Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 8350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8008SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 30A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF | на замовлення 2618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 36930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 210863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 80A; 2.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 28A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 207500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 227500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.2A; Idm: 80A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 28247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8020LDG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8030LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTB911 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTB911 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTBD413 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTBD413 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTBS13 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTBS13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTD2T4B4TPVS05 | TE Connectivity / Alcoswitch | Toggle Switches DMT 5A DPDT ON OFF ON T V S | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTD3T2B2PPRG05 | TE Connectivity / Alcoswitch | Toggle Switches DMT 0.4VA DP3T ON ON ON P R G | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTF250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - DMTF250 - TAB,ISOLIERT,2 STECKER,PK50 tariffCode: 85369010 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Zetex | 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Zetex | 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 41200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8474 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H009LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H009LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H009LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 3.1W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H009LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H009SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H009SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB | на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W, 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMTH10H010SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 7025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |