Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHF530STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+72.29 грн
50+54.14 грн
100+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF540Vishay SiliconixSiHF540 IRF540 N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF540-E3Vishay SiliconixSiHF540-E3 IRF540PBF N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF540S-E3Vishay SiliconixSiHF540S-E3 100 В 28 А (TO-263) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF540STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF5N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF5N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF5N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF620S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF620STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF620STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF634S-E3Vishay SiliconixSiHF634S-E3 IRF634SPBF D2Pak (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF634S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF634STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF634STRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+119.59 грн
131+107.76 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF720L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF720STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740-E3Vishay SiliconixSiHF740-E3 400 В 10 А (TO-220) (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AVishay SiliconixSiHF740A IRF740A (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AL-E3Vishay SiliconixSiHF740AL-E3 IRF740AL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AS-E3Vishay SiliconixSiHF740AS-E3 IRF740ASPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740S-E3Vishay SiliconixSiHF740S-E3 400 В 10 А (TO-263) (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740STL-E3Vishay SiliconixSiHF740STL-E3 IRF740STRLPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840AS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840S-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840S-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STR-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]