Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC40H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 2x20A 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode Automotive
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40H12CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC40H12CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 129 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 14.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4G065UFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.73 грн
5000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.39 грн
10+97.77 грн
100+77.80 грн
500+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.20 грн
5000+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.15 грн
10+133.35 грн
100+119.03 грн
500+105.29 грн
3000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.15 грн
106+133.35 грн
119+119.03 грн
500+105.29 грн
3000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 12301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+176.78 грн
500+167.42 грн
1000+158.05 грн
10000+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1
Код товару: 175681
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.36 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.49 грн
10+164.00 грн
25+162.41 грн
50+154.98 грн
100+136.31 грн
250+129.57 грн
500+127.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 5 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.84 грн
79+177.95 грн
100+157.07 грн
500+149.65 грн
1000+138.32 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.73 грн
10+186.57 грн
100+133.06 грн
500+114.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+181.36 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; Ir: 200uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.30 грн
10+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC5H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 36 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMDiode 1200 V 5A Through Hole TO-220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC5H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+180.71 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+158.94 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+182.64 грн
500+173.27 грн
1000+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6A 600V 6nC Schottky Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+158.94 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606GSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 600V; 6A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 27A
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC606G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 6 A SiC Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6G065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.83 грн
10+136.16 грн
100+93.45 грн
500+71.35 грн
1000+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.45 грн
5000+63.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.95 грн
50+119.17 грн
100+98.05 грн
500+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.86 грн
89+158.31 грн
100+144.41 грн
500+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ACIns
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.99 грн
50+108.31 грн
100+97.89 грн
500+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.00 грн
50+157.80 грн
100+143.95 грн
500+115.49 грн
1000+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerFLAT; SiC; SMD; 650V; 6A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerFLAT
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.95V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.25mA
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.03 грн
187+75.43 грн
188+74.83 грн
250+71.58 грн
500+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.03 грн
25+75.43 грн
100+72.16 грн
250+66.28 грн
500+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.31 грн
10+148.10 грн
100+102.80 грн
500+78.32 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 7403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.18 грн
10+173.15 грн
100+135.04 грн
500+104.94 грн
1000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H12B-TR1STMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAKHV; SiC; SMD; 1.2kV; 6A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAKHV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC6TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 6A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6TH13TISTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.31 грн
50+187.78 грн
100+160.96 грн
500+134.27 грн
1000+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.03 грн
10+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.83 грн
50+99.86 грн
100+90.11 грн
500+68.53 грн
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]