Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18535KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+107.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.86 грн
10+241.18 грн
50+194.79 грн
100+174.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.56 грн
5+157.05 грн
10+143.76 грн
25+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.47 грн
10+179.11 грн
50+138.85 грн
100+118.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.86 грн
59+241.18 грн
73+194.79 грн
100+174.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+208.08 грн
150+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
10+255.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+273.58 грн
100+246.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 0.0013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.01 грн
10+238.27 грн
50+186.79 грн
100+159.75 грн
500+132.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
на замовлення 7094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+348.11 грн
3+298.32 грн
10+247.63 грн
25+204.42 грн
50+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCS
Код товару: 196562
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+153.46 грн
1000+138.08 грн
1500+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsOSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single D2PAK, 1.6mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTTT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTT
Код товару: 115067
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.32 грн
10+248.82 грн
100+177.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+269.27 грн
150+226.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 349
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+514.00 грн
100+440.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.77 грн
10+346.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.44 грн
10+328.23 грн
50+245.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
Qualifikation: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCS
Код товару: 154964
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+73.96 грн
50+55.48 грн
100+46.48 грн
500+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.81 грн
10+63.98 грн
50+52.18 грн
100+47.61 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.31 грн
2000+43.87 грн
5000+42.70 грн
10000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
на замовлення 9052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 32036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.10 грн
50+45.44 грн
100+37.91 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.07 грн
15+52.06 грн
25+48.07 грн
100+40.66 грн
250+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.55 грн
7500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A-PTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+69.21 грн
750+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.29 грн
100+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+69.21 грн
750+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.00 грн
500+50.05 грн
750+47.58 грн
1250+42.05 грн
1750+40.51 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 82ns; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+145.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsMOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори
на замовлення 508 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+166.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5B
Код товару: 133320
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60 60, Id = 100 А, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP EP Очікується: 550 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
6000+9.06 грн
9000+8.08 грн
24000+7.66 грн
30000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.