Продукція > RGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGTS24160GV00CARLO GAVAZZICategory: Soft Starters
Description: Automation module: softstart; 100÷240VAC; for DIN rail mounting
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
Type of automation module: softstart
Operating temperature: -40...60°C
Starting/stopping time: 0.5...5s
Supply voltage: 100...240V AC
Rated continuous current: 16A
Max motor power: 1.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24160GV00Carlo GavazziMotor Drives 1-PHASE S.STARTER 16A UE:100-240VAC I/P:100-240VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24250FV00CARLO GAVAZZICategory: Soft Starters
Description: Automation module: softstart; 24VAC; for DIN rail mounting; 3kW
Type of automation module: softstart
Supply voltage: 24V AC; 24V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Electrical connection: screw terminals
Operating temperature: -40...60°C
Max motor power: 3kW
IP rating: IP20
Starting/stopping time: 0.5...5s
Rated continuous current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24250FV00Carlo GavazziMotor Drives 1-PHASE SOFT STARTER 25A UE: 100 - 240 VAC I/P:24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24250GV00Carlo Gavazzi Inc.Description: 1-PHASE S.STARTER 25A UE:100-240
Packaging: Box
Mounting Type: DIN Rail
Current - Output: 25A
Type: Module
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100 ~ 240VAC
Voltage - Load: 110 ~ 240V
Number of Motors: 1
Motor Type: AC Motor
Control / Drive Type: Soft Start / Stop
Part Status: Active
Wattage - Load: 3000 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25094.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24250GV00CARLO GAVAZZICategory: Soft Starters
Description: Automation module: softstart; 100÷240VAC; for DIN rail mounting
Type of automation module: softstart
Supply voltage: 100...240V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Electrical connection: screw terminals
Operating temperature: -40...60°C
Max motor power: 3kW
IP rating: IP20
Starting/stopping time: 0.5...5s
Rated continuous current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTS24250GV00Carlo GavazziSoft Starters 1-PHASE S.STARTER 25A UE:100-240VAC I/P:100-240VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM5-CPanduit CorpDescription: SHEET METAL SCREW HEX SLOTTED M5
Packaging: Bulk
Material: Steel
Thread Size: M5
Type: Sheet Metal Screw
Plating: Zinc
Length - Below Head: 0.472" (11.99mm)
Screw Head Type: Hex Head
Drive Type: Hex Socket, Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM5-CPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Screw, Thread-Forming, M5 x 12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM6Panduit CorpDescription: GROUNDING SCREW THREAD M6 X 12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM6PanduitScrews & Fasteners GRNDing Screw Thread Forming, M6 x 12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM6-CPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories THREAD FORMG SCREWS M6 X 12mm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTSM6-CPanduit CorpDescription: GROUNDING SCREW THREAD M6 X 12
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+300.63 грн
450+277.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 94 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 45
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 94
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
30+150.76 грн
120+123.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 94 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
Verlustleistung: 94W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 276 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV00TS65DGC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 276W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 276 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.61 грн
10+420.72 грн
25+401.18 грн
120+326.91 грн
360+312.22 грн
600+284.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 276 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 104 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 276 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.37 грн
10+353.24 грн
25+333.95 грн
120+271.63 грн
360+257.70 грн
600+231.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV00TS65GC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 276W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 76 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 76 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
30+217.83 грн
120+186.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
10+353.39 грн
25+334.07 грн
120+271.71 грн
360+257.78 грн
600+231.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
30+109.90 грн
120+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+280.63 грн
25+265.26 грн
120+215.75 грн
360+204.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.81 грн
30+324.91 грн
120+273.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
30+127.53 грн
120+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.23 грн
30+215.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
30+115.43 грн
120+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 60A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.75 грн
30+340.38 грн
120+287.62 грн
510+242.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.32 грн
10+398.15 грн
120+288.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
30+135.66 грн
120+110.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.32 грн
10+318.37 грн
120+227.25 грн
600+183.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65D
Код товару: 190074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.48 грн
10+431.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.10 грн
28+521.68 грн
50+501.80 грн
100+467.47 грн
250+419.71 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+812.07 грн
24+592.85 грн
50+525.67 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+638.20 грн
25+610.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+856.02 грн
21+687.91 грн
25+648.48 грн
50+588.04 грн
100+509.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.08 грн
10+414.53 грн
25+368.43 грн
120+309.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.02 грн
30+238.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 202W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 83ns
Turn-off time: 298ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65GC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.