Продукція > IPW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW65R150CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDFKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R150CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.72 грн
30+189.50 грн
120+156.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R15OCFDAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7Infineon TechnologiesDescription: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+176.22 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
30+183.71 грн
120+151.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.96 грн
50+358.30 грн
200+203.67 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 480 шт:
термін постачання 1079-1088 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDInfineon
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFD7AXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDAFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.79 грн
9+93.44 грн
10+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
30+172.29 грн
120+141.66 грн
510+111.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; TO247-3; 120ns
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.26 грн
132+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+135.72 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R230CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+119.94 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280C6FKSA1 - IPW65R280 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R280E6FKSA1 - IPW65R280E6 650V AND 700V COOLMOS N-CHA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO247-3 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
на замовлення 10341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+98.90 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 11.4A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R310CFDFKSA1 - IPW65R310 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+170.90 грн
1000+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 240 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R420CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8.7 A, 0.378 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.378ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
30+133.92 грн
120+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6A TO247-3 CoolMOS CFD2
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R660CFDFKSA1 - IPW65R660 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
500+123.76 грн
1000+114.32 грн
10000+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7Infineon / IRInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7Infineon
на замовлення 75360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
30+128.82 грн
120+121.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AInfineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V TO247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
30+256.68 грн
120+215.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]