Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD20N03Linfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LGINF07+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N03LP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD20N06infineon04+
на замовлення 35270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2131-25OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9762.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2131-27OSRAM Opto SemiconductorsAlphanumericDisplay Matrix Panel 1DIGIT 35LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9429.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.74 грн
50+39.93 грн
100+33.27 грн
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L-50Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.61 грн
5000+61.68 грн
7500+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.82 грн
5000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.49 грн
5000+62.47 грн
7500+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.56 грн
500+80.60 грн
1000+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.73 грн
10+140.54 грн
100+88.59 грн
500+74.82 грн
1000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.82 грн
5000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.14 грн
100+141.51 грн
159+89.20 грн
500+75.34 грн
1000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.50 грн
50+71.45 грн
100+60.07 грн
500+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD230N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2434481074TE ConnectivityDescription: TE Connectivity IPD2434481074
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+2450.99 грн
27+2265.11 грн
51+2174.53 грн
201+1959.97 грн
402+1881.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD250N06N3 GCT-ND
Код товару: 81287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD250N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10N GInfineon
на замовлення 204500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.13 грн
10+95.65 грн
100+67.22 грн
500+50.91 грн
1000+44.56 грн
2500+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+62.34 грн
1000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.09 грн
147+96.31 грн
209+67.68 грн
500+51.26 грн
1000+44.87 грн
2500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.92 грн
5000+39.53 грн
7500+39.13 грн
12500+37.35 грн
17500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 14027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+62.34 грн
1000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.70 грн
100+48.07 грн
500+35.61 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.02 грн
5000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.02 грн
5000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.53 грн
50+38.93 грн
100+32.41 грн
500+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S2-40Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 29A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S2-40ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.44 грн
50+48.89 грн
100+40.86 грн
500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L-30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+41.20 грн
1000+38.00 грн
10000+33.88 грн
100000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.48 грн
25+30.99 грн
100+29.41 грн
250+26.79 грн
500+25.30 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.48 грн
457+30.99 грн
464+30.50 грн
472+28.93 грн
500+26.35 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 20748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.16 грн
50+41.75 грн
100+34.81 грн
500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+41.20 грн
1000+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2
Код товару: 209229
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+30.64 грн
477+29.70 грн
500+29.23 грн
1000+28.00 грн
2500+25.26 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD25N06S4L30ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.30 грн
7500+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2InfineonMOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
859+41.20 грн
1000+38.00 грн
10000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L-35Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 30A DPAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.64 грн
16+49.86 грн
25+48.26 грн
50+38.84 грн
100+33.39 грн
250+29.81 грн
500+26.36 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.08 грн
100+42.71 грн
500+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.20 грн
12+67.04 грн
25+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD2N08L50infineon04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3012-760Inventus PowerDesktop AC Adapters 30 WATT DESKTOP POWER SUPPLY 12V 2.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD3012-760Inventus PowerDescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 30W
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.53" L x 1.92" W x 0.99" H (89.6mm x 48.8mm x 25.2mm)
Voltage - Output: 12V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Cord Length: 48" (1.22m)
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, cTUVus
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 2.5A
Input Connector: IEC 320-C6
Region Utilized: North America
No Load Power Consumption: 100mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 30 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1780.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.