Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.15 грн
30+464.15 грн
120+395.68 грн
510+325.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.72 грн
10+446.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchMV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+698.28 грн
10+631.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSMOSFETs 20 Amps 500V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYSMOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 0.35µs
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+650.58 грн
10+536.80 грн
30+496.09 грн
120+442.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.75 грн
10+590.66 грн
120+427.32 грн
510+381.07 грн
1020+356.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.11 грн
30+337.54 грн
120+284.56 грн
510+230.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.25 грн
30+537.19 грн
120+468.49 грн
510+426.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.73 грн
5+1057.46 грн
10+871.86 грн
25+637.88 грн
100+544.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 20 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.50 грн
5+802.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PIXYSMOSFETs -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+868.22 грн
10+563.66 грн
120+468.05 грн
510+432.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1057.46 грн
17+871.86 грн
25+637.88 грн
100+544.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH20P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 20A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50IXYSMOSFETs 21 Amps 500V 0.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N055TIXYSMOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N20X4IXYSMOSFETs TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N20X4LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH220N20X4 - Leistungs-MOSFET, Klasse X4, n-Kanal, 200 V, 220 A, 4100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1744.49 грн
5+1658.31 грн
10+1405.42 грн
50+1069.45 грн
100+924.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH220N20X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1286.88 грн
30+776.49 грн
120+693.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH22N50PIXYSMOSFETs 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO247
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 4400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.73 грн
5+832.78 грн
10+720.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4IXYSMOSFETs TO247 150V 240A N-CH HIPER
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+908.49 грн
10+625.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH240N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1239.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50IXYSMODULE
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50IXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+773.18 грн
5+634.65 грн
10+551.70 грн
50+475.64 грн
100+417.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50AIXYS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2652.98 грн
30+1696.72 грн
120+1590.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50LIXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3029.91 грн
10+2373.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.79 грн
10+359.63 грн
120+263.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 390W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20IXYSMOSFETs -24 Amps -200V 0.15 Rds
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.23 грн
10+783.57 грн
30+441.13 грн
120+437.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.69 грн
30+515.16 грн
120+440.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20MOSFET TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH24P20.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH24P20. - MOSFET, P-CH, 200V, 24A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+975.34 грн
25+782.04 грн
100+587.13 грн
250+466.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.53 грн
30+330.37 грн
120+319.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.53 грн
43+330.37 грн
120+319.50 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.59 грн
10+411.24 грн
120+334.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.94 грн
30+321.93 грн
120+284.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.89 грн
10+587.48 грн
120+434.91 грн
510+368.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.42 грн
10+510.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
30+275.74 грн
120+239.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N150IXYSMOSFETs TO247 1.5KV 2A N-CH HIVOLT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.99 грн
10+801.04 грн
30+677.91 грн
60+636.49 грн
120+601.98 грн
270+563.32 грн
510+545.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N150LIXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR STD
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.24 грн
10+912.18 грн
30+771.80 грн
60+728.31 грн
120+716.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+975.45 грн
30+741.99 грн
120+688.20 грн
510+616.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2IXYSMOSFETs N-channel MOSFET
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1572.94 грн
10+1290.87 грн
30+1002.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 10 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1557.15 грн
30+956.15 грн
120+886.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N170D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1778.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]