Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG563H10RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H10RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H40RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 510Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 5.1kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H40RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPANASONICSOT25/SOT353
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564010RPanasonicBipolar Transistors - BJT Composite Transistor w/ Built n Resistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564020RPANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564030RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564030RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564040RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564050RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564060RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5640N0RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5640N0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H20RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H20RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H30RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H30RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+44.55 грн
100+29.09 грн
500+21.08 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG600LOVATODescription: LOVATO - DMG600 - Einbauinstrument, Multifunktion, 25mA-6A, 50-720V, 45-66Hz, 50-720V Versorgung
tariffCode: 90283019
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Funktionsumfang: Strom, Spannung, Frequenz, Leistung, Energie, Leistungsfaktor
Höhe des Frontplattenausschnitts: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 50V
Breite des Frontplattenausschnitts: -
euEccn: NLR
Messbereich: 25mA bis 6A, 50V bis 720V, 45Hz bis 66Hz
Ziffernhöhe: -
Produktpalette: DMG Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 720V
Betriebstemperatur, max.: 60°C
Anzahl der Ziffern / Zeichen: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25082.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG611R0100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
AC current measuring range: 10...100A
Diameter: 50mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Mounting hole diameter: 92x92mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
AC voltage measuring range: 50...415V
Maximum current: 100A
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: with a rogowski coil
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG611R6300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Kind of measurement: with a rogowski coil
Diameter: 240mm
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...415V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Maximum current: 6300A
AC current measuring range: 315...6.3kA
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.27 грн
30000+4.03 грн
50000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
16+19.33 грн
100+9.77 грн
500+7.48 грн
1000+5.55 грн
2000+4.67 грн
5000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.62 грн
9000+4.37 грн
15000+3.83 грн
21000+3.67 грн
30000+3.52 грн
75000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
21+14.77 грн
100+9.27 грн
500+6.45 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.50 грн
30000+3.31 грн
50000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6302UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 9763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
17+17.76 грн
100+11.99 грн
500+8.74 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.67 грн
6000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+4.69 грн
24000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.01 грн
45+18.24 грн
100+11.73 грн
500+7.76 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
6000+5.12 грн
9000+4.85 грн
15000+4.26 грн
21000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+14.68 грн
500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2155+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 2155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
21+20.06 грн
24+17.66 грн
100+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.11 грн
104+7.79 грн
500+6.72 грн
1000+4.20 грн
5000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
19+16.57 грн
100+10.43 грн
500+7.30 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DiodesMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.58 грн
1500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.03 грн
50+20.25 грн
100+11.89 грн
500+8.36 грн
1500+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.46 грн
100+10.99 грн
500+7.69 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7DIODES/ZETEXMosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 128382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.13 грн
43+18.80 грн
100+14.06 грн
500+9.85 грн
1000+7.99 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+6.76 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 1.112W
Drain current: 2.8/-3.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
25+17.08 грн
50+10.94 грн
100+8.95 грн
500+6.22 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.34 грн
50+19.37 грн
100+11.01 грн
500+8.51 грн
1500+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.00 грн
100+12.66 грн
500+8.90 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
6000+6.70 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
9000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1577+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 1577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2366+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 2366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.01 грн
500+8.51 грн
1500+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
на замовлення 406268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 840mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.22 грн
50+24.03 грн
100+15.43 грн
500+10.60 грн
1500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
14+21.42 грн
100+13.61 грн
500+9.59 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
6000+7.59 грн
9000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.58 грн
9000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2781000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.43 грн
500+10.60 грн
1500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+7.39 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]