Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFBC40LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.19 грн
102+139.71 грн
121+117.39 грн
500+92.66 грн
1000+72.93 грн
2000+69.30 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.95 грн
50+111.17 грн
100+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.53 грн
50+139.04 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.18 грн
10+103.59 грн
100+74.02 грн
500+59.14 грн
1000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.53 грн
102+139.04 грн
122+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.06 грн
50+140.57 грн
100+118.12 грн
500+93.23 грн
1000+73.37 грн
2000+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.86 грн
10+88.25 грн
50+73.97 грн
100+69.76 грн
250+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.41 грн
106+134.95 грн
112+127.01 грн
250+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 6,2 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+166.63 грн
100+150.45 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.81 грн
50+54.73 грн
100+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.97 грн
5+907.53 грн
10+846.43 грн
50+652.83 грн
100+562.11 грн
250+525.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.95 грн
50+111.17 грн
100+100.38 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.51 грн
10+98.77 грн
100+72.62 грн
500+65.43 грн
1000+59.49 грн
5000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40S
Код товару: 126138
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.40 грн
10+268.21 грн
100+169.68 грн
500+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.75 грн
10+218.33 грн
100+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.14 грн
10+246.46 грн
100+176.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.00 грн
10+263.39 грн
100+164.09 грн
500+139.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFIR
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRRVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40_R4943onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42HARRISIRFBC42
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42-003
на замовлення 10545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC50PBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20
Код товару: 58305
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,8 A
Rds(on), Ohm: 6,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+29.00 грн
10+26.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20SiliconixN-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.22 грн
15+57.60 грн
100+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.57 грн
172+82.83 грн
500+81.01 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.47 грн
10+86.58 грн
100+82.85 грн
500+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.03 грн
50+103.95 грн
100+93.85 грн
500+71.45 грн
1000+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.93 грн
10+75.24 грн
100+54.95 грн
500+48.25 грн
1000+43.15 грн
2000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SiliconixN-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.17 грн
50+116.72 грн
100+105.59 грн
500+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 17920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.58 грн
10+119.65 грн
100+92.17 грн
500+81.70 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.11 грн
82+173.36 грн
106+133.81 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.20 грн
50+171.47 грн
100+132.08 грн
500+126.09 грн
1000+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFIRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.18 грн
10+132.50 грн
100+87.98 грн
500+84.49 грн
2000+83.79 грн
5000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.53 грн
50+173.79 грн
100+134.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.25 грн
91+157.44 грн
103+138.92 грн
250+113.54 грн
500+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.16 грн
50+69.46 грн
100+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.09 грн
50+141.82 грн
100+128.61 грн
500+98.96 грн
1000+91.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF
Код товару: 15766
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.29 грн
10+131.16 грн
100+105.09 грн
500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.20 грн
83+171.47 грн
108+132.08 грн
500+126.09 грн
1000+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.20 грн
10+99.18 грн
50+85.73 грн
100+76.49 грн
250+64.72 грн
500+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-VIS09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.16 грн
50+134.68 грн
100+122.14 грн
500+93.99 грн
1000+87.36 грн
2000+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.22 грн
10+107.53 грн
100+87.98 грн
500+70.28 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+87.98 грн
500+70.28 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.85 грн
10+110.82 грн
100+79.60 грн
500+69.06 грн
1000+57.89 грн
2000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]