Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A | на замовлення 3114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V | на замовлення 3863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 82ns; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 82ns Version: ESD | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B Код товару: 133320
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | на замовлення 29686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори | на замовлення 1301 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | на замовлення 29724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5B | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 60 60, Id = 100 А, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP EP Очікується: 550 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B | на замовлення 4686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | на замовлення 8783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V | на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.8mΩ Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18540Q5BT . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V | на замовлення 9101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T | на замовлення 3278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5 | на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW Technology: NexFET™ Kind of package: reel; tape Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead | на замовлення 21639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 21500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18541F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,1mOhm; 200A; 200W; -55°C ~ 175°C; CSD18542KCS TCSD18542kcs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18542KTTT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18542KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD18542KTT | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V | на замовлення 20315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,6mOhm; 60A; 66W; -55°C ~ 150°C; CSD18543Q3AT CSD18543Q3A TCSD18543q3a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT | на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 8VSON Транзистори | на замовлення 146 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A | на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V | на замовлення 10198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT Код товару: 126797
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 66W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 11.1nC Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 133 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 116 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 116 Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NexFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595-CSD18563Q5AT | на замовлення 8915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 5906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A-P | Texas Instruments | MOSFETs 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 6.8mOhm 8-VSONP -55 to 150 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5A-P | Texas Instruments | Description: 60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18563Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0057 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD18563Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 116W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Dimensions: 5x6mm | на замовлення 127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|