Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (20356) > Сторінка 38 з 340

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 68 102 136 170 204 238 272 306 340  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MDD255-20N1 IXYS MDD255-20N1.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 270A Y1-CU
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12305.96 грн
10+ 11808.98 грн
MDD255-22N1 IXYS MDD255-22N1.pdf Description: DIODE MODULE 2.2KV 270A Y1-CU
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MDD26-12N1B MDD26-12N1B IXYS MDD26-12N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 36A TO240AA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MDD310-08N1 IXYS MDD310-08N1.pdf Description: DIODE MODULE 800V 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-12N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-14N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-16N1 MDD310-16N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MOD GP 1.6KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1600 V
товар відсутній
MDD310-18N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MODULE 1.8KV 305A Y2-DCB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8321.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
MDD310-20N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-22N1 IXYS MDD310.pdf Description: DIODE MODULE 2.2KV 305A Y2-DCB
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9709.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
MDD312-12N1 IXYS IXYS_Selectorguide_2015.pdf#page=97 Description: DIODE MODULE 1.2KV 310A Y1-CU
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10343.69 грн
MDD312-14N1 IXYS MDD312.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-16N1 MDD312-16N1 IXYS MDD312-16N1.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-18N1 IXYS MDD312.pdf Description: DIODE MODULE 1.8KV 310A Y1-CU
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11093.59 грн
MDD312-20N1 IXYS MDD312-20N1.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-22N1 MDD312-22N1 IXYS MDD312.pdf Description: DIODE MODULE 2.2KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD600-12N1 IXYS MDx600.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A WC-500
товар відсутній
MDD600-16N1 IXYS MDx600.pdf Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A WC-500
товар відсутній
MDD600-18N1 IXYS MDx600.pdf Description: DIODE MODULE 1.8KV 600A WC-500
товар відсутній
MDI100-12A3 IXYS MDI100-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI145-12A3 IXYS MDI145-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4968.34 грн
MDI150-12A4 IXYS MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 760 W
Current - Collector Cutoff (Max): 7.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI200-12A4 IXYS MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI300-12A4 IXYS MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI400-12E4 IXYS MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI550-12A4 IXYS MID550-12A4_MDI550-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 670 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI75-12A3 IXYS MDI75-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MDO500-12N1 MDO500-12N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU
Packaging: Box
Package / Case: Y1-CU
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 762pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 560A
Supplier Device Package: Y1-CU
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9434.59 грн
10+ 8409.79 грн
MDO500-14N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-16N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-18N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-20N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 2KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-22N1 MDO500-22N1 IXYS MDO500.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU
Packaging: Box
Package / Case: Y1-CU
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 576pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 560A
Supplier Device Package: Y1-CU
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 2200 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11775.05 грн
10+ 10620.01 грн
MEA250-12DA IXYS 96514.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 260A Y4-M6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5190.94 грн
MEA300-06DA IXYS 96512.pdf Description: DIODE MODULE 600V 304A Y4-M6
товар відсутній
MEE250-12DA MEE250-12DA IXYS ME(A,E,K)250-12DA.pdf Description: DIODE MODULE GP 1200V 260A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 260A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 1200 V
товар відсутній
MEE300-06DA MEE300-06DA IXYS 96512.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 304A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 304A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 600 V
товар відсутній
MEK250-12DA MEK250-12DA IXYS 96514.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 260A Y4-M6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MEK300-06DA MEK300-06DA IXYS 96512.pdf Description: DIODE MODULE 600V 304A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 304A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 600 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5416.41 грн
10+ 4954.84 грн
MEK600-04DA IXYS L581.pdf Description: DIODE MODULE 400V 880A Y4-M6
товар відсутній
MEO450-12DA MEO450-12DA IXYS MEO450-12DA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 453A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.96 V @ 520 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 mA @ 1200 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5601.54 грн
10+ 4924.11 грн
100+ 4454.28 грн
MEO500-06DA MEO500-06DA IXYS MEO500-06DA.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 514A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.52 V @ 520 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 mA @ 600 V
товар відсутній
MID100-12A3 IXYS MID100-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MID145-12A3 IXYS MID145-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4587.27 грн
MID150-12A4 IXYS MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 760 W
Current - Collector Cutoff (Max): 7.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MID200-12A4 IXYS MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8905.85 грн
MID300-12A4 IXYS MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MID400-12E4 IXYS MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MID400-12E4T IXYS MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MID550-12A4 IXYS MID550-12A4_MDI550-12A4.pdf Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
товар відсутній
MID75-12A3 IXYS MID75-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MII145-12A3 IXYS MII145-12A3.pdf Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5
товар відсутній
MII150-12A4 IXYS MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
товар відсутній
MII200-12A4 IXYS MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MII300-12A4 IXYS MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MII75-12A3 IXYS MII75-12A3.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO 600-65E11 IXYS MIO%20600-65E11.pdf Description: MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11
товар відсутній
MIO1200-25E10 IXYS MIO1200-25E10.pdf Description: IGBT MODULE 2500V 1200A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 186 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO1200-33E10 IXYS MIO1200-33E10.pdf Description: IGBT MODULE 3300V 1200A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 187 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO1800-17E10 IXYS MIO1800-17E10.pdf Description: IGBT MODULE 1700V 1800A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 166 nF @ 25 V
товар відсутній
MDD255-20N1 MDD255-20N1.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 270A Y1-CU
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+12305.96 грн
10+ 11808.98 грн
MDD255-22N1 MDD255-22N1.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 270A Y1-CU
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MDD26-12N1B MDD26-12N1B.pdf
MDD26-12N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 36A TO240AA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MDD310-08N1 MDD310-08N1.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 800V 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-12N1 MDD310.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-14N1 MDD310.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-16N1 MDD310.pdf
MDD310-16N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1.6KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1600 V
товар відсутній
MDD310-18N1 MDD310.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 305A Y2-DCB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+8321.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
MDD310-20N1 MDD310.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 305A Y2-DCB
товар відсутній
MDD310-22N1 MDD310.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 305A Y2-DCB
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+9709.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
MDD312-12N1 IXYS_Selectorguide_2015.pdf#page=97
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 310A Y1-CU
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10343.69 грн
MDD312-14N1 MDD312.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-16N1 MDD312-16N1.pdf
MDD312-16N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-18N1 MDD312.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 310A Y1-CU
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11093.59 грн
MDD312-20N1 MDD312-20N1.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD312-22N1 MDD312.pdf
MDD312-22N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 310A Y1-CU
товар відсутній
MDD600-12N1 MDx600.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A WC-500
товар відсутній
MDD600-16N1 MDx600.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A WC-500
товар відсутній
MDD600-18N1 MDx600.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 600A WC-500
товар відсутній
MDI100-12A3 MDI100-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI145-12A3 MDI145-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4968.34 грн
MDI150-12A4 MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 760 W
Current - Collector Cutoff (Max): 7.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI200-12A4 MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI300-12A4 MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI400-12E4 MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI550-12A4 MID550-12A4_MDI550-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 670 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 21 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
товар відсутній
MDI75-12A3 MDI75-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MDO500-12N1 MDO500.pdf
MDO500-12N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU
Packaging: Box
Package / Case: Y1-CU
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 762pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 560A
Supplier Device Package: Y1-CU
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1200 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9434.59 грн
10+ 8409.79 грн
MDO500-14N1 MDO500.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-16N1 MDO500.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-18N1 MDO500.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-20N1 MDO500.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2KV 560A Y1-CU
товар відсутній
MDO500-22N1 MDO500.pdf
MDO500-22N1
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU
Packaging: Box
Package / Case: Y1-CU
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 576pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 560A
Supplier Device Package: Y1-CU
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 2200 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11775.05 грн
10+ 10620.01 грн
MEA250-12DA 96514.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 260A Y4-M6
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5190.94 грн
MEA300-06DA 96512.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 600V 304A Y4-M6
товар відсутній
MEE250-12DA ME(A,E,K)250-12DA.pdf
MEE250-12DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 1200V 260A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 260A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 1200 V
товар відсутній
MEE300-06DA 96512.pdf
MEE300-06DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 600V 304A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 304A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 600 V
товар відсутній
MEK250-12DA 96514.pdf
MEK250-12DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 260A Y4-M6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MEK300-06DA 96512.pdf
MEK300-06DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 600V 304A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 304A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 600 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5416.41 грн
10+ 4954.84 грн
MEK600-04DA L581.pdf
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 400V 880A Y4-M6
товар відсутній
MEO450-12DA MEO450-12DA.pdf
MEO450-12DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 453A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.96 V @ 520 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 mA @ 1200 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5601.54 грн
10+ 4924.11 грн
100+ 4454.28 грн
MEO500-06DA MEO500-06DA.pdf
MEO500-06DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 600V 514A Y4-M6
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 514A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.52 V @ 520 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 mA @ 600 V
товар відсутній
MID100-12A3 MID100-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MID145-12A3 MID145-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4587.27 грн
MID150-12A4 MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 760 W
Current - Collector Cutoff (Max): 7.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MID200-12A4 MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8905.85 грн
MID300-12A4 MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MID400-12E4 MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MID400-12E4T MII400-12E4_MID400-12E4(T)_MDI400-12E4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MID550-12A4 MID550-12A4_MDI550-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
товар відсутній
MID75-12A3 MID75-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MII145-12A3 MII145-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5
товар відсутній
MII150-12A4 MII150-12A4_MID150-12A4_MDI150-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
товар відсутній
MII200-12A4 MII200-12A4_MID200-12A4_MDI200-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MII300-12A4 MII300-12A4_MID300-12A4_MDI300-12A4.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MII75-12A3 MII75-12A3.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO 600-65E11 MIO%20600-65E11.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11
товар відсутній
MIO1200-25E10 MIO1200-25E10.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 2500V 1200A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 186 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO1200-33E10 MIO1200-33E10.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 3300V 1200A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 187 nF @ 25 V
товар відсутній
MIO1800-17E10 MIO1800-17E10.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1700V 1800A E10
Packaging: Box
Package / Case: E10
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E10
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 166 nF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 68 102 136 170 204 238 272 306 340  [ Наступна Сторінка >> ]