Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA600N25NM3SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA600N25NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA600N25NM3SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060C7XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R060C7XKSA1 TIPA60r060c7 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin TO-220FP Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin TO-220FP Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C6 Код товару: 59760
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPA60R099C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C6XKSA1 | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 12A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC Pulsed drain current: 83A | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120C7 | Rochester Electronics, LLC | Description: IPA60R120 - 11A, 600V, 0.12OHM, Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 66A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ C7 Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 66A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Rochester Electronics | IPA60R120C7XKSA1 | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 28W Case: TO220FP On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ P7 Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120P7E8191XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Part Status: Active Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPA60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPA60R125C6 Код товару: 59765
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPA60R125C6 | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

