Результат пошуку "16n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STF16N65M5
Код товару: 201571 		en.CD00218186.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
очікується: 5 шт
16N60007 Conec 0
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+972.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
16N60008 Conec 0
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+144.73 грн
200+ 139.28 грн
Мінімальне замовлення: 81
16N61001 Conec 16K1A1417_Dwg.pdf 0
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+972.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
16N61001 16N61001 Amphenol CONEC 16K1A1417_Dwg.pdf Description: CONN BACKSHELL 9P 45/180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware
Cable Exit: 45°, 180°
Cable Type: Round
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: E
Compatible D-Sub Size: 9pos and HD15pos
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2349.06 грн
16N61003 Conec 0
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1028+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 1028
FCP16N60 FCP16N60 onsemi fcp16n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.27 грн
50+ 200.17 грн
100+ 171.58 грн
500+ 143.13 грн
1000+ 122.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP16N60N FCP16N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+214.55 грн
Мінімальне замовлення: 93
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.72 грн
3+ 306.09 грн
8+ 289.62 грн
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+551.66 грн
3+ 381.44 грн
8+ 347.54 грн
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.94 грн
3+ 243.64 грн
5+ 194.22 грн
12+ 183.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+350.33 грн
3+ 303.61 грн
5+ 233.07 грн
12+ 220.72 грн
PBES16N60R PBES16N60R TE Connectivity ALCOSWITCH Switches DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=9-2381880-9&DocType=DS&DocLang=English Description: SWITCH ESTOP TWIST RESET 3A 125V
Features: Push Marking
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 3A (AC), 220mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST-NC x 2
Switch Function: On-Off
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Solder, Quick Connect - 0.110" (2.8mm)
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
Reset Operation: Twist
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3549.96 грн
10+ 2853.92 грн
25+ 2607.49 грн
STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.86 грн
10+ 101.44 грн
100+ 80.74 грн
500+ 64.12 грн
1000+ 54.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.19 грн
5000+ 53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N60M6 STD16N60M6 STMicroelectronics std16n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.68 грн
10+ 115.71 грн
100+ 92.12 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.4 грн
10+ 111.94 грн
100+ 89.05 грн
500+ 70.72 грн
1000+ 60 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.3 грн
5+ 149.61 грн
7+ 130.4 грн
17+ 122.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 8001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.72 грн
10+ 155.1 грн
100+ 125.46 грн
500+ 104.66 грн
1000+ 89.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.38 грн
5000+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF16N60M2 STF16N60M2 STMicroelectronics en.DM00147519.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129 грн
50+ 99.69 грн
100+ 82.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N60M6 STF16N60M6 STMicroelectronics stf16n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.89 грн
50+ 138.58 грн
100+ 114.03 грн
500+ 90.55 грн
1000+ 76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.73 грн
10+ 79.61 грн
28+ 75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+164.08 грн
10+ 99.21 грн
28+ 90.59 грн
500+ 88.12 грн
1000+ 87.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.83 грн
50+ 110.21 грн
100+ 90.67 грн
500+ 72.01 грн
1000+ 61.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.25 грн
3+ 170.2 грн
6+ 133.83 грн
17+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+243.9 грн
3+ 212.1 грн
6+ 160.59 грн
17+ 152.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.97 грн
50+ 157.11 грн
100+ 134.67 грн
500+ 112.34 грн
1000+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N60M2 STL16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148686.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.36 грн
10+ 128.27 грн
100+ 102.1 грн
500+ 81.07 грн
1000+ 68.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N60M6 STL16N60M6 STMicroelectronics en.DM00381924.pdf Description: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.03 грн
10+ 144.6 грн
100+ 115.09 грн
500+ 91.39 грн
1000+ 77.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.38 грн
10+ 119.97 грн
100+ 95.51 грн
500+ 75.84 грн
1000+ 64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N60M2 STP16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.42 грн
50+ 100.78 грн
100+ 82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.26 грн
50+ 156.78 грн
100+ 134.37 грн
500+ 112.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.95 грн
75+ 115.13 грн
150+ 94.73 грн
525+ 75.23 грн
1050+ 63.83 грн
2025+ 60.64 грн
5025+ 57.4 грн
10050+ 55.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13611&prodName=TK16N60W Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.12 грн
30+ 202.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.7 грн
30+ 299.73 грн
120+ 256.92 грн
WML16N60C2 WML16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.13 грн
6+ 63.83 грн
16+ 50.1 грн
44+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML16N60C2 WML16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.35 грн
5+ 79.54 грн
16+ 60.12 грн
44+ 56.83 грн
500+ 56 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMM16N60C2 WMM16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.78 грн
7+ 54.22 грн
18+ 46.67 грн
47+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMM16N60C2 WMM16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.94 грн
5+ 67.56 грн
18+ 56 грн
47+ 52.71 грн
800+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMM16N60FD WMM16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.69 грн
14+ 61.08 грн
36+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM16N60FD WMM16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 755 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+102 грн
5+ 88.09 грн
14+ 73.3 грн
36+ 69.18 грн
800+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMN16N65C2 WMN16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.78 грн
7+ 54.22 грн
18+ 46.67 грн
47+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMN16N65C2 WMN16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.94 грн
5+ 67.56 грн
18+ 56 грн
47+ 52.71 грн
500+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO16N65C2 WMO16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.1 грн
19+ 43.24 грн
51+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMO16N65C2 WMO16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.61 грн
5+ 62.43 грн
19+ 51.88 грн
51+ 48.59 грн
2500+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
250R16N681JV3E
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
на замовлення 16663 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PC816N6
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PRN10016N68R0G
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PRN10016N68ROG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH16N60P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL16N60P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL16N60UFD
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STI16N65M5 STx16N65M5_Oct2011.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF16N65M5
Код товару: 201571		 en.CD00218186.pdf
Мікросхеми > Інші мікросхеми
очікується: 5 шт
16N60007
Виробник: Conec
0
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+972.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
16N60008
Виробник: Conec
0
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+144.73 грн
200+ 139.28 грн
Мінімальне замовлення: 81
16N61001 16K1A1417_Dwg.pdf
Виробник: Conec
0
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+972.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
16N61001 16K1A1417_Dwg.pdf
16N61001
Виробник: Amphenol CONEC
Description: CONN BACKSHELL 9P 45/180DEG SHLD
Packaging: Bulk
Features: Mating Screws 4-40
Material: Metal, Zinc
Shielding: Shielded
Number of Positions: 9
Accessory Type: Two Piece Backshell
Hardware: Assembly Hardware
Cable Exit: 45°, 180°
Cable Type: Round
Primary Material: Metal
Compatible Shell Size: E
Compatible D-Sub Size: 9pos and HD15pos
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2349.06 грн
16N61003
Виробник: Conec
0
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1028+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 1028
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.27 грн
50+ 200.17 грн
100+ 171.58 грн
500+ 143.13 грн
1000+ 122.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP16N60N FAIRS46028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP16N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+214.55 грн
Мінімальне замовлення: 93
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+459.72 грн
3+ 306.09 грн
8+ 289.62 грн
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+551.66 грн
3+ 381.44 грн
8+ 347.54 грн
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.94 грн
3+ 243.64 грн
5+ 194.22 грн
12+ 183.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.33 грн
3+ 303.61 грн
5+ 233.07 грн
12+ 220.72 грн
PBES16N60R DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=9-2381880-9&DocType=DS&DocLang=English
PBES16N60R
Виробник: TE Connectivity ALCOSWITCH Switches
Description: SWITCH ESTOP TWIST RESET 3A 125V
Features: Push Marking
Packaging: Tray
Current Rating (Amps): 3A (AC), 220mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST-NC x 2
Switch Function: On-Off
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Solder, Quick Connect - 0.110" (2.8mm)
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
Reset Operation: Twist
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3549.96 грн
10+ 2853.92 грн
25+ 2607.49 грн
STD16N60M2 en.DM00148347.pdf
STD16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.86 грн
10+ 101.44 грн
100+ 80.74 грн
500+ 64.12 грн
1000+ 54.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N60M2 en.DM00148347.pdf
STD16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.19 грн
5000+ 53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N60M6 std16n60m6.pdf
STD16N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.68 грн
10+ 115.71 грн
100+ 92.12 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.4 грн
10+ 111.94 грн
100+ 89.05 грн
500+ 70.72 грн
1000+ 60 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+183.3 грн
5+ 149.61 грн
7+ 130.4 грн
17+ 122.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 8001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.72 грн
10+ 155.1 грн
100+ 125.46 грн
500+ 104.66 грн
1000+ 89.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+105.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+93.38 грн
5000+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF16N60M2 en.DM00147519.pdf
STF16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129 грн
50+ 99.69 грн
100+ 82.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N60M6 stf16n60m6.pdf
STF16N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.89 грн
50+ 138.58 грн
100+ 114.03 грн
500+ 90.55 грн
1000+ 76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.73 грн
10+ 79.61 грн
28+ 75.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.08 грн
10+ 99.21 грн
28+ 90.59 грн
500+ 88.12 грн
1000+ 87.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.83 грн
50+ 110.21 грн
100+ 90.67 грн
500+ 72.01 грн
1000+ 61.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.25 грн
3+ 170.2 грн
6+ 133.83 грн
17+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.9 грн
3+ 212.1 грн
6+ 160.59 грн
17+ 152.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.97 грн
50+ 157.11 грн
100+ 134.67 грн
500+ 112.34 грн
1000+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N60M2 en.DM00148686.pdf
STL16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.36 грн
10+ 128.27 грн
100+ 102.1 грн
500+ 81.07 грн
1000+ 68.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N60M6 en.DM00381924.pdf
STL16N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.03 грн
10+ 144.6 грн
100+ 115.09 грн
500+ 91.39 грн
1000+ 77.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.38 грн
10+ 119.97 грн
100+ 95.51 грн
500+ 75.84 грн
1000+ 64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N60M2 en.DM00148525.pdf
STP16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.42 грн
50+ 100.78 грн
100+ 82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.26 грн
50+ 156.78 грн
100+ 134.37 грн
500+ 112.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 1684623289557307cd002.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.95 грн
75+ 115.13 грн
150+ 94.73 грн
525+ 75.23 грн
1050+ 63.83 грн
2025+ 60.64 грн
5025+ 57.4 грн
10050+ 55.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK16N60W,S1VF TK16N60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13611&prodName=TK16N60W
TK16N60W,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.12 грн
30+ 202.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
TRS16N65FB,S1Q
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.7 грн
30+ 299.73 грн
120+ 256.92 грн
WML16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WML16N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.13 грн
6+ 63.83 грн
16+ 50.1 грн
44+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WML16N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.35 грн
5+ 79.54 грн
16+ 60.12 грн
44+ 56.83 грн
500+ 56 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMM16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WMM16N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.78 грн
7+ 54.22 грн
18+ 46.67 грн
47+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMM16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WMM16N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.94 грн
5+ 67.56 грн
18+ 56 грн
47+ 52.71 грн
800+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMM16N60FD WMx16N60FD.pdf
WMM16N60FD
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.69 грн
14+ 61.08 грн
36+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM16N60FD WMx16N60FD.pdf
WMM16N60FD
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 755 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102 грн
5+ 88.09 грн
14+ 73.3 грн
36+ 69.18 грн
800+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMN16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMN16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.78 грн
7+ 54.22 грн
18+ 46.67 грн
47+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMN16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMN16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.94 грн
5+ 67.56 грн
18+ 56 грн
47+ 52.71 грн
500+ 51.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMO16N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.1 грн
19+ 43.24 грн
51+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMO16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMO16N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.61 грн
5+ 62.43 грн
19+ 51.88 грн
51+ 48.59 грн
2500+ 46.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
250R16N681JV3E
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
на замовлення 16663 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PC816N6
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PRN10016N68R0G
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PRN10016N68ROG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH16N60P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL16N60P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL16N60UFD
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STI16N65M5 STx16N65M5_Oct2011.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]