Продукція > VS-

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-GBPC3508WVISHAYDescription: VISHAY - VS-GBPC3508W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: VS-GBPC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508WVishayDiode Rectifier Bridge Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBPC-W
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Packaging: Tray
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 800 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.23 грн
10+539.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508WVishayDiode Rectifier Bridge Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508WVishay SemiconductorsBridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508WVISHAYCategory: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3508W GBPC3508WДіодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-A
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-A
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.52 грн
10+588.76 грн
100+443.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510AVishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1000 Volt 35 Amp
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510AVISHAYCategory: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510A
Код товару: 132372
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510AVISHAYDescription: VISHAY - VS-GBPC3510A - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: VS-GBPC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510AVishayRectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1000 Volt 35 Amp
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVISHAYCategory: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVISHAYDescription: VISHAY - VS-GBPC3510W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: VS-GBPC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVishayDiode Rectifier Bridge Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.60 грн
10+552.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3510WVishayDiode Rectifier Bridge Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-A
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1.2 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.63 грн
10+400.41 грн
100+306.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVISHAY
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVISHAYCategory: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+392.88 грн
5+344.91 грн
10+332.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512AVISHAYDescription: VISHAY - VS-GBPC3512A - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1.2 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: VS-GBPC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+473.52 грн
200+360.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishay SemiconductorsBridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+473.52 грн
200+360.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.74 грн
30+478.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVISHAYDescription: VISHAY - VS-GBPC3512W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1.2 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 475A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: VS-GBPC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.74 грн
10+486.82 грн
25+478.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1.2 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.03 грн
10+535.40 грн
100+401.36 грн
500+323.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512WVishayRectifier Bridge Diode Single 1.2KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+504.86 грн
1600+463.56 грн
3200+433.58 грн
4800+396.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GBPC3512W GBPC3512WBridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp Діодні мости малопотужні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GC200A060LCVishay SemiconductorsBridge Rectifiers IGBT Die on Wafer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP100TS60SFPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 337A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 337 A
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 781 W
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT, Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP100TS60SFPBFVishay SemiconductorsIGBT Transistors Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 380A 893W SOT-227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 893 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT, Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP250SA60SVishay SemiconductorsIGBTs Ic 250A Vce(On)1.10V Sngl Brdge Trench PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP250SA60SVishayIGBT MOD 600V 380A 893W SOT-227 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP250SA60SVishayTrans IGBT Module N-CH 600V 380A 893mW 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP300TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP300TD60SVishay SemiconductorsIGBTs Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench P
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 758A INT-A-PAK
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1563 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 758 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: PT, Trench
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GP400TD60SVishay SemiconductorsIGBT Transistors Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench P
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GR-10PL
Код товару: 135411
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 893 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 258 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100DA120UF - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 187 A, 890 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 187A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UFVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3426.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2853.98 грн
10+2054.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UFVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100LA120UXVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 100A LS CHOPPR
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 94 A, 230 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 94A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 463 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 652 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 417 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 96A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 259 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4755.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 247 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 517 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5521.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 247A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100YG120UTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT105LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT105NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT120DA65UVishay SemiconductorsIGBT Transistors SW Mod SOT-227 IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT120DA65UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 577 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT140DA60UVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 140 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT140DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 652 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6389.11 грн
15+5039.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT175DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 1087 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 288 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT175DA120UVishayIGBT Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3410.37 грн
10+2476.29 грн
100+2207.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT180DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TP065NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TP065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 517 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 193 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5781.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 193A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7078.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT200TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 359 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2875.68 грн
10+2070.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT250SA60SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 359A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300FD060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 379 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23.3 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 1250 W
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300FD060NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.47V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 466 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 882 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1042 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT300YH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]