Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.17 грн
525+76.25 грн
1050+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
16+52.83 грн
100+43.41 грн
500+39.48 грн
1000+35.74 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
10+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GON-SemiconductorNPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.97 грн
326+43.42 грн
500+32.11 грн
1000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.05 грн
500+34.34 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+43.37 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.50 грн
100+32.65 грн
500+23.44 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.13 грн
10+52.40 грн
100+28.36 грн
500+19.51 грн
1000+16.44 грн
2500+14.77 грн
5000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+43.37 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
10+81.28 грн
100+51.05 грн
500+34.34 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11LT4
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11Q-13Diodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+62.02 грн
100+37.07 грн
500+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+49.98 грн
286+49.48 грн
336+42.12 грн
417+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
6+70.11 грн
10+60.55 грн
50+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.94 грн
500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGOn SemiconductorNPN, 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.11 грн
16+49.98 грн
25+49.48 грн
100+40.62 грн
250+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.12 грн
100+41.22 грн
500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
50+56.74 грн
100+41.94 грн
500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGON Semiconductor
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.58 грн
5000+17.37 грн
7500+16.61 грн
12500+14.79 грн
17500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.13 грн
5000+22.81 грн
10000+22.10 грн
25000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.17 грн
500+25.96 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.66 грн
10+49.20 грн
100+28.01 грн
500+21.67 грн
1000+19.65 грн
2500+16.44 грн
5000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.74 грн
5000+19.61 грн
10000+19.00 грн
25000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
10+49.23 грн
50+33.71 грн
100+28.68 грн
500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 24730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.34 грн
100+30.36 грн
500+22.03 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
50+55.19 грн
100+36.17 грн
500+25.96 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.00 грн
25000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.97 грн
34+22.24 грн
100+21.10 грн
250+19.22 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Automotive-grade low voltage NPN power transistor
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.51 грн
10+46.47 грн
100+26.34 грн
500+23.76 грн
1000+19.93 грн
2500+17.84 грн
5000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+22.24 грн
647+21.88 грн
658+21.53 грн
669+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.78 грн
100+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.51 грн
18+47.14 грн
100+30.81 грн
500+23.70 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 57254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.57 грн
100+30.49 грн
500+22.13 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.29 грн
50+59.09 грн
100+38.94 грн
500+27.85 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+35.30 грн
475+29.82 грн
480+29.52 грн
533+25.59 грн
1000+22.18 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.57 грн
283+50.01 грн
374+37.86 грн
500+29.60 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.56 грн
5000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.54 грн
500+42.31 грн
2500+38.71 грн
5000+35.24 грн
7500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.94 грн
500+27.85 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.92 грн
14+54.25 грн
100+39.76 грн
500+30.50 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.59 грн
21+37.27 грн
25+35.30 грн
100+28.76 грн
250+26.36 грн
500+22.75 грн
1000+21.30 грн
3000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 28226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.01 грн
10+48.80 грн
100+28.29 грн
500+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
9+49.98 грн
10+43.95 грн
20+38.41 грн
50+32.29 грн
100+28.43 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4G транзистор
Код товару: 72049
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T4GMJD45H11T4G
на замовлення 12893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T5onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T5GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T5GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TFonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TMonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TMFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TM(транзистор)
Код товару: 60487
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11TM-ONonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45C-TPMicro Commercial ComponentsMJD45C-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11
Код товару: 31170
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT, MHz: 40 MHz
Напруга Uке, V: 80 V
Напруга Uкб, V: 80 V
Струм Iк, A: 8 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 40
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11Nexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11ONS/FAIPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11 369A-13ON09+ SOP-8
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-001onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.85 грн
10+55.61 грн
100+31.84 грн
500+25.01 грн
1000+21.95 грн
2500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
75+47.27 грн
150+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
13+63.97 грн
100+48.61 грн
500+41.51 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
10+52.00 грн
25+46.71 грн
75+43.27 грн
150+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.99 грн
10+62.66 грн
75+41.04 грн
525+34.35 грн
1050+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+26.07 грн
150+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]