Результат пошуку "lQ7" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 25
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DFLS130LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; PowerDI®123; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 76pF Max. forward voltage: 0.36V Case: PowerDI®123 Kind of package: reel; tape Leakage current: 1mA Max. forward impulse current: 50A Power dissipation: 1.67W Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2779 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 2.5Ω Application: automotive industry Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.2A Drain-source voltage: 50V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.37W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+1 |
DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP3098LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.08W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP3130LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.4A; 0.7W; SOT23 Mounting: SMD Application: automotive industry Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 373 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ74 | VISHAY | ILQ74 Optocouplers - analog output |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ74X | ISOCOM | ILQ74X Optocouplers - analog output |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CLQ71-04R | SUMIDA | 2006 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
CLQ72-002 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ72-204 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ72-207V(76070-T207) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ72-24B(G5DYA0000023) | SUMIDA |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CLQ72-320 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ72-34Y(G5DYA0000025) | SUMIDA |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CLQ72B-085 |
на замовлення 544 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ72B-087 |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ7D27 | SUMIDA |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CLQ7D27-426T |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CLQ7D37 | SUMIDA |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ILQ-74 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ILQ74-X001 | VishaySemico |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ILQ74-X009 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ILQ74-X009 | VishaySemico |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ILQ74-X009T | VishaySemico |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ILQ74-X019 | VishaySemico |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ILQ74-X019T | VishaySemico |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ISPLSI1048ELQ70 | LATTICE |
на замовлення 222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ISPLSI1048LQ70 | LATTICE |
на замовлення 667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ISPLSI1048LQ70 | LATTICE | 03+ QFP |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K6X0808C1D-LQ70 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
K6X0808C1DLQ70 | SAMSUNG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
K6X4008T1F-LQ70 | SAMSUNG | 06+ TSOP32 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
mlq75q7csaox |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
CNY74-4H | Vishay |
Quad-Channel CTR 50-600% Uout 70V Uiso 5kV ->PC849, ILQ1, ILQ74 CNY74-4H OOCNY744h кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ74 Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP Код товару: 42057 |
Мікросхеми > Оптрони (оптопари) |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
APTGLQ75H120T3G | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: SP3F Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DFLS120LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®123; reel,tape Mounting: SMD Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 1mA Power dissipation: 1.67W Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®123 Capacitance: 75pF Max. off-state voltage: 20V Max. forward voltage: 0.36V Load current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DFLS140LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 1A; PowerDI®123; reel,tape Mounting: SMD Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 10mA Power dissipation: 1.67W Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®123 Capacitance: 90pF Max. off-state voltage: 40V Max. forward voltage: 0.88V Load current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DFLS230LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 2A; PowerDI®123; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 76pF Max. forward voltage: 0.42V Case: PowerDI®123 Kind of package: reel; tape Leakage current: 1mA Max. forward impulse current: 33A Power dissipation: 1.67W Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DFLS240LQ-7 | DIODES INCORPORATED | DFLS240LQ-7 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.134Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMG3402LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3028LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3404LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN4035LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.7A; Idm: 25A; 1.4W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 52mΩ Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Drain-source voltage: 40V Polarisation: unipolar Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 3.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN65D8LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 870pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP2123LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP2225LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.225Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP3099LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.08W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP3160LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP610DLQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Gate charge: 560pC Polarisation: unipolar Drain current: -0.13A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PD3S120LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®323; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Leakage current: 10µA Max. forward voltage: 0.42V Max. off-state voltage: 20V Load current: 1A Max. forward impulse current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PD3S130LQ-7 | DIODES INCORPORATED | PD3S130LQ-7 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PD3S220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A; PowerDI®323; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Leakage current: 30µA Max. forward voltage: 0.49V Max. off-state voltage: 20V Load current: 2A Max. forward impulse current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
DFLS130LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.36V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 50A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.36V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 50A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.7 грн |
17+ | 17.36 грн |
78+ | 13.64 грн |
213+ | 12.89 грн |
3000+ | 12.47 грн |
DMN10H220LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.03 грн |
11+ | 25.71 грн |
25+ | 19.06 грн |
100+ | 11.38 грн |
158+ | 6.7 грн |
435+ | 6.33 грн |
1000+ | 6.05 грн |
DMN53D0LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5Ω
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.37W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5Ω
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.37W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.3 грн |
18+ | 15.95 грн |
50+ | 9.87 грн |
100+ | 8.17 грн |
260+ | 4.07 грн |
713+ | 3.85 грн |
6000+ | 3.82 грн |
DMN6140LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.22 грн |
13+ | 22.71 грн |
50+ | 15.18 грн |
100+ | 12.74 грн |
139+ | 7.59 грн |
382+ | 7.23 грн |
3000+ | 6.87 грн |
DMP3098LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP3130LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.4A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.4A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.22 грн |
25+ | 14.54 грн |
93+ | 11.27 грн |
255+ | 10.65 грн |
3000+ | 10.39 грн |
ILQ74 |
Виробник: VISHAY
ILQ74 Optocouplers - analog output
ILQ74 Optocouplers - analog output
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 291.9 грн |
15+ | 71.38 грн |
41+ | 67.76 грн |
ILQ74X |
Виробник: ISOCOM
ILQ74X Optocouplers - analog output
ILQ74X Optocouplers - analog output
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 89.32 грн |
22+ | 49.51 грн |
59+ | 46.8 грн |
K6X4008T1F-LQ70 |
Виробник: SAMSUNG
06+ TSOP32
06+ TSOP32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)CNY74-4H |
Виробник: Vishay
Quad-Channel CTR 50-600% Uout 70V Uiso 5kV ->PC849, ILQ1, ILQ74 CNY74-4H OOCNY744h
кількість в упаковці: 25 шт
Quad-Channel CTR 50-600% Uout 70V Uiso 5kV ->PC849, ILQ1, ILQ74 CNY74-4H OOCNY744h
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 40.56 грн |
ILQ74 Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP Код товару: 42057 |
товар відсутній
APTGLQ75H120T3G |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SP3F
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SP3F
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DFLS120LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Capacitance: 75pF
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward voltage: 0.36V
Load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Capacitance: 75pF
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward voltage: 0.36V
Load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DFLS140LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 10mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Capacitance: 90pF
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.88V
Load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 1A; PowerDI®123; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 10mA
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Capacitance: 90pF
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 0.88V
Load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DFLS230LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 2A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.42V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 33A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 2A; PowerDI®123; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 76pF
Max. forward voltage: 0.42V
Case: PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
Max. forward impulse current: 33A
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG2307LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMG3402LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3028LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3404LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 30A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN4035LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.7A; Idm: 25A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 52mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 3.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.7A; Idm: 25A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 52mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 3.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN65D8LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DMP2123LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2225LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP3099LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.08W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -11A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP3160LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP610DLQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 560pC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 560pC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
PD3S120LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PD3S220LQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 0.49V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 2A; PowerDI®323; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 0.49V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]