Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2058UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 16043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | на замовлення 41579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 10458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet | на замовлення 15927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 62131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U-7 Код товару: 128666
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.4A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075U-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075U-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 20A; 580mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.58W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | на замовлення 168052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 1559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: X2-WLB0808-4 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2100UDM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 900mW 20Vdss | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 2.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT26 On-state resistance: 0.13Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 3.3A 55mΩ 1W DMN2100UDM-7 Diodes TDMN2100udm кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2104L-7 | DIODES | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2104L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2112SN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 1.2A | на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2114SN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2114SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 1.2A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2114SN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | на замовлення 74162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN1616-6 T&R 3K | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2165UW | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2170U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2170U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 217 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D1UCA3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN0607- | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D1UCA3-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN0607-3 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 570mW Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 930pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10 | на замовлення 12937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes | MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 570mW Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 930pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2200UES3-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-ESN0603-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2215UDM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2215UDM | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2215UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT26 Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 650mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2215UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 650mW 20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230U | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2230U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 725 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 600mW 20Vdss | на замовлення 5368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230U-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230U-7 Diodes TDMN2230u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 185 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 7A; 600mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Pulsed drain current: 7A Gate charge: 2.3nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | на замовлення 251 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW | на замовлення 12755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; DMN2230UQ-13; DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 846 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 366226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes | DMN2230UQ-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN | на замовлення 17770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CH MOSFET 20V | на замовлення 199500 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |