Продукція > PMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMPB19R0UPEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 10 V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+19.02 грн
100+12.82 грн
500+9.34 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEXNexperiaMOSFETs SOT1220 P CHAN 20V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2882+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2882 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaMOSFETs PMPB19XP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 26817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2882+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2882 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaMOSFETs PMPB20EN/SOT1220/DFN2020MD-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+19.40 грн
100+10.99 грн
500+8.99 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1309+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1566+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN/S500XNXP SemiconductorsDescription: PMPB20EN - 30V, N-CHANNEL TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4212+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 4212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN/S500XNXPDescription: NXP - PMPB20EN/S500X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.00 грн
50+20.29 грн
100+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20ENZNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 7.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20LNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20LNAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20SNAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20SNAXNexperia USA Inc.Description: PMPB20SNA - 40V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.27W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20UN,115NexperiaMOSFET PMPB20UN/SOT1220/REEL7
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaMOSFETs PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
на замовлення 97002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1007+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 1007 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperiaMOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNexperiaMOSFETs PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNXPDescription: NXP - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XNEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
50+24.61 грн
100+20.33 грн
500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPE,115NexperiaMOSFETs 20 V, single P-channel Trench MOSFET
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPE,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 689000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2744 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperiaP-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperiaMOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperiaP-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.2 A, 0.019 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEZNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 7.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 17363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.72 грн
100+19.78 грн
500+14.14 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20XPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
6000+9.05 грн
9000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA,115Rochester Electronics, LLCDescription: PMPB215ENEA - 80V, SINGLE N-CHAN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/F,115Rochester Electronics, LLCDescription: 80V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FXNexperiaMOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.34 грн
50+25.03 грн
100+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAHPNexperia USA Inc.Description: PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
14+22.42 грн
100+15.16 грн
500+11.09 грн
1000+10.06 грн
2000+9.17 грн
5000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAHPNexperia USA Inc.Description: PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAHPNexperiaMOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperiaMOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+25.74 грн
100+13.55 грн
500+11.67 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNE,115NexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3741+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperiaMOSFETs PMPB23XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3741+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+13.70 грн
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.04 грн
50+18.93 грн
100+15.58 грн
500+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB24EPNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB24EPXNexperiaMOSFETs PMPB24EP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB24EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1069 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.