Продукція > SiH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHG026N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.68 грн
25+689.34 грн
50+636.59 грн
100+555.78 грн
500+505.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayMOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 95A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.84 грн
25+642.21 грн
50+592.33 грн
100+516.52 грн
500+464.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG033N60SF-GE3Vishay SiliconixDescription: SF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG033N60SF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.92 грн
25+504.75 грн
50+463.58 грн
100+402.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+589.79 грн
25+578.61 грн
50+552.52 грн
100+506.65 грн
250+481.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 199A
Gate charge: 126nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.79 грн
10+584.15 грн
25+578.61 грн
50+552.52 грн
100+506.65 грн
250+481.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 196A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 196A
Gate charge: 84nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4323 pF @ 100 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.70 грн
10+624.85 грн
50+508.96 грн
100+442.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60EF-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG041N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG041N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.42 грн
10+347.93 грн
50+276.64 грн
100+238.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG041N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+465.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 51A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.77 грн
10+515.92 грн
50+416.90 грн
100+361.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+464.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3VishaySIHG050N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.11 грн
10+313.11 грн
50+247.86 грн
100+212.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.79 грн
10+351.27 грн
100+257.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG052N60EF-GE3VishayMOSFET EF SERIES TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG055N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.20 грн
25+360.01 грн
50+328.69 грн
100+283.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.05 грн
10+282.55 грн
25+278.04 грн
50+263.86 грн
100+240.29 грн
250+226.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3VishaySIHG065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+282.55 грн
51+278.04 грн
52+263.86 грн
100+240.29 грн
250+226.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.53 грн
10+322.16 грн
50+255.29 грн
100+219.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3VishayMOSFET N-CH 600V 41A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+187.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.22 грн
25+240.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+187.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 96A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.54 грн
10+281.56 грн
100+202.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.59 грн
10+303.91 грн
100+228.47 грн
500+195.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.084 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.16 грн
10+340.78 грн
100+248.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+247.54 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+248.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 208W
Case: TO247AC
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 73A
Gate charge: 50nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.02 грн
10+247.05 грн
50+193.72 грн
100+165.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG110N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.97 грн
10+220.29 грн
50+172.04 грн
100+146.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+110.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.03 грн
10+157.51 грн
50+121.38 грн
100+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+110.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG11N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]