Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG6301UDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 190mA; Idm: 1.5A; 370mW; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.37W
Gate charge: 0.36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 5Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.22A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 340pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 9763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
17+17.96 грн
100+12.13 грн
500+8.84 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.18 грн
9000+4.91 грн
15000+4.31 грн
21000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.67 грн
6000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+4.69 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+14.68 грн
500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
19+22.31 грн
23+18.87 грн
100+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.76 грн
100+10.55 грн
500+7.39 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2155+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 2155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DiodesMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.66 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 128382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES/ZETEXMosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2366+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 2366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 45984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.74 грн
25+18.02 грн
50+14.75 грн
100+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.112W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.8/-3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
26+16.19 грн
50+13.25 грн
100+11.74 грн
500+8.30 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+6.76 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
9000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
6000+6.70 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
на замовлення 357948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1577+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 1577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.39 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.39 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
6000+7.59 грн
9000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.58 грн
9000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2781000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.66 грн
100+13.77 грн
500+9.70 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7/-2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
18+23.82 грн
50+16.44 грн
100+14.01 грн
500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+8.72 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+8.72 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.61 грн
100+13.07 грн
500+9.21 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.48 грн
6000+6.55 грн
9000+6.22 грн
15000+5.48 грн
21000+5.27 грн
30000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.8W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 100/140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/9nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 37809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.59 грн
100+27.11 грн
500+19.60 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes Inc./ZetexTransistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHAN
на замовлення 31461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.34 грн
5000+15.70 грн
7500+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 24984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+53.59 грн
100+37.08 грн
500+29.07 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
5000+22.25 грн
12500+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6898LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7DiodesMOSFET P-CH 20V 6.5A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.3W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 124176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.55 грн
25+19.59 грн
50+16.05 грн
100+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6968U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.