Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiR836DP-T1-E3
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+26.49 грн
536+26.33 грн
540+26.16 грн
543+25.07 грн
547+23.07 грн
1000+22.00 грн
3000+21.86 грн
6000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.13 грн
26+29.72 грн
100+25.60 грн
250+23.60 грн
500+22.42 грн
1000+22.18 грн
3000+21.95 грн
6000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840VISHAY08+
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
на замовлення 13101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 8711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.07 грн
10+95.20 грн
100+74.05 грн
500+58.90 грн
1000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR850DP-T1-E3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3VISHAY07NOPB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 90nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR864DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR864DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR866DP-T1-E3
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M350S044NextGen ComponentsDescription: 868.35MHz SAW Res. +/-150KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±150kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.35 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M350S045NextGen ComponentsDescription: 868.35MHz SAW Res. +/-200KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±200kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.35 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M950S043NextGen ComponentsDescription: 868.95MHz SAW Res. +/-100KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.95 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M950S045NextGen ComponentsDescription: 868.95MHz SAW Res. +/-200KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±200kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.95 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 36105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.10 грн
10+118.71 грн
100+83.20 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.74 грн
10+118.79 грн
25+118.20 грн
100+94.28 грн
250+86.69 грн
500+73.44 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 30618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.74 грн
119+118.79 грн
120+118.20 грн
145+94.28 грн
250+86.69 грн
500+73.44 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.70 грн
10+127.49 грн
100+88.71 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDPVishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100 V
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+167.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.52 грн
10+126.49 грн
100+87.30 грн
500+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S)
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3
Код товару: 197578
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.85 грн
10+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 46725 шт:
термін постачання 832-841 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]