Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHF630S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF630STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF634S-E3Vishay SiliconixSiHF634S-E3 IRF634SPBF D2Pak (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF634S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF634STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
10+113.70 грн
100+78.27 грн
500+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF640S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF720L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF720STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730ASTRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740-E3Vishay SiliconixSiHF740-E3 400 В 10 А (TO-220) (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AVishay SiliconixSiHF740A IRF740A (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AL-E3Vishay SiliconixSiHF740AL-E3 IRF740AL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740AS-E3Vishay SiliconixSiHF740AS-E3 IRF740ASPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740S-E3Vishay SiliconixSiHF740S-E3 400 В 10 А (TO-263) (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF740STL-E3Vishay SiliconixSiHF740STL-E3 IRF740STRLPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF740STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF7N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF820L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF830STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.85Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840LCS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840S-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STR-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9510S-E3Vishay SiliconixSiHF9510S-E3 IRF9510SPBF Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9510STL-E3Vishay SiliconixSiHF9510STL-E3 IRF9510STRLPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9520S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9520S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9520S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.30 грн
10+63.60 грн
100+43.41 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530-E3Vishay SiliconixSiHF9530-E3 IRF9530PBF TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHSVishay SiliconixSiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHS IRF9530SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.65 грн
10+44.80 грн
25+39.53 грн
100+35.58 грн
500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530STL-E3Vishay SiliconixSiHF9530STL-E3 IRF9530STRLPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530STR-E3Vishay SiliconixSiHF9530STR-E3 IRF9530STRRPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540-E3Vishay SiliconixSiHF9540-E3 IRF9540PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBFVishay / SiliconixMOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3Vishay SiliconixSiHF9540S-E3 -100 В -19 А (TO-263) D2PAK=TO-263 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]