Продукція > IPW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW65R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.44 грн
10+194.50 грн
100+118.74 грн
480+99.41 грн
1200+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+110.87 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.53 грн
10+254.84 грн
100+181.56 грн
240+180.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+132.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+116.59 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.06 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280E6FKSA1 - IPW65R280E6 650V AND 700V COOLMOS N-CHA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
на замовлення 10341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+97.99 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+171.28 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 240 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
2+226.32 грн
10+187.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.26 грн
10+168.33 грн
100+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
30+132.70 грн
120+108.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R660CFDFKSA1 - IPW65R660 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.57 грн
10000+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7Infineon / IRInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7Infineon
на замовлення 75360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.61 грн
10+169.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.02 грн
30+127.64 грн
120+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+104.79 грн
480+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AInfineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V TO247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.99 грн
30+254.33 грн
120+213.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+262.56 грн
100+120.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
30+134.59 грн
120+109.84 грн
510+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3
Код товару: 60746
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3INFINEONDescription: INFINEON - IPW90R120C3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 417
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; IPW90R120C3FKSA1 IPW90R120C3 TIPW90r120c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+975.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1324.82 грн
12+1284.40 грн
20+1249.89 грн
50+1176.67 грн
100+1066.63 грн
250+1004.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.76 грн
10+1405.18 грн
25+927.01 грн
100+884.94 грн
240+804.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1187.96 грн
10+1147.97 грн
25+711.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.30 грн
5+985.81 грн
10+793.32 грн
50+732.16 грн
100+671.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1346.68 грн
30+810.02 грн
120+741.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+978.36 грн
480+940.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1473.67 грн
11+1413.73 грн
25+932.65 грн
100+890.33 грн
240+809.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1000.81 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R120C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+978.36 грн
480+940.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K0C3Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K0C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.7A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K0C3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K0C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K2C3FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.02 грн
10+147.52 грн
25+146.05 грн
100+139.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K2C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW90R1 - 900V COOLMOS N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R1K2C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3Infineon
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3FKSA1
Код товару: 191424
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+328.26 грн
6720+301.41 грн
10080+281.92 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.24 грн
30+191.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.51 грн
10+231.82 грн
100+179.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3Infineon technologies
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3
Код товару: 152093
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW90R500C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.96 грн
10+195.71 грн
100+161.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R500C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.55 грн
30+234.76 грн
120+201.22 грн
510+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]