Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGD10NC60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD1100LT1GonsemiMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD1100LT1GON SemiconductorMOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 40mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.46 грн
100+71.44 грн
500+53.78 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60KT4
Код товару: 121195
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD14NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.40 грн
10+97.02 грн
25+96.18 грн
50+91.90 грн
100+64.98 грн
250+61.79 грн
500+52.50 грн
1000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZ-1STMIGBT 420V 25A 125W IPAK Транзистори
на замовлення 360 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+174.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.85 грн
154+92.39 грн
156+90.95 грн
159+86.30 грн
250+78.62 грн
500+74.23 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMIGBT 420V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.63 грн
154+92.12 грн
156+90.71 грн
200+78.10 грн
500+67.60 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4
Код товару: 73438
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.14 грн
10+90.88 грн
100+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.85 грн
10+92.39 грн
25+90.95 грн
100+86.30 грн
250+78.62 грн
500+74.23 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMIGBT 390V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 390V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 24nC
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Pulsed collector current: 40A
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.10 грн
5000+77.68 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.51 грн
500+44.31 грн
1000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.10 грн
5000+77.68 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Gate Charge: 25.7 nC
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 442500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.38 грн
10000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 442500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.38 грн
10000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.18 грн
100+58.82 грн
500+43.79 грн
1000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMIGBT 435V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.99 грн
100+37.60 грн
500+27.49 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4
Код товару: 149103
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsIGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.97 грн
5000+25.60 грн
7500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+49.65 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Switching Energy: 125µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 16 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 16 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HST07+ TO-252
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 33µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5ns/53ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60KST07+ TO-252
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60KT4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60S
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDSTIGBT 600V 6A 48W   STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics TSTGD3nb60sdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/3.4µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.74 грн
100+40.96 грн
500+30.05 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsIGBTs PTD IGBT & IPM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 16A IPAK
Power - Max: 105 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 16A
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.19 грн
100+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.00 грн
154+92.31 грн
200+78.54 грн
500+56.28 грн
1000+49.33 грн
2500+40.41 грн
5000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.82 грн
100+43.75 грн
500+32.18 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]