Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2306DY-T1-E3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.55A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.91 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306KA-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306KA-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306KA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-T1-E3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1539000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
12000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.36 грн
100+10.95 грн
500+7.67 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.23 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
42000+9.43 грн
63000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
6000+6.39 грн
9000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -12A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.97 грн
23+18.62 грн
100+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.84 грн
6000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307/A7SHB
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
29+10.57 грн
33+9.39 грн
100+7.53 грн
250+6.92 грн
500+6.55 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
6000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 22856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.29 грн
100+24.22 грн
500+17.45 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
6000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.77 грн
279+50.77 грн
388+36.46 грн
500+29.50 грн
1000+25.79 грн
3000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+42.15 грн
389+36.40 грн
500+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.63 грн
28+27.56 грн
50+26.31 грн
100+22.64 грн
250+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.72 грн
100+30.66 грн
500+22.29 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.77 грн
15+50.77 грн
100+36.46 грн
500+29.50 грн
1000+25.79 грн
3000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W
на замовлення 56244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.25 грн
100+25.56 грн
500+18.45 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-TI-E3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDST1E3VISHAY
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 165737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 18144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+39.25 грн
100+25.50 грн
500+18.37 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 407590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.01 грн
9000+13.39 грн
15000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
18+24.49 грн
50+18.11 грн
100+16.35 грн
500+13.50 грн
1000+12.50 грн
3000+11.24 грн
6000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 50045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+11.65 грн
9000+11.11 грн
15000+9.85 грн
21000+9.52 грн
30000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.23 грн
16+47.81 грн
31+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 15941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 50251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.51 грн
100+21.61 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayP-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+29.31 грн
586+24.16 грн
1000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2307CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVISHAY
на замовлення 150500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS
Код товару: 152992
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1VISHAYSOT-23
на замовлення 160400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ЗАМЕНЯТЬ НА Si2307CDS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 30V, P-CH 145mohm 32M CELL TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-T7-E3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307DS-TI
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.83 грн
100+8.04 грн
500+5.57 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308GOODWORKDescription: 60V 3A 85m@10V SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.30 грн
50+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS
Код товару: 124265
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]