Продукція > PMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMPB06R2ENZNexperiaMOSFETs PMPB06R2EN/SOT1220-2/DFN2020M-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB06R3XNXNexperia PMPB06R3XN/SOT1220-4/DFN2020M-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB06R7VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB06R7VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.38 грн
50+26.61 грн
100+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNAXNexperiaMOSFET PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.98 грн
26+31.70 грн
100+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNXNexperiaMOSFETs PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.62 грн
12+27.80 грн
100+16.44 грн
500+12.89 грн
1000+11.70 грн
3000+10.17 грн
6000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.14 грн
100+21.33 грн
500+15.24 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENAXNexperiaMOSFETs PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.15 грн
10+33.41 грн
100+20.20 грн
500+15.82 грн
1000+12.82 грн
3000+11.57 грн
6000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENXNexperia USA Inc.Description: PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.78 грн
100+23.19 грн
500+16.65 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENXNexperiaMOSFETs PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.14 грн
11+31.17 грн
100+18.67 грн
500+14.70 грн
1000+13.38 грн
3000+11.57 грн
6000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENXNexperia USA Inc.Description: PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2121 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNexperiaMOSFETs SOT1220 P CHAN 12V
на замовлення 86965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
10+34.61 грн
100+21.32 грн
500+16.65 грн
1000+14.84 грн
3000+12.47 грн
6000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 12.5A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.40 грн
23+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2121 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+35.63 грн
100+23.72 грн
500+17.36 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 12.5A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R0ENZNexperia USA Inc.Description: PMPB08R0EN/SOT1220-4/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R0ENZNexperiaMOSFETs PMPB08R0EN/SOT1220-4/DFN2020M-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R0ENZNexperia USA Inc.Description: PMPB08R0EN/SOT1220-4/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPHPNexperia USA Inc.Description: PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPHPNexperiaMOSFETs PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPHPNexperia USA Inc.Description: PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNexperiaMOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 71034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.42 грн
10+32.37 грн
100+18.46 грн
500+15.33 грн
1000+13.24 грн
3000+12.54 грн
6000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.28 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.03 грн
24+33.90 грн
100+25.28 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1774 pF @ 15 V
на замовлення 9462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
12+26.57 грн
100+18.08 грн
500+13.30 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNXNexperiaMOSFETs PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.35 грн
12+28.20 грн
100+16.72 грн
500+13.17 грн
1000+11.91 грн
3000+10.31 грн
6000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1774 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
6000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.88 грн
26+32.19 грн
100+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperiaMOSFETs PMPB08R6EN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.51 грн
13+24.68 грн
100+14.98 грн
500+11.64 грн
1000+9.48 грн
3000+8.43 грн
6000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.07 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.11 грн
21+40.48 грн
100+40.07 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.72 грн
100+19.71 грн
500+14.04 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNXNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.70 грн
13+26.52 грн
100+16.02 грн
500+12.54 грн
1000+10.38 грн
3000+8.78 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.00 грн
19+43.16 грн
100+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPXNexperiaMOSFETs PMPB09R5TP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 3554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.09 грн
10+38.22 грн
100+23.13 грн
500+18.05 грн
1000+14.70 грн
3000+12.96 грн
6000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.38 грн
28+30.08 грн
100+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+27.40 грн
100+18.44 грн
500+13.15 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPXNexperia USA Inc.Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPXNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel MOSFET
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.60 грн
11+30.45 грн
100+18.32 грн
500+14.00 грн
1000+12.47 грн
3000+10.52 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEA,115NexperiaPMPB100ENEA,115
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2328+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEA115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEAXNexperiaMOSFET MOSFET SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaMOSFET PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.61 грн
50+20.83 грн
100+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+9.94 грн
122+6.19 грн
187+4.05 грн
188+3.87 грн
206+3.28 грн
250+2.87 грн
500+2.58 грн
1000+2.29 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3522+4.02 грн
3847+3.68 грн
4226+3.35 грн
4703+2.90 грн
5301+2.38 грн
6049+2.00 грн
7076+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): +8V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.28 грн
100+9.44 грн
500+7.61 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.72 грн
62+13.17 грн
100+8.62 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 3.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): +8V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB100XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10ENZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10R3XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10R3XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.96 грн
500+11.93 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10R3XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10R3XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0103 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.24 грн
32+25.77 грн
100+17.96 грн
500+11.93 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10R3XNXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.40 грн
100+15.83 грн
500+11.60 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10R3XNXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 8.9A
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.82 грн
12+28.52 грн
100+16.72 грн
500+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 10A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 10A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10UPXNexperiaMOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115NexperiaMOSFET PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.52 грн
11+29.97 грн
100+18.05 грн
500+14.14 грн
1000+11.50 грн
3000+8.22 грн
9000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.06 грн
50+24.14 грн
100+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]