Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.85 грн
154+92.39 грн
156+90.95 грн
159+86.30 грн
250+78.62 грн
500+74.23 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.19 грн
10+95.35 грн
100+55.81 грн
500+46.33 грн
1000+41.52 грн
2500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4
Код товару: 73438
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMIGBT 420V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.63 грн
154+92.12 грн
156+90.71 грн
200+78.10 грн
500+67.60 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+83.18 грн
100+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 420V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.30 грн
10+91.85 грн
100+84.54 грн
500+71.03 грн
1000+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.85 грн
10+92.39 грн
25+90.95 грн
100+86.30 грн
250+78.62 грн
500+74.23 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMIGBT 390V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A DPAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
Gate Charge: 17 nC
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD19N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 25A; 125W; DPAK; ignition systems; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Power dissipation: 125W
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 390V
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+122.65 грн
100+84.38 грн
500+63.82 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A 125W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsIGBTs Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+117.86 грн
100+94.29 грн
500+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.56 грн
10+86.53 грн
100+50.37 грн
500+39.99 грн
2500+32.96 грн
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.54 грн
100+54.34 грн
500+40.46 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.10 грн
5000+77.68 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.29 грн
500+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.10 грн
5000+77.68 грн
10000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 442500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.38 грн
10000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 442500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.38 грн
10000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.62 грн
10+88.94 грн
100+53.23 грн
500+45.15 грн
1000+37.69 грн
2500+33.79 грн
5000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N36LZAGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Gate Charge: 25.7 nC
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.54 грн
100+54.34 грн
500+40.46 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.91 грн
500+55.10 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.56 грн
10+86.53 грн
100+50.30 грн
500+39.99 грн
1000+36.65 грн
2500+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD25N40LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.31 грн
10+93.48 грн
100+62.91 грн
500+55.10 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD25N40LZAGSTMIGBT 435V 25A 125W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4
Код товару: 149103
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.36 грн
100+37.95 грн
500+27.82 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsIGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
на замовлення 18564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.23 грн
10+55.29 грн
100+32.19 грн
500+25.01 грн
1000+22.78 грн
2500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+49.65 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
14+62.43 грн
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.97 грн
5000+25.60 грн
7500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 16 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60FT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Switching Energy: 125µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 16 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HST07+ TO-252
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A 50W DPAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 33µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5ns/53ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60KST07+ TO-252
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60KT4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60S
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDSTIGBT 600V 6A 48W   STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics TSTGD3nb60sdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/3.4µs
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+61.94 грн
100+35.74 грн
500+28.22 грн
1000+27.45 грн
2500+23.34 грн
5000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A DPAK
Power - Max: 48 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.67 грн
100+38.26 грн
500+28.08 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsIGBTs PTD IGBT & IPM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.69 грн
10+99.35 грн
100+57.97 грн
500+46.96 грн
1000+43.89 грн
3000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NC120H-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 16A IPAK
Power - Max: 105 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.29 грн
19+43.89 грн
100+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+40.98 грн
25+36.89 грн
100+30.37 грн
250+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.85 грн
10+56.57 грн
100+32.40 грн
500+28.64 грн
1000+24.52 грн
2500+20.34 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Gate Charge: 35 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.00 грн
154+92.31 грн
200+78.54 грн
500+56.28 грн
1000+49.33 грн
2500+40.41 грн
5000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.17 грн
10+69.63 грн
100+40.41 грн
500+32.68 грн
1000+28.98 грн
2500+26.61 грн
5000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.72 грн
10+51.68 грн
100+29.61 грн
500+23.34 грн
1000+20.90 грн
2500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.15 грн
500+33.36 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+59.54 грн
50+41.93 грн
100+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
50+56.49 грн
100+37.15 грн
500+33.36 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.44 грн
100+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZSTMIGBT 1200V 5A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+223.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsIGBT Transistors 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZ-1
Код товару: 128569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.07 грн
10+107.37 грн
100+62.29 грн
500+49.75 грн
1000+46.12 грн
2500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5NB120SZT4
Код товару: 35358
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > IGBT
Корпус: DPAK
Напруга колектор-емітер Vces, V: 1200 V
Напруга насичення Vce, V: 1,2 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 10 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 5 A
Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 55 W
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]