Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBF30STRRPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20 | Vishay | N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20 Код товару: 18614
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 1000 V Idd,A: 1,4 A Ciss, pF/Qg, nC: 500/38 Монтаж: THT | у наявності: 16 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFBG20 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFBG20L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm | на замовлення 9027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 6306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| |||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF | IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 1005 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 1KV 1.4A N-CH MOSFET | на замовлення 5099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30 | Vishay | Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 63 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30 Код товару: 18004
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 1000 V Idd,A: 3,1 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFBG30 (Транзистор) Код товару: 51783
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V | на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30PBF Код товару: 29889
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 1000 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 Монтаж: THT | у наявності: 35 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET | на замовлення 6944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 757 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFBG30PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG30PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFBG30PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBL3315 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Super D2-Pak Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Supplier Device Package: Super D2-Pak | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBL3703 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBL3703 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK Packaging: Tube Package / Case: Super D2-Pak Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Super D2-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC024B | Vishay / Siliconix | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC024N | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC024NB | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC024NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 55V 17A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC024NF | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC048N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC048NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC110 | Vishay | Hexfet Power Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16413 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC11N50AB | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC120NB | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC120NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 100V 9.4A DIE Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC130B | Vishay | High Voltage MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC130NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 100V 17A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC140B | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC140N | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC140NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 100V 33A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC20N50AB | Vishay / Siliconix | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC22N50AB | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 232 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC230NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 200V 9.3A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.3A, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC240NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 200V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC250 | Vishay | Trans MOSFET 200V Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC250NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 200V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC2604B | Infineon Technologies | Description: MOSFET Part Status: Obsolete Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC260B | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 200V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 886 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC260NB | Infineon Technologies | Description: MOSFET 200V 50A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC264B | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 250V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 884 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3004EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3006EB | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3006EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3006ED | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3107EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3205B | Infineon Technologies | Description: MOSFET 55V 110A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3205ZEB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3206EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3306EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3315B | Infineon Technologies | Description: MOSFET 150V 23A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23A, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3415B | Infineon Technologies | Description: MOSFET 150V 43A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC360B | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 400V Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3710D | Infineon Technologies | Description: MOSFET 100V 57A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 57A, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3710ZEB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC37N50AB | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 220 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC3810B | Infineon Technologies | Description: MOSFET 100V 170A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 170A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4010EB | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4010EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4019B | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4019EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 17A DIE Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4019EB | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4020B | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4020D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4020D | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4020EB | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC40N50L | Vishay | Vishay MOSFET N-CHANNEL 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC40N50LB | Vishay / Siliconix | MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC40N60KB | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4104EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4115EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V DIE ON WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4115ED | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4127EB | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 76A DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Die Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFC4127ED | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH WAFER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

