Результат пошуку "6N80" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQB6N80TM | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HI1206N800R-10 | Laird Performance Materials | Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD |
на замовлення 53195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH16N80P | IXYS | MOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 343-352 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252) |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD6N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHU6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N |
на замовлення 30522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DD106N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD76N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT36N800KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT46N800KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT56N800KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HI1206N800R-00 |
на замовлення 1047000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HI1206N800R-10 | STEWARD | 06+ |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MTM6N80 | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTM6N80E | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTY16N80E |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SDH16N80P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SDL16N80P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD6N80C3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSH6N80 |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSP6N80A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSS6N80 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSS6N80A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STH6N80FI |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP6N80 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP6N80FP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TD46N800KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TD56N800KOC | EUPEC |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
TD56N800KOC | EUPEC | CDH2-3 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FQB6N80TM |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.68 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 159.73 грн |
10+ | 94.87 грн |
26+ | 89.6 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.68 грн |
10+ | 118.22 грн |
26+ | 107.52 грн |
500+ | 103.9 грн |
FQP6N80C |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.36 грн |
10+ | 148.79 грн |
100+ | 93.24 грн |
500+ | 86.01 грн |
1000+ | 73.73 грн |
2000+ | 69.89 грн |
5000+ | 68.3 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 42.4 грн |
HI1206N800R-10 |
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 53195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 17.29 грн |
36+ | 9.39 грн |
100+ | 7.3 грн |
250+ | 6.22 грн |
500+ | 5.57 грн |
1000+ | 4.7 грн |
3000+ | 4.26 грн |
IXFH16N80P |
Виробник: IXYS
MOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
MOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 701.6 грн |
10+ | 632.56 грн |
30+ | 480.66 грн |
120+ | 435.13 грн |
270+ | 430.07 грн |
SIHA6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.86 грн |
10+ | 68.83 грн |
100+ | 47.42 грн |
500+ | 44.45 грн |
SIHB6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.44 грн |
10+ | 167.91 грн |
100+ | 118.54 грн |
250+ | 109.14 грн |
500+ | 99.02 грн |
1000+ | 83.84 грн |
SIHD6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
MOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.58 грн |
10+ | 50.12 грн |
100+ | 37.44 грн |
500+ | 35.13 грн |
SIHD6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113 грн |
10+ | 93.1 грн |
100+ | 63.97 грн |
250+ | 63.9 грн |
500+ | 61.73 грн |
SIHP6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.73 грн |
10+ | 107.23 грн |
100+ | 65.77 грн |
500+ | 52.4 грн |
1000+ | 47.99 грн |
2000+ | 44.52 грн |
5000+ | 43.66 грн |
SIHP6N80E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.83 грн |
10+ | 142.14 грн |
100+ | 101.19 грн |
250+ | 97.58 грн |
500+ | 88.18 грн |
1000+ | 76.62 грн |
2500+ | 75.17 грн |
SIHP6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 184.68 грн |
10+ | 150.45 грн |
100+ | 104.08 грн |
250+ | 96.86 грн |
500+ | 87.46 грн |
1000+ | 75.89 грн |
SIHU6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
MOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 107.94 грн |
10+ | 83.12 грн |
100+ | 59.2 грн |
500+ | 50.16 грн |
1000+ | 40.84 грн |
3000+ | 40.77 грн |
6000+ | 38.16 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.84 грн |
4+ | 115.2 грн |
10+ | 101.64 грн |
11+ | 88.09 грн |
28+ | 83.57 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.41 грн |
3+ | 143.55 грн |
10+ | 121.97 грн |
11+ | 105.71 грн |
28+ | 100.29 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 166.12 грн |
10+ | 137.15 грн |
100+ | 93.96 грн |
250+ | 90.35 грн |
500+ | 76.62 грн |
1000+ | 67.87 грн |
2500+ | 64.62 грн |
SPA06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.96 грн |
10+ | 96.42 грн |
100+ | 62.59 грн |
SPD06N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 30522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.77 грн |
10+ | 93.93 грн |
100+ | 71.92 грн |
500+ | 63.24 грн |
1000+ | 58.19 грн |
2500+ | 56.74 грн |
SPD06N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 180.49 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 145.31 грн |
8+ | 112.94 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.28 грн |
3+ | 181.08 грн |
8+ | 135.52 грн |
22+ | 128.3 грн |
250+ | 126.49 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 162.75 грн |
10+ | 133 грн |
100+ | 91.8 грн |
250+ | 84.57 грн |
500+ | 77.34 грн |
1000+ | 66.28 грн |
2500+ | 62.88 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.39 грн |
SPP06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.79 грн |
10+ | 121.36 грн |
100+ | 83.84 грн |
500+ | 67.87 грн |
1000+ | 61 грн |
STB6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.79 грн |
10+ | 124.68 грн |
100+ | 86.01 грн |
250+ | 79.51 грн |
500+ | 71.92 грн |
1000+ | 58.76 грн |
2000+ | 57.03 грн |
STD6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 166.12 грн |
10+ | 136.32 грн |
100+ | 93.96 грн |
250+ | 93.24 грн |
500+ | 80.23 грн |
1000+ | 67.87 грн |
2500+ | 64.04 грн |
STP6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.45 грн |
10+ | 88.94 грн |
100+ | 73.73 грн |
500+ | 71.92 грн |
1000+ | 71.27 грн |
2000+ | 70.62 грн |
5000+ | 67.44 грн |
WMK06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 75.41 грн |
7+ | 58.5 грн |
10+ | 46.91 грн |
34+ | 26.13 грн |
93+ | 24.7 грн |
WMK06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.9 грн |
10+ | 56.29 грн |
34+ | 31.35 грн |
93+ | 29.63 грн |
WML06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 55.14 грн |
10+ | 38.55 грн |
25+ | 34.03 грн |
27+ | 33.13 грн |
74+ | 31.32 грн |
WML06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.16 грн |
6+ | 48.04 грн |
25+ | 40.84 грн |
27+ | 39.75 грн |
74+ | 37.59 грн |
500+ | 36.14 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]