Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.45 грн
240+59.16 грн
250+56.47 грн
500+52.14 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+50.74 грн
500+40.94 грн
2500+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.50 грн
5000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.56 грн
13+62.67 грн
25+62.45 грн
100+57.04 грн
250+52.29 грн
500+50.06 грн
1000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.93 грн
213+66.62 грн
221+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.33 грн
100+57.77 грн
500+43.12 грн
1000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.50 грн
100+47.94 грн
500+35.51 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 14261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+75.82 грн
100+44.25 грн
500+34.93 грн
1000+31.96 грн
2500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S223ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.03 грн
163+87.41 грн
193+73.60 грн
204+67.10 грн
500+61.91 грн
1000+53.77 грн
2000+50.62 грн
2500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23Infineon technologies
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23Infineon TechnologiesDescription: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD30N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+71.69 грн
100+49.91 грн
500+44.80 грн
1000+42.94 грн
2500+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.53 грн
173+82.15 грн
194+73.43 грн
250+68.64 грн
500+58.72 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+100.51 грн
100+68.29 грн
500+51.13 грн
1000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.20 грн
500+46.22 грн
1000+41.70 грн
5000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.53 грн
10+82.15 грн
100+73.43 грн
250+68.64 грн
500+58.72 грн
1000+53.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.71 грн
5000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
11+73.77 грн
100+59.36 грн
500+45.84 грн
1000+40.66 грн
5000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.50 грн
159+89.54 грн
172+82.56 грн
200+77.35 грн
500+71.41 грн
1000+65.11 грн
2000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.16 грн
105+135.80 грн
250+130.35 грн
500+121.16 грн
1000+108.52 грн
2500+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.99 грн
5000+30.47 грн
7500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.21 грн
308+46.11 грн
309+45.97 грн
310+44.20 грн
500+40.81 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 58681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+74.39 грн
100+47.29 грн
500+39.28 грн
1000+35.97 грн
2500+31.89 грн
5000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.52 грн
265+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.55 грн
500+32.91 грн
1000+29.75 грн
5000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.76 грн
17+46.21 грн
25+46.11 грн
100+44.33 грн
250+40.93 грн
500+39.18 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.79 грн
100+50.29 грн
500+37.33 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.44 грн
21+40.19 грн
100+39.55 грн
500+32.91 грн
1000+29.75 грн
5000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S3-24Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S3L-20ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD30N06S3L-20 - IPD30N06 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S3L-20Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L-23Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L-23Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.77 грн
127+112.49 грн
250+107.99 грн
500+100.37 грн
1000+89.90 грн
2500+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+79.23 грн
100+45.70 грн
500+35.90 грн
1000+30.72 грн
2500+27.75 грн
5000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.59 грн
342+41.49 грн
343+41.36 грн
344+39.78 грн
500+36.73 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.28 грн
500+30.59 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.48 грн
19+41.59 грн
25+41.49 грн
100+39.89 грн
250+36.83 грн
500+35.26 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.48 грн
100+38.72 грн
500+28.38 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
50+62.02 грн
100+42.28 грн
500+30.59 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.36 грн
340+41.70 грн
351+40.40 грн
500+37.48 грн
1000+33.44 грн
2500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2-22Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+106.38 грн
100+62.96 грн
500+52.33 грн
1000+48.46 грн
2500+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+89.71 грн
100+54.95 грн
500+48.53 грн
1000+46.05 грн
2500+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+97.00 грн
100+66.15 грн
500+49.69 грн
1000+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L-21Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+84.00 грн
177+80.24 грн
250+77.03 грн
500+71.60 грн
1000+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L-21Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 17856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+109.56 грн
100+64.68 грн
500+53.92 грн
1000+47.43 грн
2500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+71.72 грн
100+60.16 грн
500+53.57 грн
1000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 36640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+107.18 грн
100+66.48 грн
500+54.40 грн
1000+50.05 грн
2500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.22 грн
500+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.65 грн
205+69.26 грн
206+66.59 грн
250+61.49 грн
500+58.86 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.92 грн
289+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
10+86.18 грн
100+68.22 грн
500+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.45 грн
25+69.26 грн
100+66.59 грн
250+61.49 грн
500+58.86 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L-34Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.72 грн
10+86.53 грн
100+52.12 грн
500+44.18 грн
1000+38.24 грн
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.51 грн
10+81.35 грн
100+60.89 грн
500+44.65 грн
1000+34.72 грн
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.78 грн
100+57.94 грн
500+43.16 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+84.15 грн
100+52.12 грн
500+41.42 грн
1000+38.04 грн
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.45 грн
5000+35.42 грн
7500+34.11 грн
12500+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+90.50 грн
100+52.81 грн
500+41.97 грн
1000+38.52 грн
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.78 грн
100+57.94 грн
500+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS -T Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
12+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS -T Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 57W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+69.03 грн
100+49.67 грн
500+37.12 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]