXTH96P085T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.02 грн
30+367.27 грн
120+310.51 грн
510+262.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH68P20T DS100370AIXTHT68P20T.pdf
IXTH68P20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1367.11 грн
30+823.99 грн
120+734.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP72N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-72n30x3-datasheet?assetguid=095debe6-6813-4074-9f25-63bb3df15119
IXFP72N30X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.12 грн
50+411.45 грн
100+380.16 грн
500+324.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50 IXTx11P50_Rev2005.pdf
IXTT11P50
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.69 грн
30+578.77 грн
120+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixfn210n30x3-datasheet?assetguid=e87aeb6d-7459-4c92-990b-ae67617ef900
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3280.74 грн
10+2376.68 грн
100+2208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.25 грн
50+293.45 грн
100+269.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T DS99654AIXTHTQ200N10T.pdf
IXTH200N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.86 грн
30+415.28 грн
120+352.60 грн
510+304.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 DS100239IXTKTX200N10L2.pdf
IXTX200N10L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2448.55 грн
30+1553.65 грн
120+1535.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
IXTQ52P10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.07 грн
30+346.38 грн
120+292.25 грн
510+244.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
IXTQ170N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+902.58 грн
30+524.33 грн
120+448.83 грн
510+402.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10-datasheet?assetguid=ea051e16-aaa9-4983-a975-8d0c07325d72
IXTH75N10L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1257.81 грн
30+752.68 грн
120+660.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTH12N70X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N70X2M ixty2n65x2.pdf
IXTP12N70X2M
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GUO40-12NO1 Littelfuse_Power_Semiconductors_GUO40_12NO1_Datasheet.pdf
GUO40-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 40 Amps 1200V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1411.05 грн
10+1206.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FBE22-06N1 media-3319454.pdf
FBE22-06N1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers RECTIFIER BRIDGE ISOPLUS i4-PAC
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1170.81 грн
10+1135.60 грн
25+801.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-08NO7 media-3323304.pdf
VUO190-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 800V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6225.59 грн
10+5763.40 грн
25+4870.04 грн
50+4832.53 грн
100+4654.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-16NOXT media-3319306.pdf
VUB72-16NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4251.01 грн
10+3771.26 грн
24+3022.15 грн
48+2950.19 грн
120+2620.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-08NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO160_08NO7_Datasheet.pdf
VUO160-08NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 160 Amps 800V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4541.26 грн
10+3986.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBO25-12NO1 media-3320854.pdf
GBO25-12NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 25 Amps 1600V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1079.72 грн
10+714.81 грн
25+598.61 грн
112+524.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO190-12NO7 media-3322463.pdf
VUO190-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 190 Amps 1200V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6535.48 грн
10+6163.94 грн
25+5219.87 грн
50+5042.27 грн
100+4581.45 грн
250+4563.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUE75-06NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUE75_06NO7_Datasheet.pdf
VUE75-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 75 Amps 600V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1634.32 грн
10+1075.74 грн
100+915.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE100-06NO7 l546-1547503.pdf
VBE100-06NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 100 Amps 600V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO86-16NO7 media-3322824.pdf
VUO86-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 PHS REC BRDG 1600V, 86A
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1670.04 грн
10+1514.14 грн
25+927.77 грн
100+868.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FUO50-16N media-3323401.pdf
FUO50-16N
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 50 Amps 1600V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1836.15 грн
10+1765.02 грн
25+1088.52 грн
100+1077.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBE60-06A Littelfuse_Power_Semiconductors_VBE60_06A_Datasheet.pdf
VBE60-06A
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 60 Amps 600V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2518.46 грн
10+1931.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO35-12NO7 VUO35_12NO7-1549508.pdf
VUO35-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 35 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO121-16NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO121-16NO1-Datasheet.pdf
VUO121-16NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 121 Amps 1600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6024.65 грн
12+4530.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO34-18NO1-Datasheet.pdf
VUO34-18NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 34 Amps 1800V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2593.47 грн
10+1934.92 грн
120+1671.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUB72-12NOXT media-3319958.pdf
VUB72-12NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3801.80 грн
10+3496.60 грн
24+2735.86 грн
48+2684.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO110-16NO7 VUO110-16NO7-1549614.pdf
VUO110-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 110 Amps 1600V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FBS16-06SC FBS16-06SC.pdf
FBS16-06SC
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 16 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUE130-12NO7 media-3319668.pdf
VUE130-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 130 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3453.50 грн
10+2956.97 грн
100+2321.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO125-12NO7 VBO125_08NO7-1548071.pdf
VBO125-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 125 Amps 1200V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUM33-06PH media-3320410.pdf
VUM33-06PH
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Power MOSFET Stage for Boost Converters
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5510.24 грн
10+4196.45 грн
20+3642.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO28-12NO7 Littelfuse_Power_Semiconductors_VUO28_12NO7_Datasheet.pdf
VUO28-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 28 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1478.03 грн
10+920.81 грн
100+760.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED media-3323050.pdf
MCMA120UJ1800ED
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7227.61 грн
12+5730.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO20-12NO2 VBO20-1548119.pdf
VBO20-12NO2
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 20 Amps 1200V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO105-12NO7 VUO105-12NO7-1549580.pdf
VUO105-12NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1200V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VBO22-16NO8 VBO22-16NO8.pdf
VBO22-16NO8
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 22 Amps 1600V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1194.93 грн
10+684.00 грн
100+594.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO105-16NO7 VBO105-08NO7-1548186.pdf
VBO105-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 105 Amps 1600V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA260PD1600YB media-3323065.pdf
MCMA260PD1600YB
Виробник: IXYS
SCR Modules Thyristor/Diode Module
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7256.19 грн
12+6950.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO120-12NO2T VUO120-12NO2T-1549499.pdf
VUO120-12NO2T
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO55-16NO7 VUO55_16NO7-1549631.pdf
VUO55-16NO7
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 55 Amps 1600V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3754.47 грн
10+3452.58 грн
30+2939.48 грн
100+2804.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VBO13-12AO2 VBO13-1548073.pdf
VBO13-12AO2
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VUO36-16NO8 media-3322865.pdf
VUO36-16NO8
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 36 Amps 1600V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1411.94 грн
10+1364.48 грн
50+724.15 грн
100+723.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUI72-16NOXT media-3321251.pdf
VUI72-16NOXT
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Bridge+Brake Unit
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3703.56 грн
24+2973.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-16NO1 media-3319589.pdf
VUO52-16NO1
Виробник: IXYS
Bridge Rectifiers 52 Amps 1600V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2347.88 грн
10+2263.28 грн
24+1792.01 грн
120+1754.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 135 162 189 216 243 270 275  [ Наступна Сторінка >> ]