Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R060CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW65R060CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.7A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2462 pF @ 400 V | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R060CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 391W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 69 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFD | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43.3A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 391W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R090CFD7 | Infineon Technologies | IPW65R090CFD7 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWERNEW | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 99600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 Код товару: 201470
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPW65R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|