Продукція > RGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGTV60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.50 грн
10+349.37 грн
25+330.27 грн
120+268.62 грн
360+254.85 грн
600+228.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.95 грн
10+366.45 грн
100+296.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.45 грн
30+108.65 грн
120+88.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.53 грн
10+184.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.79 грн
10+290.91 грн
100+235.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.81 грн
10+277.44 грн
25+262.25 грн
120+213.30 грн
360+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.06 грн
30+166.58 грн
120+136.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.69 грн
10+411.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.85 грн
10+143.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 85 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
30+155.29 грн
120+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.96 грн
30+212.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.11 грн
10+301.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.54 грн
10+292.51 грн
100+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.52 грн
30+114.12 грн
120+92.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.67 грн
10+140.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.19 грн
10+237.87 грн
100+167.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.26 грн
10+515.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.90 грн
30+336.51 грн
120+284.36 грн
510+239.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 60A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.45 грн
10+393.62 грн
120+285.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+698.34 грн
5+603.51 грн
10+508.68 грн
50+432.80 грн
100+363.00 грн
250+355.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.17 грн
30+134.12 грн
120+109.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.77 грн
10+314.75 грн
120+224.66 грн
600+181.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.92 грн
10+418.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65D
Код товару: 190074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+779.50 грн
5+527.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.10 грн
28+521.68 грн
50+501.80 грн
100+467.47 грн
250+419.71 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+641.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.38 грн
10+426.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+856.02 грн
21+687.91 грн
25+648.48 грн
50+588.04 грн
100+509.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+812.07 грн
24+592.85 грн
50+525.67 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.08 грн
10+409.82 грн
25+364.24 грн
120+306.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.98 грн
5+601.10 грн
10+494.22 грн
50+422.35 грн
100+299.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+638.20 грн
25+610.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.40 грн
30+235.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 202W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 298ns
Turn-on time: 83ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65GC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.99 грн
5+537.61 грн
10+453.23 грн
50+385.79 грн
100+323.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11