Результат пошуку "25n120" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) Код товару: 34959 |
ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-3P Vces: 1200 V Vce: 2,0 V Ic 25: 50 A Ic 100: 25 A Pd 25: 312 W td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190 |
у наявності: 64 шт
очікується:
150 шт
|
|
|||||||||||||||
25N120 |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW25N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419560 |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 480 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW25N120FA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB25N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB25N120FL3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS |
на замовлення 191 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SGW25N120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SKW25N120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 84A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 760ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SKW25N120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 84A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 760ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SKW25N120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P |
на замовлення 19 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
6MBI25N-120 | FUJI | MODULE |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA25N120AN |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA25N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGA25N120D | FAIRCHILD | 2005 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGH25N120FTDS | ON Semiconductor |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQA25N120D | XI.M.Z | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G25N120 | TOSHIBA | 2002 TO-3PL |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
G25N120CND | FAIR | ZIP-3; |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IHW25N120 | MODULE |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IHW25N120R2 | Infineon technologies |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MGY25N120CX |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NGTB25N120SWG | ON Semiconductor |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SDH25N120P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SDL25N120P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SGA25N120ANTD |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGH25N120RUF |
на замовлення 6491 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGH25N120RUFD |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL25N120RUF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SGL25N120RUFD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SKW25N120FKSA1 | Infineon |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
TD25N1200 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TD25N1200KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TD25N1200KOF | AEG |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
TT25N1200KOC | AEG |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQA25N120D (транзистор) Код товару: 76065 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3 Код товару: 160434 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IKW25N120H3 Код товару: 113551 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IKW25N120T2 Код товару: 39789 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
KGT25N120NDA Код товару: 178327 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SGW25N120 Код товару: 37466 |
Infineon |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 3,1 V Ic 25: 46 A Ic 100: 25 A Pd 25: 313 W td(on)/td(off) 100-150 град: 45/730 |
товар відсутній
|
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) Код товару: 34959 |
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
у наявності: 64 шт
очікується:
150 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 225 грн |
10+ | 214 грн |
100+ | 207 грн |
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 321.25 грн |
IGW25N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.81 грн |
10+ | 310.93 грн |
25+ | 255.72 грн |
100+ | 219.09 грн |
240+ | 206.44 грн |
480+ | 194.45 грн |
1200+ | 165.82 грн |
IGW25N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 431.04 грн |
3+ | 275.39 грн |
9+ | 260.13 грн |
IGW25N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 517.25 грн |
3+ | 343.18 грн |
9+ | 312.16 грн |
IGW25N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.03 грн |
10+ | 337.73 грн |
25+ | 255.72 грн |
100+ | 219.09 грн |
240+ | 211.77 грн |
480+ | 165.82 грн |
1200+ | 156.49 грн |
IGW25N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 237.54 грн |
IHW25N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.1 грн |
10+ | 194.52 грн |
25+ | 152.5 грн |
100+ | 133.85 грн |
240+ | 133.19 грн |
480+ | 105.22 грн |
1200+ | 99.22 грн |
IKW25N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005419560
SP005419560
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 225.31 грн |
IKW25N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 442.07 грн |
10+ | 372.96 грн |
25+ | 295.01 грн |
100+ | 270.37 грн |
240+ | 254.39 грн |
480+ | 239.07 грн |
1200+ | 215.1 грн |
IKW25N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.18 грн |
10+ | 376.02 грн |
25+ | 296.34 грн |
100+ | 272.37 грн |
240+ | 255.72 грн |
480+ | 239.74 грн |
1200+ | 215.76 грн |
IKW25N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 507.99 грн |
3+ | 361.41 грн |
7+ | 341.99 грн |
IKW25N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 226.86 грн |
IKW25N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 435.85 грн |
10+ | 403.59 грн |
25+ | 297.67 грн |
100+ | 269.7 грн |
240+ | 263.04 грн |
480+ | 215.76 грн |
1200+ | 205.77 грн |
IKW25N120H3XK |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 414.88 грн |
10+ | 359.17 грн |
25+ | 285.02 грн |
100+ | 264.38 грн |
240+ | 249.73 грн |
480+ | 235.08 грн |
1200+ | 215.76 грн |
IKW25N120T2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 432.75 грн |
10+ | 419.67 грн |
25+ | 293.01 грн |
100+ | 273.7 грн |
240+ | 273.03 грн |
480+ | 221.76 грн |
1200+ | 212.43 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 567.75 грн |
3+ | 361.41 грн |
7+ | 341.99 грн |
100+ | 328.81 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 681.3 грн |
3+ | 450.37 грн |
7+ | 410.38 грн |
100+ | 394.57 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 264.9 грн |
MIW25N120FA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 380.69 грн |
10+ | 314.75 грн |
25+ | 259.05 грн |
100+ | 221.76 грн |
250+ | 209.1 грн |
500+ | 197.12 грн |
1000+ | 169.15 грн |
NGTB25N120FL2WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 521.32 грн |
10+ | 452.6 грн |
30+ | 324.98 грн |
180+ | 287.68 грн |
540+ | 252.39 грн |
1080+ | 241.73 грн |
NGTB25N120FL3WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
IGBT Transistors IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.18 грн |
10+ | 434.22 грн |
30+ | 304.33 грн |
120+ | 269.7 грн |
180+ | 240.4 грн |
540+ | 216.43 грн |
1080+ | 205.77 грн |
SGW25N120FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SKW25N120 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1085.45 грн |
2+ | 694.38 грн |
4+ | 656.22 грн |
SKW25N120 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1302.54 грн |
2+ | 865.3 грн |
4+ | 787.47 грн |
SKW25N120FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P |
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.28 грн |
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247 |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 398.1 грн |
FGA25N120ANTDTU-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SGW25N120 Код товару: 37466 |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 3,1 V
Ic 25: 46 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 313 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 45/730
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 3,1 V
Ic 25: 46 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 313 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 45/730
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]