Результат пошуку "6N80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQA6N80 FQA6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FQAF6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM ON-Semicoductor fqb6n80-d.pdf N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.81 грн
4+ 111.96 грн
10+ 86.93 грн
26+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.77 грн
3+ 139.52 грн
10+ 104.31 грн
26+ 99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.02 грн
10+ 133.59 грн
100+ 95.47 грн
250+ 94.8 грн
500+ 82.78 грн
1000+ 66.76 грн
5000+ 63.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C FQP6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.43 грн
50+ 121.76 грн
100+ 100.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C ON-Semicoductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C FQPF6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF6N80C FQPF6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.21 грн
50+ 116.08 грн
100+ 95.52 грн
500+ 75.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+ 4.12 грн
9000+ 3.92 грн
15000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 112801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.44 грн
26+ 10.71 грн
32+ 8.85 грн
50+ 7.17 грн
100+ 6.44 грн
250+ 5.44 грн
500+ 4.79 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird Performance Materials hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 58451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.19 грн
37+ 8.45 грн
100+ 6.54 грн
250+ 5.54 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 LAIRD 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15000
IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS media-3320744.pdf MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+647.25 грн
10+ 581.96 грн
30+ 443.96 грн
120+ 401.24 грн
270+ 397.23 грн
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.72 грн
10+ 61.82 грн
100+ 48.06 грн
500+ 38.23 грн
1000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.88 грн
50+ 82.44 грн
100+ 65.32 грн
500+ 51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors siha6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.5 грн
10+ 90.6 грн
100+ 62.09 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80AE-GE3 SIHB6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb6n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.32 грн
50+ 104.27 грн
100+ 85.8 грн
500+ 68.13 грн
1000+ 57.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.6 грн
10+ 158.16 грн
100+ 109.49 грн
250+ 100.81 грн
500+ 91.46 грн
1000+ 77.44 грн
5000+ 72.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.91 грн
10+ 59.35 грн
100+ 43.39 грн
500+ 39.12 грн
1000+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80AE-GE3 Vishay sihd6n80ae.pdf Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.94 грн
75+ 66.58 грн
150+ 52.76 грн
525+ 41.97 грн
1050+ 34.18 грн
2025+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.66 грн
10+ 110.71 грн
100+ 88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.77 грн
10+ 121.31 грн
100+ 84.12 грн
250+ 80.78 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 69.43 грн
3000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.49 грн
50+ 85.05 грн
100+ 67.39 грн
500+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+ 95.2 грн
100+ 64.56 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp6n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.16 грн
50+ 122.66 грн
100+ 100.93 грн
500+ 80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 120.54 грн
100+ 90.8 грн
250+ 87.46 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 83.45 грн
2500+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 138.96 грн
100+ 96.14 грн
250+ 89.46 грн
500+ 80.78 грн
1000+ 67.43 грн
2000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihu6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.7 грн
10+ 80.61 грн
100+ 54.68 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 37.72 грн
3000+ 36.59 грн
6000+ 35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.38 грн
10+ 121.49 грн
100+ 96.69 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 65.15 грн
3000+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.32 грн
4+ 106.4 грн
10+ 81.37 грн
28+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3 SPA06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 126.68 грн
100+ 86.79 грн
250+ 83.45 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 62.69 грн
2500+ 59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.32 грн
10+ 96.74 грн
100+ 75.44 грн
250+ 74.11 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 59.68 грн
2500+ 59.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.71 грн
50+ 111.57 грн
100+ 91.81 грн
500+ 72.9 грн
1000+ 61.86 грн
2000+ 58.76 грн
5000+ 55.63 грн
10000+ 53.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.42 грн
10+ 68.87 грн
100+ 59.62 грн
250+ 59.48 грн
500+ 58.22 грн
1000+ 54.34 грн
2500+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.22 грн
8+ 104.31 грн
22+ 98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+190.53 грн
3+ 167.26 грн
8+ 125.18 грн
22+ 118.5 грн
250+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf description MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.32 грн
10+ 122.84 грн
100+ 84.79 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.22 грн
2500+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp06n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.17 грн
10+ 87.52 грн
100+ 68.76 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 57.01 грн
2500+ 56.41 грн
5000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.82 грн
50+ 108.7 грн
100+ 89.43 грн
500+ 71.02 грн
1000+ 60.26 грн
2000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics stb6n80k5-1850256.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.65 грн
10+ 119 грн
100+ 82.78 грн
250+ 76.11 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 58.08 грн
2000+ 56.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.32 грн
10+ 118.01 грн
100+ 93.89 грн
500+ 74.55 грн
1000+ 63.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.5 грн
5000+ 61.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.11 грн
10+ 129.75 грн
100+ 90.13 грн
250+ 89.46 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 64.56 грн
2500+ 61.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 STF6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085454.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.21 грн
50+ 126.23 грн
100+ 103.88 грн
500+ 82.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 STP6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.03 грн
10+ 95.2 грн
100+ 76.78 грн
250+ 75.44 грн
500+ 74.11 грн
1000+ 68.76 грн
2000+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.9 грн
7+ 55.63 грн
10+ 44.72 грн
34+ 24.13 грн
93+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.33 грн
10+ 53.66 грн
34+ 28.96 грн
93+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.42 грн
10+ 36.72 грн
25+ 32.48 грн
27+ 30.39 грн
74+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML06N80M3 WML06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.91 грн
6+ 45.76 грн
25+ 38.97 грн
27+ 36.47 грн
74+ 34.55 грн
500+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
DD106N800K AEG 05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DD76N800K AEG 05+
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N80 FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM fqb6n80-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.81 грн
4+ 111.96 грн
10+ 86.93 грн
26+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.77 грн
3+ 139.52 грн
10+ 104.31 грн
26+ 99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQPF6N80C_D-2313685.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.02 грн
10+ 133.59 грн
100+ 95.47 грн
250+ 94.8 грн
500+ 82.78 грн
1000+ 66.76 грн
5000+ 63.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c.pdf
FQP6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.43 грн
50+ 121.76 грн
100+ 100.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C fqpf6n80c.pdf
FQPF6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.21 грн
50+ 116.08 грн
100+ 95.52 грн
500+ 75.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.44 грн
6000+ 4.12 грн
9000+ 3.92 грн
15000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 112801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.44 грн
26+ 10.71 грн
32+ 8.85 грн
50+ 7.17 грн
100+ 6.44 грн
250+ 5.44 грн
500+ 4.79 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
HI1206N800R-10 hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 58451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.19 грн
37+ 8.45 грн
100+ 6.54 грн
250+ 5.54 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: LAIRD
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15000
IXFH16N80P media-3320744.pdf
IXFH16N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+647.25 грн
10+ 581.96 грн
30+ 443.96 грн
120+ 401.24 грн
270+ 397.23 грн
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.72 грн
10+ 61.82 грн
100+ 48.06 грн
500+ 38.23 грн
1000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.88 грн
50+ 82.44 грн
100+ 65.32 грн
500+ 51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.5 грн
10+ 90.6 грн
100+ 62.09 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80AE-GE3 sihb6n80ae.pdf
SIHB6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.32 грн
50+ 104.27 грн
100+ 85.8 грн
500+ 68.13 грн
1000+ 57.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 sihb6n80e.pdf
SIHB6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.6 грн
10+ 158.16 грн
100+ 109.49 грн
250+ 100.81 грн
500+ 91.46 грн
1000+ 77.44 грн
5000+ 72.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.91 грн
10+ 59.35 грн
100+ 43.39 грн
500+ 39.12 грн
1000+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.94 грн
75+ 66.58 грн
150+ 52.76 грн
525+ 41.97 грн
1050+ 34.18 грн
2025+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.66 грн
10+ 110.71 грн
100+ 88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.77 грн
10+ 121.31 грн
100+ 84.12 грн
250+ 80.78 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 69.43 грн
3000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.49 грн
50+ 85.05 грн
100+ 67.39 грн
500+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.39 грн
10+ 95.2 грн
100+ 64.56 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.16 грн
50+ 122.66 грн
100+ 100.93 грн
500+ 80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.58 грн
10+ 120.54 грн
100+ 90.8 грн
250+ 87.46 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 83.45 грн
2500+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.58 грн
10+ 138.96 грн
100+ 96.14 грн
250+ 89.46 грн
500+ 80.78 грн
1000+ 67.43 грн
2000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.7 грн
10+ 80.61 грн
100+ 54.68 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 37.72 грн
3000+ 36.59 грн
6000+ 35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 sihu6n80e.pdf
SIHU6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.38 грн
10+ 121.49 грн
100+ 96.69 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 65.15 грн
3000+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.32 грн
4+ 106.4 грн
10+ 81.37 грн
28+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.44 грн
10+ 126.68 грн
100+ 86.79 грн
250+ 83.45 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 62.69 грн
2500+ 59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.32 грн
10+ 96.74 грн
100+ 75.44 грн
250+ 74.11 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 59.68 грн
2500+ 59.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.71 грн
50+ 111.57 грн
100+ 91.81 грн
500+ 72.9 грн
1000+ 61.86 грн
2000+ 58.76 грн
5000+ 55.63 грн
10000+ 53.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 68.87 грн
100+ 59.62 грн
250+ 59.48 грн
500+ 58.22 грн
1000+ 54.34 грн
2500+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.22 грн
8+ 104.31 грн
22+ 98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.53 грн
3+ 167.26 грн
8+ 125.18 грн
22+ 118.5 грн
250+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 description Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.32 грн
10+ 122.84 грн
100+ 84.79 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.22 грн
2500+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 spp06n80c3_rev2.91.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 87.52 грн
100+ 68.76 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 57.01 грн
2500+ 56.41 грн
5000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.82 грн
50+ 108.7 грн
100+ 89.43 грн
500+ 71.02 грн
1000+ 60.26 грн
2000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 725201003193875dm00085379.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 stb6n80k5-1850256.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.65 грн
10+ 119 грн
100+ 82.78 грн
250+ 76.11 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 58.08 грн
2000+ 56.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.32 грн
10+ 118.01 грн
100+ 93.89 грн
500+ 74.55 грн
1000+ 63.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+66.5 грн
5000+ 61.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.11 грн
10+ 129.75 грн
100+ 90.13 грн
250+ 89.46 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 64.56 грн
2500+ 61.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 en.DM00085454.pdf
STF6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.21 грн
50+ 126.23 грн
100+ 103.88 грн
500+ 82.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 en.DM00085379.pdf
STP6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.03 грн
10+ 95.2 грн
100+ 76.78 грн
250+ 75.44 грн
500+ 74.11 грн
1000+ 68.76 грн
2000+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.9 грн
7+ 55.63 грн
10+ 44.72 грн
34+ 24.13 грн
93+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.33 грн
10+ 53.66 грн
34+ 28.96 грн
93+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
10+ 36.72 грн
25+ 32.48 грн
27+ 30.39 грн
74+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WML06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.91 грн
6+ 45.76 грн
25+ 38.97 грн
27+ 36.47 грн
74+ 34.55 грн
500+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
DD106N800K
Виробник: AEG
05+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DD76N800K
Виробник: AEG
05+
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]