Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Transistors - Unclassified Description: DMT69M9LPDW-13 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT69M9LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6D1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6D33K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.543" (13.80mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 250V Voltage Rating - DC: 630V Height - Seated (Max): 0.468" (11.89mm) Capacitance: 3300 pF Size / Dimension: 0.693" L x 0.252" W (17.60mm x 6.40mm) | на замовлення 4898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6D33K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 600Vdc 0.0033uF | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6D47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6D47K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF | на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6D47K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.543" (13.80mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 250V Voltage Rating - DC: 630V Height - Seated (Max): 0.503" (12.77mm) Part Status: Active Capacitance: 4700 pF Size / Dimension: 0.693" L x 0.283" W (17.60mm x 7.20mm) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6P1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6P1K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6S1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.01uF 10% 600/630 Vdc | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6S22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.022uF 600V 10% | на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6S47K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 0.047uF 600V 10% | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6S47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.047uF 600V 10% | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6S47K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.047UF 10% 630VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.732" (18.60mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester Voltage Rating - AC: 250V Voltage Rating - DC: 630V Height - Seated (Max): 0.779" (19.78mm) Capacitance: 0.047 µF Size / Dimension: 0.882" L x 0.520" W (22.40mm x 13.20mm) | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V | на замовлення 12915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V V-DFN3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 192A; 2.5W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 37.7nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 192A; 2.5W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 37.7nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Zetex | 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008LK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 66A; Idm: 330A; 2.8W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 41.2nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | на замовлення 8350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8008SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes | MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 66A; Idm: 330A; 2.8W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8008SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 7.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 36930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8 Case: PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 210863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 80A; 2.7W; TO252 Case: TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.7W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 207500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A | на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V | на замовлення 227500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.2A; Idm: 80A; 2.1W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 7.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain current: 7.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8020LDG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8020LDG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8020LDGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8020LDGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8030LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 2.2W; DFN2020-6 Case: DFN2020-6 Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 2.2W Gate charge: 5.4nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT8030LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTB911 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTB911 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTBD413 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTBD413 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTBS13 | Tripp Lite | Mounting Fixings DMTBS13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTD2T4B4TPVS05 | TE Connectivity / Alcoswitch | Toggle Switches DMT 5A DPDT ON OFF ON T V S | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTD3T2B2PPRG05 | TE Connectivity / Alcoswitch | Toggle Switches DMT 0.4VA DP3T ON ON ON P R G | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTD3T2B2PPRG05 | TE CONNECTIVITY - ALCOSWITCH | Description: TE CONNECTIVITY - ALCOSWITCH - DMTD3T2B2PPRG05 - Kippschalter, Ein-Ein-Ein, DP3T, Nicht beleuchtet, DMT Series, Durchsteckmontage tariffCode: 85365080 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schalteranschlüsse: Leiterplattenstift, abgewinkelt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kontaktstrom, max.: - Schalterfunktion: Ein-Ein-Ein isCanonical: Y AC-Kontaktspannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) DC-Kontaktspannung, nom.: 20V Beleuchtung: Nicht beleuchtet Schaltermontage: Durchsteckmontage Produktpalette: DMT Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kontaktkonfiguration: DP3T | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTF250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - DMTF250 - Steckhülse, Flachstecker, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032" tariffCode: 85369010 euEccn: NLR Isoliermaterial: Vinyl rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" isCanonical: Y Leiterstärke (AWG), max.: - Leiterquerschnitt CSA: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Klemmentyp: Flachstecker Isolatorfarbe: Transparent Leiterstärke (AWG), min.: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Anschlussmaterial: Messing | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Zetex | 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Zetex | 100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H003SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMTH10H005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMTH10H005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |