Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2058U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V | на замовлення 26321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K | на замовлення 16927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 244800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V | на замовлення 37800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 14004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V | на замовлення 37936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 91mOhm; 3,5A; 700mW; -55°C ~ 150°C; DMN2058UW-13; DMN2058UW7-DIO-0; DMN2058UW-7 TDMN2058UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1410 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 Код товару: 213724
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | на замовлення 41579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 16043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 10458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075U | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 28665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11613000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 Код товару: 128666
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1845 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075U-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 1559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | на замовлення 168052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2080UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: X2-WLB0808-4 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2100UDM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 3.3A 55mΩ 1W DMN2100UDM-7 Diodes TDMN2100udm кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 0.6W Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2100UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 900mW 20Vdss | на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2104L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2104L-7 | DIODES | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2112SN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 1.2A | на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2112SN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2114SN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2114SN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2114SN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 1.2A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2120UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | на замовлення 95984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2165UW | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2170U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2170U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 217 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 10834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 44570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: X1-DFN1006-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 930pC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 570mW Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes | MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10 | на замовлення 23450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 69116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: X1-DFN1006-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 930pC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 570mW Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN2215UDM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMN2215UDM | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN2215UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 650mW 20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |