Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTH50N30 | TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTH50N30L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 50A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 430ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50N30L2 | Littelfuse | Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P085 | IXYS | MOSFET -50 Amps - 500 V 0.055 W Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P085 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 85V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH50P10 | IXYS | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns | на замовлення 305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH50P10 | IXYS | MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds | на замовлення 604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH50P10 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH50P10 | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH52N65X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 52A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH52N65X | IXYS | MOSFETs 650V/9A Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH52P10P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH52P10P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH52P10P | IXYS | MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH54N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH54N30T | IXYS | MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH56N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH58N25L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 58A; 540W; TO247-3; 400ns Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 540W Drain current: 58A Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 64mΩ Reverse recovery time: 400ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH5N100A | IXYS | MOSFETs 5 Amps 1000V 2 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH5N100A | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N10 | IXYS | MOSFETs 60 Amps 100 V 0.033 W Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N15 | IXYS | MOSFETs 60 Amps 150V 0.033 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N15 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 275W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20L2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH60N20L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 330ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20L2 | IXYS | MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20X4 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 60A; 250W; TO247-3; 110ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: X4-Class Polarisation: N Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 110ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20X4 | IXYS | MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N20X4 | IXYS | Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH60N25 | IXYS | MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N25 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH60N30T | IXYS | MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N25T | IXYS | MOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 445ns Gate charge: 0.1µC Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N65X2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH62N65X2 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 780W SVHC: Lead (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH62N65X2 | IXYS | MOSFETs TO247 650V 62A N-CH X2CLASS | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N10L2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH64N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N10L2 | IXYS | MOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N10L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 180ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N10L2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH64N65X | IXYS | MOSFETs 650V/64A Power MOSFET | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N65X | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 450ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH64N65X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH67N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH67N10 | IXYS | TO252 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH67N10 | IXYS | MOSFETs 67 Amps 100V 0.025 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH68P20T | IXYS | MOSFETs TrenchP Power MOSFET | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH68P20T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH68P20T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH68P20T. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T. - MOSFET, P-CH, 200V, 68A, TO-247 tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N100D2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N100D2 | IXYS | MOSFETs 6Amps 1000V | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N100D2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO247-3; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 41ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N100D2. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH6N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120 | IXYS | MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N120 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N120 Код товару: 151533
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTH6N120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N120. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH6N120. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-247 AD tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N150 | IXYS | MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N150 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 6A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.5µs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N150 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTH6N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N150 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1500V 6A TO247 | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N150 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N50D2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns Power dissipation: 300W | на замовлення 205 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N50D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N50D2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH6N80A | IXYS | MOSFETs 6 Amps 800 V 1.4 W Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N80A | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N90 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N90A | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH6N90A | IXYS | MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH72N20 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH72N20 | IXYS | MOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH72N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH72N20T | IXYS | MOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |