Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+170.51 грн
100+119.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18535KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 279 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 279
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6620 pF @ 30 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 0.0013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.07 грн
50+193.01 грн
100+175.89 грн
500+136.94 грн
1000+127.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+296.24 грн
3+257.47 грн
10+223.08 грн
25+192.05 грн
50+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCS
Код товару: 196562
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTT
Код товару: 115067
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.91 грн
10+251.12 грн
100+179.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsOSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single D2PAK, 1.6mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+154.88 грн
1000+139.36 грн
1500+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTTT
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+250.87 грн
100+221.36 грн
150+211.05 грн
250+187.20 грн
350+180.77 грн
500+174.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11430 @ 30, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 1,6 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Id2 = 279 А,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+514.00 грн
100+440.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 349
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18536KTT
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 349A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+304.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 349 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
Qualifikation: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
10+331.27 грн
50+248.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.21 грн
2000+43.77 грн
5000+42.61 грн
10000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
50+56.81 грн
100+50.76 грн
500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTEXAS INSTRUMENTSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
10+62.06 грн
50+49.14 грн
100+44.62 грн
500+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCS
Код товару: 154964
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCSTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 33970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+62.95 грн
50+46.84 грн
100+39.08 грн
500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.36 грн
7500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.81 грн
19+41.03 грн
25+40.70 грн
100+33.38 грн
250+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsMOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5A-PTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.53 грн
500+50.51 грн
750+48.02 грн
1250+42.44 грн
1750+40.89 грн
2500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+73.58 грн
500+61.10 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18537NQ5A
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.14 грн
100+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5A TCSD18537nq5a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+73.58 грн
500+61.10 грн
1000+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsMOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори
на замовлення 135 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+167.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 82ns; ESD
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Version: ESD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+98.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.32 грн
81+174.65 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5B
Код товару: 133320
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
на замовлення 29686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
5000+60.15 грн
7500+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 60 60, Id = 100 А, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: VSON-CLIP EP Очікується: 550 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.32 грн
10+174.65 грн
25+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT CSD18540Q5B TCSD18540q5b
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+144.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.00 грн
100+141.76 грн
500+114.74 грн
1000+106.96 грн
2500+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
на замовлення 29724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.71 грн
100+93.82 грн
500+71.27 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.77 грн
10+191.04 грн
100+134.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.8mΩ
Dimensions: 5x6mm
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18540Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18540Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
6000+9.04 грн
9000+8.06 грн
24000+7.65 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.64 грн
100+14.36 грн
500+10.13 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T
на замовлення 3278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW
Technology: NexFET™
Kind of package: reel; tape
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.29 грн
500+32.13 грн
750+30.86 грн
1250+29.59 грн
1750+27.23 грн
2500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18541F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 777 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
на замовлення 21639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+62.19 грн
100+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]