Продукція > IAU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IAUZN04S7L012ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L012ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L019ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L025ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L025ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.56mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1954 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7L025ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L030ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L030ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L030ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7L046ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj) Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7L046ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7L046ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj) Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7L046ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | Infineon Technologies | 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology | на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N020ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N032ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN08S7L177ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN08S7N046ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7L289ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|