Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 19220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 Код товару: 196399
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 277.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFD Код товару: 188945
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW65R150CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 Код товару: 207780
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 188880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3 | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R15OCFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 480 шт: термін постачання 1079-1088 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190CFD | Infineon | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

